SIWAVE仿真讨论：PI仿真流程问题与疑惑！

mengzhuhao

在进行PI仿真的时候，首先导入PCB文件
" V0 T% u* `) D. C! B" w+ G/ _5 q这个时候是不是先所有的退耦电容先无效或者去掉
" c" d+ n4 h' o+ C$ o
% L. h/ u. Q% y6 `. n# Q3 }在电源网络的各个端口设置S参数探针
直接进行S参数仿真，查看Z曲线，看改电源网络在交流阻抗上的变化趋势
/ ^" `- j4 C2 M+ d- Q3 E+ p" \
找出阻抗峰值点的频率
; ~1 M* o, ]3 ~) {" l) ^# ?
这个时候再进行裸板谐振仿真
* @0 w2 N" f, z找出谐振幅度最大最小的地方

( _+ c$ W3 e$ e, q  h4 F; k" J+ d这个时候的一个疑惑是：在S参数里面出现较大阻抗的地方未必在谐振频率点上！那加电容的对策应该如何考虑？
  W  C' U' [3 j
加入像我下图中，在412mhz的地方出现一个较大阻抗，差不多20欧姆，但是谐振仿真出来是3个频段，没有包含那个
4 d  A. H- _& A- ]/ p+ |
3 c1 R7 _" @* H4 X' x; _他们之间有什么关系吗？还是一点关系都没有？

: s. J  f7 q9 K, u' g+ m裸板的那个谐振仿真是所有vcc与gnd间的谐振，是带默认激励源吗？这个激励源应该如何理解？

见一些资料说，这个仿真意义不大，需要加激励源仿真，那么这个激励远加在什么样的网络上？在进行AC扫描的时候需要选择的是同层与参考层？还是继续使用vcc层与gnd层？

mengzhuhao

是不是可以这样理解：
' S2 @0 ?- m: Y3 j, q例如我在5V网络的各个端口处加上S参数探针(在加的时候，提示有个参考阻抗，这个地方我
应该如何填？默认是50欧姆。但是我发现即使填个0.01的时候也跟50的一样)
9 {* c: l4 `7 o$ Y0 b6 r这个时候出来的曲线是不是一般只需要关注Z曲线就够了
( o' n# F5 P. R$ S
- |( b# {4 ?' b1 q2 X从计算出来的Z曲线可以看出，在180mhz以下的时候阻抗一直都在1欧姆以上，在224mhz的地
方出现一个最低值，然后从268mhz--421mhz之间阻抗一直保持在1欧姆，并呈上升趋势，在4
21mhz的时候出现一个峰值47.5欧姆
+ t. K8 @8 s6 X' I& m% J8 ^
& @0 {6 c1 V8 }% l% z+ }# j5 ]- Y* h" g在裸板的谐振分析发现，不加探针的时候只有2个点，加上就出现3个点
& h* e% K, F# M分别在505mhz，788mhz与1.132ghz那
: H( q8 W7 m3 Y" l  r
! x6 I7 P4 x$ j- ^, l" c那么实际的情况是：因为阻抗出现峰值的地方在谐振点之下，那么加对策的时候是不是这样
0 ~& Y) d# `, |- ], w的，看看505mhz的时候谐振区域在那，在看看加的那个S参数探针是不是在这个区域，如果
8 K  h: w: l' d在就加上一组电容，既考虑505mhz之下的情况又考虑在505mhz时的情况
/ T$ W3 P' ?" J  q4 k, y# u. F
  T' B# O* I5 ], q7 C3 e1 P这样的理解对吗？

forevercgh

VNA测试S参数是的端接阻抗就是50ohm
; {: h9 `; g' y8 m3 nS参数主要看下插损和回损，当然看Z曲线也行，S<==>Z 可以通过相互转换

lpch8

根据siwave的参考资料，至少需要给电容加载模型后才能进行谐振平面的仿真，因此，需要把你对应电源网络的电容的等效参数输入到器件中，这样你的谐振点才可能是准确的，否则滤波电容的谐振点以及对电源平面的去耦效应无从谈起了。个人意见！

zhouweitf

作谐振仿真应该加电容模型吧，要不所有的电容都是理想的，做出来的结果没有意义吧？

taybi

这个不懂,听大家继续讨论

grant6168

使用siwave出现下图所示问题，仿真菜单中只显示上面两项，其他都是灰色，哪位高手能帮忙解答一下，先谢谢了