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摘自:http://royroyyy.blog.163.com/blog/static/137650617201102610471196/ 有源器件在符号库中的名称(NAME)通常以关键字开头,后根长度不超过8个字符的字母或数字命名,如Q2N2222表示已知NPN型BJT。74系列的数字集成电路芯片以他们的模型号作为源器件名称。 有源器件的参数均在它们的模型中描述。在Pspice中是按器件类型(DEVICE-TYPE)来建立模型的,这些类型如表(一)所示,同一类型的器件有相同的模型结构,只是具体参数值有所不同。例如,Q2N2222和Q2N3904均属NPN型BJT。 $ S4 Q) f8 G$ h7 Z2 N4 ^6 c3 `" j
表(一)各种元器件关键字 | 序号 | 类型名称 | 描述关键词 | 元器件类型 | 1 | RES | R | 电阻器 | 2 | CAP | C | 电容器 | 3 | IND | L | 电感器 | 4 | D | D | 二极管 | 5 | NPN | Q | NPN BJT三极管 | 6 | PNP | Q | PNP BJT三极管 | 7 | LPNP | Q | 横向PNP BJT三极管 | 8 | NJF | J | N沟道JFET | 9 | PJF | J | P沟道JFET | 10 | NMOS | M | N沟道MOSFET | 11 | PMOS | M | P沟道MOSFET | 12 | GASFET | B | GaAsFET | 13 | CORE | K | 非线性磁芯(变压器) | 14 | VSWITCH | S | 电压控制开关 | 15 | ISWITCH | W | 电流控制开关 | 16 | DINPUT | N | 数字输入器件 | 17 | DOUTPUT | O | 数字输出器件 | 18 | UIO | U | 数字输入输出模型 | 19 | UGATE | U | 标准门 | 20 | UTGATE | U | 三态门 | 21 | UEFF | U | 边沿触发器 | 22 | UGFF | U | 门触发器 | 23 | UWDTH | U | 脉宽较验器 | 24 | USUHD | U | 复位和保持较验器 | 25 | UDLY | U | 数字延迟线 | " m& }; j+ p; Q c& e B
' g) B3 x2 m% w; n/ [$ K在模型库中,有源器件的模型名称(MODELNAME)与符号库中器件名称的命名方法类似。符号库(扩展名为slb的磁盘文件)与模型库(扩展名为lib的磁盘文件)是通过模型名称建立联系的。例如,Q2N2222、Q2N2222-X。 电路仿真的精度主要由元器件所选用的模型和模型参数来决定。PSPICE中选用了较精确的模型,其模型参数也很多,在多数情况下,可以忽略其中的许多参数。PSPICE在分析时使用这些参数的缺省值(DefaultValue计算机自动给出的值,也称为默认值)。表(二)给出了几种常用器件的模型参数。 ! f9 s M/ s+ } M7 P' ~* t* h9 m
表(二)几种器件常用的模型参数 | 元件模型 | 参数名 | 定 义 | 缺省值 | 单位 | D | IS RS N CJO VJ BV IBV | 饱和电流 寄生串联电阻 发射系数 零偏PN结电容 结电势 反向击穿电压 反向击穿电流 | 1E-14 0 1 0 1 ∞ 1E-10 | A Ω % ^/ h# M2 W( f
F V V A | BJT | BF NF VAF BR NR VAR CJE CJC RB RE RC VJE | 正向电流放大系数 正向电流发射系数 正向Early电压 反向电流放大系数 反向电流发射系数 反向Early电压 b-e结零偏电压电容 b-c结零偏电压电容 零偏压基极电阻 发射极电阻 集电极电阻 b-e结内建电势 | 100 1 ∞ 1 1 ∞ 0 0 0 0 0 0.75 | 2 t# t0 z- p3 }8 e2 A
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% a% i0 _% g+ Z* R, e R K) B7 \- G6 o7 D- q
V F F Ω Ω Ω V | MOSFET | VTO KP CBD CBS TOX CGDO CGSO CGBO | 零偏阈压值电压 跨导系数 零偏压漏极-衬底结电容 零偏压源极-衬底结电容 氧化层厚度 单位宽度的栅源覆盖电容 单位宽度的栅漏覆盖电容 单位长度的栅-衬底覆盖电容 | 0 0.02 0 0 1E-7 0 0 0 | V mA/V2 F F m F/m F/m F/m | JEFT | VTO BETA LAMBDA RD RS CGS CGD | 夹断电压 跨导系数 沟道长度调制系数 漏极电阻 源极电阻 零偏压栅源电容 零偏压栅漏电容 | -2 0.1 0 0 0 0 0 | V mA/V2 V-1 Ω Ω F F | GaAs MESFET | VTO BETA IS | 夹断电压 跨导系数 栅PN结饱和电流 | -2.5 0.1 1E-14 | V A/V2 A |
- g) D5 s, O$ @( F. c4 [; l" }. ^+ s. b
(三)信号源及电源 在电路描述中,信号源和电源是不可少的。实际上电源可以看作是一种特殊的信号源。在PSPICE中,信号源被分为两类:独立源和受控源。表(三)给出了几种独立源。在类型名前加V表示电压源,加I表示电流源。受控源共分四类,如表(四)所示,它们可用来描述等效电路。 信号源的参数可在其属性中定义。例如,脉冲源的初始电压U1、脉冲电压U2、延迟时间TD、上升时间TR、下降时间TF、脉冲宽度PW、周期PER等,均可在其属性窗中赋值。 ( H: m, |* s3 k& D' g0 d- ?
表(三)几种主要的独立源 | 类型名 | 电源及信号源类型 | 应用场合 | DC | 固定直流源 | 直流电源,直流特性分析 | AC | 固定交流源 | 正弦稳态频率响应 | SIN | 正弦信号源 | 瞬态分析、正弦稳态频率响应 | PULSE | 脉冲源 | 瞬态分析 | PWL | 分段线性源 | 瞬态分析 | SRC | 简单源 | 可当作AC、DC或瞬态源 |
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. M% j4 c+ C: c/ X [( L表(四)几种主要的受控源 | 元器件描述关键词 | 受控源类型 | E | 电压控制电压源 | F | 电流控制电流源 | G | 电压控制电流源 | H | 电流控制电压源 |
5 e/ g( N* t B0 t# F5 K4 p8 U2 b/ g; E; T' K
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表(六)列出了PSPICE教学版提供的一些主要的模拟器件。 5 s9 s R) T* \( {- Z7 u
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表(六)PSPICE 中的主要元器件 | 名称 | 类型 | 名称 | 类型 | DIN750 | 稳压二极管 | J2N3819 | N沟道JFET | MV2201 | 压变电容二极管 | J2N4393 | N沟道JFET | D1N4002 | 功率二极管 | IXGH40N60 | N沟道IGBT | D1N4148 | 开关二极管 | LM324 | 线性运算放大器 | MBD101 | 开关二极管 | LF411 | JFET输入极线性运算放大器 | Q2N2222 | NPN型BJT | uA741 | 线性运算放大器 | Q2N2907A | PNP型BJT | LM111 | 线性运算放大器 | Q2N3904 | NPN型BJT | IRF150 | N型功率MOSFET | Q2N3906 | PNP型BJT | IRF9140 | P型功率MOSFET : ^' u& g9 A# S, |8 Q
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