Pspice——可控硅的控制

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一、Schematic

  \4 Z- F  r; Q. z% T" V, d; M

: Q. L& V- [5 M& e. f9 \器件信息：
器件                    模型                       库
& [# J3 X8 c. e信号源                 V4、V5                   Vdc/ SOURCE
/ F3 ]; q/ f& x% C4 R3 u/ h开关                    U1                          Sw_tOpen/ ANL_MISC
可控硅                 X1                          MCR1906-6/ THYRISTR
3 O8 M0 o% k% ]8 G电阻                    R1                          R/ ANALOG
! o! Y# b9 t6 R9 m可变电阻             R3                           R_var/ ANALOG
GND                    0  
: t, w9 t+ s( x% ?% d* n, w: }. w激励源说明：
, L0 y. k$ i- h% N. c" C# o2 uVdc：直流电压
5 a' r4 q' D3 @* d开关说明：
Topen：open的时间点，也就是初始闭合的时间。
5 p" J4 N) _$ B/ `. p8 xTtran：从close到open的过渡时间，也就是transition的意思。
开关还可以设置闭合和断开时的电阻值。
二、仿真结果
1、R3 set=0.01，即1K Ohm
/ G: F3 l% m1 p0 ?
可以看到，一开始开关闭合的时候，可控硅导通，电阻R1左端电压为0.7V左右（即可控硅导通压降），后续即使开关断开，可控硅仍可依据可控硅中导通的电流而保持导通，这与三极管或是MOS做导通开关是不一样的。
2、R3 set=0.1，即10K Ohm
此时，开关闭合时可控硅就无法导通，原因是因为R3太大，使得可控硅控制端G提供的电流小于门极触发电流Igt（1mA），R3至多4K左右。
' V6 p0 O5 Y; S2 l- Q$ A

5 j9 \' l/ d( W( q; x

helendcany

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john2008liu

欣赏分享。谢谢。
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