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原帖由 alooha 于 2008-2-29 22:03 发表 ![]()
1 t. o% v; `0 H( h. g6 g什么是IBIS模型
; h P, f3 J* c) ^IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对I/O BUFFER快速准确建模的方法,是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准,它提供一种标准的文件格式来记录如驱 ... 2 m6 M, C) ~+ C" Q$ E5 }
9 K" g/ G* m- G3 `文章里面有些地方讲的不合适。; P2 X9 b" q8 k: C0 g( e* s! B. }# H
IBIS的曲线包括VT和VI曲线,其中VI曲线描述 buffer的静态特性或者驱动能力特性,VT是描述动态能力或者翻转特性。VT曲线必须和VI曲线做correlation,通常是通过所谓的50欧姆工作点来保证VT和VI曲线一致。另外,还有一个很重要的参数是C-compensation,描述buffer的等效电容。
1 p, Y4 e% ^: X& ?- c. ^/ i1 T不同类型的buffer,IBIS有不同的VT和VI曲线个数。( U7 M6 D5 z9 a F+ f+ J
比如对于Input buffer,仅仅只有VI曲线;
: C m% R+ Q1 k) \/ W6 L8 I. ?/ q对于IO buffer,需要4条VI曲线和4条VT曲线;
6 n6 b3 Q; F+ l) [0 W6 n; u还有其他类型的比如open sink, open source等等曲线有相对应的曲线个数。 |
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