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本帖最后由 hmdz987654 于 2019-12-26 13:50 编辑 + F2 |9 I4 x& T# N, X7 E. |
5 Q" n- l5 G) Z/ F! ^/ m- p g砷化镓和硅各扮什么角色？
+ J" E3 i% e% e1 \$ |5 Z 砷化镓半导体具备高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性，它最大的特点是拥有极高的电子迁移率8000cm2/(V·s)(是硅材料7倍多)。在高频信号快速变化的情况下，砷化镓中的电子能及时跟随信号作出响应，用砷化镓做衬底制作的器件非常适合用在3C产品的射频领域。
. y8 M+ ~" b. t3 b% a( t0 o. Vn型GaAs中电子迁移率和饱和漂移速度比Si中电子大，适合高频高速应用领域。+ k3 r- l' ]$ ^# D
GaAs存在异质结和2DEG结构，因此电子的迁移率和浓度都更高，更适合做高频器件 。% M1 S' K5 |( X+ r7 t0 w) O( H
硅是间接禁带半导体。可以制作光电器件。' x! n$ k& a( P- \* x5 d, }
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发表于 2019-12-26 13:50
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