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超详细的MT29F2G08ABAEAWP-IT:E特点介绍
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2 n. {8 o9 B; G8 m) q4 w特征& m9 C7 E/ W2 t2 | z
·开放式NAND闪存接口(ONFI)1.0兼容! h3 l- N- [2 m7 s, }- w! e* a- Y5 \
·单级单元(SLC)技术
; Q% a( v$ O* b$ ]1 R+ j: P$ K·组织
* ^! p( I+ s6 C) L- {" ^7 r - 页面大小x8:2112字节(2048 + 64字节)/ m2 V" d$ l& @$ }
- 页面大小x16:1056字(1024 + 32字)
) R G$ ^. J: L - 块大小:64页(128K + 4K字节)7 @* n& f0 B9 c, l. z0 F( a( x. ~
- 平面尺寸:每平面2个平面x 2048个块
" s( V) Q' D ~/ W' K - 设备大小:4Gb:4096块; 8Gb:8192块; {; y6 W6 ^1 o+ D/ \5 d% q& `
16GB:16,384blocks0 a" R$ E A, Y% p7 A
·异步I / O性能
6 q6 d6 @! ` ~, V* }! A# ]' n-TRC / WC:20ns(3.3V),25ns(1.8V)
9 d) G2 c5 \4 d. A" z& p·阵列性能
) e* ], t* A) ?/ |5 Q% b - 阅读页面:25us3
9 w4 n+ Z: w \5 c# C-Program page:200us((TYP:1.8V3.3V)3
5 T+ G2 Y& F" X! m9 f - 删除块:700us(TYP)9 i( N( Y3 Z! S' i
·命令集:ONFI NAND Flash协议
; W R8 h: L- @- g·高级命令集
, P- b" y( y6 I: p/ B - 程序页面缓存模式4
* T0 P& b8 q/ z9 @3 x - 阅读页面缓存模式42 x8 s5 m+ s8 L2 D6 ?
- 一次性可编程(OTP)模式4 O& Z6 }' \& x5 K* ]2 {0 @. ]
- 双平面命令4. T9 d& |, ]0 y p
- 交织模(LUN)操作' D) W2 M5 O- u7 z$ @' N
- 阅读唯一ID6 ?, E' @" ?/ @4 i1 @
- 锁定(1.8Vonly)3 T) ^9 K- B: h1 q% ^
- 内部数据移动
7 x* B- K4 |# a. f0 Z/ i9 A·操作状态字节提供检测的软件方法+ z. y$ P' a$ N% w3 k- P
- 操作完成) C( r6 E, f9 Z! N! Q6 Q, q1 k
- 通过/失败条件+ x* z; O# X' O* R
- 写保护状态6 A1 J* ?' p+ a9 \% D
·就绪/忙碌#(R / B#)信号提供检测操作完成的硬件方法+ K2 X3 f0 d4 I- E- J
·WP#信号:写保护整个设备
0 y* y3 C: U- W$ ?. r1 N·第一个区块(区块地址00h)在发货时有效来自ECC的工厂。有关最低要求的ECC,请参阅错误管理。: F& Y/ \* ?. K- @4 |7 v. _+ h' Z
·如果PROGRAM / ERASE cy-块O需要1位ECCcles小于10009 y0 d) `, i" a) E
·复位(FFh)作为电源后的第一个命令ER-上7 X) l* h( X& W7 Z/ k
·在读取数据的平面内支持内部数据移动操作, |# ]0 @" s' T: t2 {# l0 m
·质量和可靠性 - 数据保留:10年$ r. O K1 ?0 h R" r) ~/ d- _
- 保证:100,000次PROGRAM / ERASE周期& H. A2 X% [9 D, n- k& H
·工作电压范围
, ?1 [* j/ F5 \8 N-Vcc:2.7-3.6V
, `; {% C$ h0 m-Vcc:1.7-1.95V- ?* x$ v0 r) Y9 `* u) X
·MT29F2G08ABAEAWP-IT:E工作温度:: t+ L" G/ I2 A5 k
- 商业:0℃至+ 70℃) B- o. ?/ V; E9 m1 q. e
- 工业(T): - 40℃至+ 85℃
' H: g5 `8 v( U, W# W·包装$ o- n# V/ U# ?% R% W( I
-48引脚TSOP类型1,CPL2
2 b0 e- I9 i9 Q-63-ball VFBGA' R4 o6 r5 i+ B. N+ x* [: t
5 j/ h: O7 z) M' R9 i+ |7 ~$ D. d
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