TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:05 |
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晶体管模型
! }7 a# ~- h# W3 }6 z7 x射频集成电路主要工艺
9 Z" Q% f# Y; K/ q$ a砷化钾 GaAs——最高频率达到100~50GHz( Y5 c9 q6 V! c/ B* f
超高速微电子学和光电子学) e7 {" W/ X# U L' y; [( ?
CMOS ——噪声低、线性好、与数字集成电路兼容3GHz以上
2 ~* w2 o5 }. H$ b描述晶体管的两种模型% ?" R: H: e1 h" M
0 k: K1 {* W, J5 j+ I
& \( [8 K) [4 I$ s7 D, u
1. 物理模型——等效电路模型
* T5 g* R! T/ X0 b# r Q3 m* c! {
1 B8 q, g1 G: Y7 k/ z9 n特点：模型中的每个参数均对应一定的物理意义- z) H$ h( d. ]8 z
% P0 e6 M7 i; X! T2 [
适用的频率范围较宽+ A* `) |' P' h0 ~ o
$ c u& S3 Z, N, i4 l* k
举例：混合∏型模型
0 k6 }. {. ~8 E: z% i2. 网络模型+ K: z' i# d- C
1 c2 h: M6 O; ?2 a* d) I
特点：把晶体管视为一个双端口黑盒子，分析其端口参数
* |& {8 O, `8 O8 ^1 L+ z! U. m' s" Y, t5 r. ~1 {4 f, ?8 I
适用于特定频率、线性参数
! t) g4 h) i! q$ G% G' I3 k! s- G
举例：S参数3 `$ V3 r4 H# c, N. h, i% j. Q! [
5 R$ T/ n* D$ x
注意：应用不同的模型，分析设计低噪放的方法不同
/ D- g8 Z0 O) \' Q# |, Z4 t
1 n9 f/ Q2 k" i1 M1 z4 N$ ]' ~本章重点——用晶体管的混合 ∏ 型模型分析、设计低噪放1 P3 Y% A6 f& h! }! G
. A$ K5 M* I$ S/ ?
n$ t' j& ]- o: W8 Q
. }) V. @# h( |9 a, Y. i3 T+ T, z3 u& ?& l9 R+ x" M9 N4 G6 p" C
+ Z5 m# p8 d3 w' U
9 d& O, g+ C, s4 c
% c5 ]' y, M5 B) L' M |
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发表于 2019-12-31 10:34
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