数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位体制ADC的设计与实现

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数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位体制ADC的设计与实现

1、引言

数字射频存储器（DRFM）具有对射频和微波信号的存储及再现能力，已发展成为现代电子战系统和仪器测试系统的重要组成部分。作为DRFM 的核心部分，超高速ADC，DAC 的性能直接决定了它处理模拟信号的能力。但是，由于半导体工艺及器件性能的限制，高采样率、高分辨率的ADC 及DAC 难以实现。由于相位数字化比传统的幅度数字化有多种优点，且采用相位量化可降低对上述电路的要求，所以含相位体制ADC 及DAC 的DRFM 系统得到广泛应用[1～4 ]。本文利用GaAs MESFET 全离子注入非自对准常规工艺设计了用于3bit 相位体制DRFM 系统的单片超高速相位体制ADC。测试结果表明，电路可在2GHz 时钟速率下完成采样、量化，达到1.2Gbp s 的输出码流速率，其瞬时带宽可达150MHz，具备±0.22LSB 的相位精度。

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