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ESR ESL

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    [LV.1]初来乍到

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    ESR ESL
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    1 h% l& Y' ]5 D3 P) ]+ T! s2 v 什么是ESR?
    7 ]' [3 Y* j3 _; p) G  ESR,是Equivalent Series Resistance”等效串连电阻“三个单词的缩写。+ @9 E- q5 @# `1 I1 C% Y# y  {3 ^5 Q$ j
      电容器的主要技术指标有电容量、耐压值、耐温值。除了这三个主要指标外,其他指标中较重要的就是等效串联电阻(ESR)了。有的电容器上有一条金色的带状线,上面印有一个大大的空心字母“I”,它表示该电容属于LOWESR低损耗电容。有的电容还会标出ESR值(等效串联电阻),ESR越低,损耗越小,输出电流就越大,电容器的品质越高。
    ) c7 L7 b5 c$ S& B0 g$ R  理论上,电容自身不会产生任何能量损失,但因制造电容的材料有电阻,电容的绝缘介质有损耗,种种原因导致电容变得不“完美”。这个损耗在外部,表现为就像一个电阻跟电容串连在一起,称为Equivalent Series Resistance即“等效串连电阻”。ESR的出现导致电容的参数背离了原始值的定义。7 J+ f) F4 Y3 U' ^8 ^0 ~1 Z2 @
      比如,我们认为电容上面电压不能突变,当突然对电容施加一个电流,电容因为自身充电,电压会从0开始上升。但是有了ESR,电阻自身会产生一个压降,这就导致了电容器两端的电压会产生突变。无疑会降低电容的滤波效果,所以很多产品例如高质量的电源等都使用低ESR的电容器。
    2 o  v' N, b5 Q  同样的,在振荡电路等场合,ESR也会引起电路在功能上发生变化,引起电路失效甚至损坏等严重后果。/ e' ]! W. T/ {1 m
      所以在多数场合,低ESR的电容,往往比高ESR的有更好的表现。
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    6 `8 ]% q2 r) a9 g  ESR的要点7 N4 E0 v5 y2 q( O
      现在电子技术正朝着低电压高电流电路的设计方向发展,供应给元器件的电压呈现越来越低的趋势,但对功率的要求却丝毫没有降低。按P=UI的公式来计算,要获得同样的功率,电压降低了,那就必须得增大电流。例如INTEL、AMD的最新款CPU,电压均小于2V,和以前3、4V的电压相比低得多。但另一方面这些芯片由于晶体管和频率的激增,需求的功耗却是增大了许多,对电流的要求就越来越高了。例如两颗功率都是70W的CPU,前者电压是3.3V,后者电压是1.8V。那么,前者的电流I=P/U=70W/3.3V=21.2A;而后者的电流I=P/U=70W/1.8V=38.9A,将近是前者电流的两倍。在通过电容的电流越来越高的情况下,假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围,那么就会产生更高的纹波电压(理想的输出直流电压应该是一条水平线,而纹波电压则是水平线上的波峰和波谷),因此就促使工程师在设计时,要使用最小的ESR电容器。) I. b/ k; T+ z
      ESR值与纹波电压的关系可以用公式V=R(ESR)×I表示。这个公式中的V就表示纹波电压,而R表示电容的ESR,I表示电流。可以看到,当电流增大的时候,即使在ESR保持不变的情况下,纹波电压也会成倍提高,因此采用更低ESR值的电容是势在必行的。5 N+ w6 ?. Q7 F/ J! Y& Q0 P* [
      此外,即使是相同的纹波电压,对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言,0.2V纹波电压所占比例较小,不足以形成很大的影响,但是对于1.8V的CPU,同样是0.2V的纹波电压,其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。
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      ESR的应用
    : P' b" U1 V; O  在稳压电路中,有一定ESR的电容,在负载发生瞬变的时候,会立即产生波动而引发反馈电路动作,这个快速的响应,以牺牲一定的瞬态性能为代价,但获取了后续的快速调整能力,尤其是功率管的响应速度比较慢,并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。这时候,太低的ESR反而会降低整体性能。
    0 k; o/ T* b  M: \7 k: A  ESR是等效“串连”电阻,意味着,将两个电容串连,会增大这个数值,而并联则会减少。
    * V- N; o9 A: i( I  ]5 }* S  实际上,需要更低ESR的场合更多,而低ESR的大容量电容价格相对昂贵,所以很多开关电源采取的并联的策略,用多个ESR相对高的铝电解并联,形成一个低ESR的大容量电容。牺牲一定的PCB空间,换来器件成本的减少,很多时候都是划算的。其理论是电阻并联阻值降低。但若考虑电容接脚焊点的阻抗,以小并大,不见得一定会有收获,这一点在设计Debug时也需要注意。另外,电容也存在一个和电感类似的品质系数Q值,这个系数反比于ESR,并且和频率相关,也比较少使用。
    : }# W  ]5 t( P6 j1 \1 ^  由ESR引发的电路故障通常很难检测,而且ESR的影响也很容易在设计过程中被忽视。简单的做法是,在仿真的时候,如果无法选择电容的具体参数,可以尝试在电容上人为串连一个小电阻来模拟ESR的影响,通常的,钽电容的ESR通常都在100毫欧以下,而铝电解电容则高于这个数值,有些种类电容的ESR甚至会高达数欧姆。ESR的高低,与电容器的容量、电压、频率及温度都有关系,当额定电压固定时,容量愈大ESR愈低。同样当容量固定时,选用高的额定电压的品种也能降低ESR;故选用耐压高的电容确实有许多好处;低频时ESR高,高频时ESR低;高温也会造成ESR的升高。
    9 P  R: U# N- G4 W2 o7 m, v3 \: u8 w5 i' u1 f% `1 N
      什么是ESL?
    % ~$ I, A5 X* l" R& o  与ESR类似的另一个概念是ESL,是Equivalent Series Inductance 的缩写即“等效串联电感”。早期的卷制电感经常有很高的ESL。另外,容量越大的电容,ESL一般也越大。ESL经常会成为ESR的一部分,并且ESL会引起串联谐振等现象。但是相对电容量来说,ESL的比例很小,出现问题的机率很小,后来由于电容制作工艺的提高,现在已经逐渐忽略ESL,而把ESR作为除容量、耐压值、耐温值之外选用电容器的主要参考因素了。
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