TA的每日心情 | 奋斗
2022-4-26 15:14 |
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签到天数: 152 天 [LV.7]常住居民III
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本帖最后由 colin_fa 于 2020-2-8 17:10 编辑
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在huawei 2009~2011年接口二次电源产品时，SO3*4，还有后来2017~2018年接口逆变器时SO8*8的QFN封装Mos的失效是令我记忆深刻的，各种自己内部的分析、厂家的分析，各种会议、各种排除法的验证跟线、C-SAM、剖面...
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8 m1 B8 z! d3 R: t3 A当时在觉得烦的同时，反复的实践，对QFN印象深刻，任何事物都是一分为二的：
8 C$ i0 q: U4 m1 j; v8 B8 x1、QFN有点是占板面积小，尤其是在数量较多或阵列话布局时，比LF-pak、D2Pak节省面积至少20%；
* C, R% E% E" i2 s- x, C2、在PCB表层铜厚＜2OZ时，在焊接、温度循环时，器件内部的内框架容易受到机械应力而拉断，在上电工作时容易发生烧板；
/ U) w$ ~& q) ~1 t. s- v) T/ w H, z: n% B* u& R/ l3 ~
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发表于 2019-11-2 06:14
楼主
发表于 2020-2-8 17:07