自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析

Colbie

自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析

（电波科学学报2015年第30卷第四期）

( U, r9 V0 A  h% q$ n) E, \- W% Y
5 P9 I. s$ m) ]. l" t: t摘要：自适应阵歹IJ杭干扰性能常用输出信干噪比（Signal-to-InteRFerence and Noise Ratio, SINR）损失、杭干扰改善因子（ECCM Improvement Factor, ElF）等来衡量，但目 前尚缺乏解析的定量分析．为此，采用归纳法理论推导了均匀线阵条件下输出SINR损 失、ElF等指标的解析表达式，定量获取了自适应阵列杭干扰性施．仿真实验验证了理论 分析结果的有效性及快拍数对自适应阵列抗干扰性能的影响。

关键词：自适应波束形成；信干噪比损失；抗干扰改善因子；均匀线性阵列；快拍数
3 R6 A; ^6 X3 f: X$ I2 X
8 P7 A- J# w1 I, i3 ]+ ^! O

游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复

+ s2 g5 n( H6 U( Q- \
5 c3 S  ?: _. s8 p2 d
+ t( y  d5 o4 {' n9 A

fanichicl

自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析。