富士通电子元器件（上海）有限公司日前宣布，推出业内最高密度8Mbit 可变电阻式随机存取内存 (ReRAM)。ReRAM为非挥发性内存，藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜，产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简，由两电极间简易金属氧化物架构组成，使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。
. w. D g( {# _% ]) \) y 此款型号为MB85AS8MT 的ReRAM量产产品，由富士通与松下电器半导体(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)合作开发，将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器 (EEPROM) 兼容的非挥发性内存，能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均电流，在5MHz工作频率下仅需0.15mA读取数据，这让需透过电池供电且经常读取数据的装置能达到最低功耗。MB85AS8MT采用极小的晶圆级封装 (WL-CSP)，所以非常适用于需电池供电的小型穿戴装置，包括助听器、智能手表及智能手环等。
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富士通自1999年开始生产铁电随机存取内存 (FRAM)产品，FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，亦称为FeRAM。即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读写周期的优点。
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FRAM能提供比EEPROM与闪存更高的耐写次数与更快的写入速度，尤其是需要非常频繁记录及保护写入的数据以避免突然断电时导致数据遗失。但同时，也有些客户提出需要较低电流读取运作的内存，因为他们的应用仅需少量的写入次数，却极频繁地读取数据。
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为满足此需求，富士通电子特别开发出新型态的非挥发性ReRAM内存“MB85AS8MT”，兼具“高密度位存取”及“低读取电流”的特色。其为全球最高密度的8Mbit ReRAM量产产品，采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的广泛电压，且包含指令与时序在内的电气规格都兼容于EEPROM产品。
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“MB85AS8MT”最大的特色在于即使拥有超高密度，仍能达到极小的平均读取电流。例如，在5MHz的工作频率下，平均读取电流为0.15mA，仅相当于高密度EEPROM器件所需电流的5%。
. p. A# A8 T+ F. Q因此，在需要透过电池供电的产品中，像是特定程序读取或设定数据读取这类需要频繁读取数据的应用中，透过此内存的超低读取电流特性，该产品即能大幅降低电池的耗电量。
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0 ^# {3 F& G) d l6 h8 O% Y 高密度内存与低功耗的MB85AS8MT采用极小封装规格，成为最适合用于需以电池供电的小型穿戴设备的内存，例如助听器、智能手表及智能手环等。
7 x5 [. q6 @9 @9 x: W关键规格
) A! ` X A9 o: G- z" h' U' Z· 器件型号：MB85AS8MT
6 [+ @7 L# ?4 k/ N' X& L9 l5 ?· 内存密度 (组态)：8 Mbit (1M字符x 8位)$ I( j# d G$ h* E3 L9 E; t7 C
· 界面：序列外围接口 (SPI)
6 a1 }. u |0 e; h! `; S/ M E/ ]· 运作电压：1.6V至3.6V
$ `6 U; c% P9 Q1 j( {) I7 a· 运作频率：最高10MHz
) @. N- p, S+ x; q; q( m6 {· 低功耗：读取运作电流0.15mA (5MHz下取平均值)
/ I( j1 V; ^8 f6 V· 写入周期时间：10ms! L) a, D4 n+ G: j" Z
· 分页容量：256 bytes" o( i7 H: y3 v2 g1 N+ M) ]6 V
· 保证写入周期：100万次
( g. Y7 Q0 v/ u· 保证读取周期：无限( t- b ?# a8 Y: k1 ?5 d' B
· 数据保留：10年 (最高耐热达85°C)5 [8 x, V8 \4 U! }( u* J; ?! Y8 [
· 封装：11-pin WL-CSP与8-pin SOP
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发表于 2019-12-27 09:59
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