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IBIS与SPICE模型对比及电磁干扰简介!(转贴)

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alooha 该用户已被删除
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1#
发表于 2008-2-29 22:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2008-4-2 11:24 | 只看该作者
学习了

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3#
发表于 2008-4-3 09:43 | 只看该作者
原帖由 alooha 于 2008-2-29 22:03 发表
1 t. o% v; `0 H( h. g6 g什么是IBIS模型
; h  P, f3 J* c) ^IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对I/O BUFFER快速准确建模的方法,是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准,它提供一种标准的文件格式来记录如驱 ...
2 m6 M, C) ~+ C" Q$ E5 }

9 K" g/ G* m- G3 `文章里面有些地方讲的不合适。; P2 X9 b" q8 k: C0 g( e* s! B. }# H
IBIS的曲线包括VT和VI曲线,其中VI曲线描述 buffer的静态特性或者驱动能力特性,VT是描述动态能力或者翻转特性。VT曲线必须和VI曲线做correlation,通常是通过所谓的50欧姆工作点来保证VT和VI曲线一致。另外,还有一个很重要的参数是C-compensation,描述buffer的等效电容。
1 p, Y4 e% ^: X& ?- c. ^/ i1 T不同类型的buffer,IBIS有不同的VT和VI曲线个数。( U7 M6 D5 z9 a  F+ f+ J
比如对于Input buffer,仅仅只有VI曲线;
: C  m% R+ Q1 k) \/ W6 L8 I. ?/ q对于IO buffer,需要4条VI曲线和4条VT曲线;
6 n6 b3 Q; F+ l) [0 W6 n; u还有其他类型的比如open sink, open source等等曲线有相对应的曲线个数。

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4#
发表于 2009-8-18 09:43 | 只看该作者
dingding!

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5#
发表于 2009-9-14 14:03 | 只看该作者
Thank you

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6#
发表于 2009-10-30 19:36 | 只看该作者
谢谢楼主6 [* ~3 k- _# g" J9 M+ r
学习了

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7#
发表于 2009-12-29 12:50 | 只看该作者
Thanks very much

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8#
发表于 2010-8-23 16:38 | 只看该作者
学习~·
  • TA的每日心情
    开心
    2022-4-12 15:08
  • 签到天数: 40 天

    [LV.5]常住居民I

    9#
    发表于 2010-12-18 11:30 | 只看该作者

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2010-12-22 15:49 | 只看该作者
    学习了

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2011-2-24 10:18 | 只看该作者
    学习了!

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2011-3-16 22:37 | 只看该作者
    学习

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2011-3-21 14:02 | 只看该作者
    弱弱的问下,过冲和下冲是由什么引起的

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2011-3-25 13:43 | 只看该作者
    很详细,谢谢!

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2011-10-12 23:59 | 只看该作者
    学习了
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