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阻抗匹配跟掏空?

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1#
发表于 2009-4-2 13:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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问个问题,一般USB的差分线的阻抗是90欧姆,DDR的差分线的阻抗是75欧姆,据说这个阻抗难做得到,也可以通过掏空的方法来达到要求,请问这个掏空是在所有层都掏空呢?还是只是在参考层呢?按照我的理解,应该是只要在参考层就可以啦,因为主要是把它的回流面积给放大了来达到目的的,不知道是不是这样子?另外还有一个问题,天线的阻抗一般是50欧姆,为什么也需要掏空呢?这个掏空的作用又是什么呢?

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2#
发表于 2009-4-2 13:32 | 只看该作者
也想知道
2 _" ]$ L% d; [& G) I请高手出来指点

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3#
发表于 2009-4-2 14:45 | 只看该作者
掏空实现阻抗控制???没听说过。9 q" H0 D- {. b% h
有见过的一些掏空操作,比如在RJ-45的变压器下面,这也是为了实现隔离。
; d; c* w1 g% e2 p; s
+ u6 \! `1 l/ f- s  Q: {0 b天线掏空?不了解

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4#
 楼主| 发表于 2009-4-2 15:21 | 只看该作者
不是天线,是DDR的时钟线。请再回答。

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5#
发表于 2009-4-2 15:46 | 只看该作者
DDR的时钟线是不可能被挖空的

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6#
发表于 2009-4-3 09:18 | 只看该作者
其实我们常用的差分线是可以有参考层,这样阻抗好控制,并且还有回流平面,所以不是很建议掏空。但是有的时候天线,变压器下面为什么掏空呢,主要是担心地平面对变压器和天线造成耦合,并且天线的设计阻抗控制是完全利用电感,电阻,电容在上面搭建网络,通过斯密斯原图原理来设计。

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7#
发表于 2009-4-3 14:10 | 只看该作者
(⊙v⊙)嗯,不错的知识!

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8#
发表于 2009-4-3 22:53 | 只看该作者
问个问题,一般USB的差分线的阻抗是90欧姆,DDR的差分线的阻抗是75欧姆,据说这个阻抗难做得到,也可以通过掏空的方法来达到要求,请问这个掏空是在所有层都掏空呢?还是只是在参考层呢?按照我的理解,应该是只要在 ...2 ]! L  c7 I+ V7 \' h/ c
fyq176017 发表于 2009-4-2 13:04
( D; a9 ^; S% N. G, {  v& D
差分线不建议用你所说的掏空操作:6 d4 X7 ?/ m5 w5 f" o( s
1、没有参考层阻抗不好控制: L, B( h5 V1 j. A
2、掏空信号的参考面或者其他回流路径,导致这部分差分线(微带或者带状线)完全成为共面带线,则边缘耦合增加,会极大的增加损耗。

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9#
发表于 2009-4-6 20:43 | 只看该作者
因为阻抗的大小与介质厚度和线宽有关系,而板厂能加工的最小线宽是有底限限制的,为了使线宽便于加工,有时需要调整介质厚度和介质材料.就有了掏空这种办法。常见于手机板这种密度比较大的板,一般的通讯产品,电子设备用得较少。

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10#
发表于 2011-8-22 23:28 | 只看该作者
大师们,太牛逼了

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11#
发表于 2011-8-24 11:45 | 只看该作者
楼主这个问题9楼正解,邻层掏空后,第三层即为走线的参考层;
! w. `9 }3 v# e另外对RF部分的掏空6楼说的对,一防止地平面耦合干扰RF器件或天线,另外还有9楼说的作用,增大走线的宽度,以利于板厂加工制造和增大走线对大功率信号的传输;

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12#
发表于 2011-8-24 17:29 | 只看该作者
那差分线把旁边的铺铜掏空有什么用???

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13#
发表于 2011-8-25 14:37 | 只看该作者
terryadsl 发表于 2011-8-24 17:29
. [' I* u, h, W, U- p: w4 I6 R  F7 v那差分线把旁边的铺铜掏空有什么用???

# P7 Z# A) |* z; w$ l铺铜离差分线太近的话,会改变差分线的阻抗

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14#
发表于 2011-11-8 15:57 | 只看该作者
学习了
3 t7 `: a) Z  E; T! F$ V% r

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15#
发表于 2011-11-8 20:08 | 只看该作者
tlmj206108 发表于 2009-4-6 20:43 ) U% z) |' R1 c+ H8 ]1 D  w, {
因为阻抗的大小与介质厚度和线宽有关系,而板厂能加工的最小线宽是有底限限制的,为了使线宽便于加工,有时需要 ...

8 C5 q- K* T" p- {7 u  K: C& ]感觉这种说法挺实际的,不过应该不只是这些吧?
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