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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发供应链讨论 › 器件选型&认证 › MOSFET反向恢复特性解析
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MOSFET反向恢复特性解析

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hmdz987654

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发表于 2019-12-19 08:58 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 hmdz987654 于 2019-12-19 08:58 编辑 ' [& o( |# M. f
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2#
发表于 2020-4-17 19:00 | 只看该作者
PN结开始承受反向电压。由于二极管反向电压的上升，导致了反向恢复电流的dl/dt逐渐减小:在T3时刻，二极管电压达到Vpe, di/dt降到0， 扫出电流达到最大值。1 \) m. c1 ~4 P) N

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