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电磁兼容中电容C的应用旁路及去耦合 BYPASSING AND DECOUPLING 

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    发表于 2018-12-24 00:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    电磁兼容中电容C的旁路及去耦合  BYPASSING  AND  DECOUPLING
    5 ?5 x. n/ X, a2 Y" mBypassing及decoupling是防止RF能量由一电路转移至另一电路的手段,与之相关的有三种电路区域:power及ground planes,零件,内部电源连接。. t0 ]2 g8 W& G4 t, K
    * [! V$ f* ?& ^7 u. k& ?: H8 J
    从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分,另外还可以提供基带滤波功能(带宽受限)。 ) h; e) A5 u9 |2 Y+ m1 c: K

    2 i; p3 c3 s' u" t" i好的高频去耦电容可以去除高到1GHZ的高频成份。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。设计印刷线路板时,每个集成电路的电源,地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,提供和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能;另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容为0.1uf的去耦电容有5nH分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1uf,10uf电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频率噪声的效果要好一些。在电源进入印刷板的地方和一个1uf或10uf的去高频电容往往是有利的,即使是用电池供电的系统也需要这种电容。* v% A& T/ E7 _5 \% l* t& L
    ; z4 x; f) U, Z$ O! E9 U4 `
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