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想用Pspice做场效应管MTP2P50E和BUK456800的电路仿真,但是没有它们的模型,想用一个现成的管子修改一下,挑了一个F1020,edit pspice model后发现模型的描述看不太懂,不太明白怎么修改,还请达人帮忙啊!
I7 q& x: I) w2 f) l5 Q! D
7 a3 M/ S$ h# R" k
3 Z( W3 u/ d: e! P7 D5 f模型表述如下:7 {5 L! L S W: L5 K$ j% j) U
8 z9 g& f, B0 K! M ]
5 e/ h9 L* A; k/ I6 N- C& ]0 L/ v*POLYFET RF DEVICES1 Y, j3 p( v% c6 i+ t
*FEB 15 1994) }0 [$ H. U, [/ ?. W$ l4 m
*PHONE 805)484-4210; FAX 805)494-3393 CONTACT:MR. S.K. LEONG
6 [% C t3 n2 Z @) P*HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, RF N-CHANNEL VERTICAL DMOS MOSFET
7 [! W* m8 x0 a. [+ c4 T0 T*TO GENERATE S PARAMETER MATCHING DATA SHEET, SET VG=3.58V FOR IDQ=800MA+ ]0 \" c: C1 x2 q T8 ~
*
: Z. Z X9 R9 r+ J1 [; Y; Z*MODEL APPLICABLE FOR ALL F1B 4 DIE IN AP AND AK PACKAGE. F1021 USE; L$ Q9 L6 M$ m$ i. {
*BELOW AS EXAMPLE.6 F& a, ^+ J N- [4 _; ]+ a
* NOTE:- HP/EESOF USES 'GATE DRAIN SOURCE' ORDER
8 W: w. P' z2 D0 y* ( ;D G S )
B+ ]/ ^; a0 R- ?, e0 Z.SUBCKT F1021/PF 20 10 305 T/ M- p& v1 b3 x- D4 V
LG 10 11 0.87N. k! |, P6 X, s/ A
RGATE 11 12 0.61
" K7 X# ^! z/ U" G6 LCG 10 30 0.12P: U6 i& q, ?9 h) i9 E/ L
CRSS 12 17 14.2P
) C) z8 t( N4 x' W( p: XCISS 12 14 130P# M8 z! X2 n3 O7 S& c3 x
LS 14 30 0.09N X) D# y2 W I! I0 E
CS 14 30 0.06P
6 l% c m$ s# u: dLD 17 20 0.75N
; u8 z4 f) X8 Y7 QCD 20 30 0.45P! v. Q B: S4 F8 e1 x! _( W
R_RC 16 17 8.2
1 M! c% G5 p, P7 \; Y* d4 yC_RC 14 16 61P1 g) I; `% h& r6 }
MOS 13 12 14 14 F1021MOS L=1.1U W=0.24 ;D G S B LEVEL1
; l) u. q1 L; N$ E4 f' RJFET 17 14 13 F1021JF ;D G S6 V" } `9 M9 ^ E% h
DBODY 14 17 F1021DB N& s$ u$ o: e" S; k/ b) y: i
.MODEL F1021MOS NMOS (VTO=3 KP=1.7E-5 LAMBDA=0.1 RD=0.1 RS=0.09)/ O) @9 p6 t. H+ e- K" ^
.MODEL F1021JF NJF (VTO=-6.8 BETA=0.2 LAMBDA=5)& R8 K5 b0 @& I0 t' @/ e4 g
.MODEL F1021DB D (CJO=192P RS=0.25 VJ=0.7 M=0.35 BV=65)
* ~3 w, A# k& [$ T8 h( i u2 |# O6 v.ENDS, ^9 Z6 c* P4 ~0 U# a m2 b B: {
" n# F$ l8 k& @. s* P4 X
7 V# F, c& k* n8 d. J; P; l# P# [
) P* y' C3 d' G" b. b
& E! z2 @! I1 D% l* N6 @" q7 w3 Y `2 d, j% f
# Q! ^# b0 b, P) m$ I |
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