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求大神指教一下DDR4 UDIMM走线规则,要取舍哪一个比较合适?

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1#
发表于 2019-1-23 17:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
下图一是Inter的guideline建议,建议一层走完的channelA的走线,但是由于上下空间比较拥挤,没有空间调整线距之间能达到3W
/ l; w% M9 U  h% L- x' k$ A- @. p# I6 \+ t7 w4 Y2 }) u
图二是实际走线,想把一部分的线移动到第三层走线(即图二粉色的线:一部分CAM和4组DATA),这样就可以达到线距在3W
8 l9 ]9 ~9 s8 `$ Z
% G; X4 r. q/ H4 l请大神帮忙看一下,是调整到同一层好点,还是不在同一层而线距能达到3W好点?感谢!/ X; h; f  \. M+ a
4 d2 v# d% }% A) M
* H; j4 q7 W3 y5 e

6 H4 e! q7 A# {7 E/ r3 l
8 Y' J: Q3 K) G5 e

图一.png (604.87 KB, 下载次数: 324)

图一

图一

图二.png (88.75 KB, 下载次数: 322)

图二.png
  • TA的每日心情
    开心
    2025-10-24 15:51
  • 签到天数: 1271 天

    [LV.10]以坛为家III

    2#
    发表于 2019-1-24 08:24 | 只看该作者
    大神~坐的高手回答!0 a3 X( N) f& G& D
    不过我觉得还是符合3W规则好点~可以减少串扰。

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2019-1-24 09:08 | 只看该作者
    頂一個, 等大神回應~
  • TA的每日心情
    开心
    2024-2-21 15:59
  • 签到天数: 313 天

    [LV.8]以坛为家I

    4#
    发表于 2019-1-24 09:24 | 只看该作者
    建议放到不同层去。
    ( O( e! f9 d, A% x8 v1、从信号质量来说,最好是放到不同层去,并拉开线距,降低串扰。' a/ Z$ I% Y) l7 \& A* p
    2、放到不同层去更容易达到Intel Guideline中有关于各组线长度的要求。
    5 h: y  `5 Q  Y  X7 G% v+ L9 v3、要注意保证放到不同层后,它们的参考层符合Intel Guideline要求。. n5 {) H$ R9 @4 u
    如果有条件的话,最好做一下仿真或请Intel验证一下。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-2-3 17:14 | 只看该作者
    等长同层是关键。不同层要最好层结构要相同。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:23
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    [LV.1]初来乍到

    11#
    发表于 2019-3-21 14:42 | 只看该作者
    放在同层好,因为表层和内层速度会有差异,信号通过同样长度的表层和内层走线所花费的时间不一样,Inter有的要求严的平台内层走线的长度是实际走线长度X一个系数
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:23
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    12#
    发表于 2019-3-21 15:01 | 只看该作者
    还有Inter的DDR间距有好多间距不是3W的,要按芯片资料要求来。
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