基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器

kinidrily · 发表于 2018-12-23 09:00

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基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器

TD-SCDMA(时分同步码分多址接入)是第三代移动通信三大主流标准之一，是我国具有自主知识产权的通信标准，它标志着中国在移动通信领域已经进入世界先进行列，目前，TD-SCDMA的商用化进程正在顺利地进行之中[1]。TD-SCDMA系统采用的是QPSK/8PSK调制，在高速的数据传输应用中，更是采用了如16QAM这样的调制方式。这些调制方式都属于非恒包络调制。由于调制信号在幅度和相位上都存在误差，用单纯的相位误差和频率误差已不足以反映信号的调制精度，于是引入了误差矢量幅度（EVM）指标来衡量传输信号的质量。在现代移动通信系统中，EVM是衡量射频功率放大器性能的重要指标之一[2-3]。在频分双工模式的移动通信系统中，由于收发信的频率是不同的，因此射频功率放大器与接收机同时处于工作状态，影响射频功率放大器EVM性能的主要因素是功率放大器的非线性特性以及传输信号的峰均比等。而在TD-SCDMA移动通信系统中，由于采用时分双工模式，收发信机不能同时工作，即用于发射信号的射频功率放大器根据系统要求分时工作[4]。除上述因素会影响射频功率放大器的EVM指标，本文通过对基于 Freescale 生产的LDMOS 晶体管MW6IC2240构成的射频功率放大器研究，以及建立相应的电路模型，主要研究了射频功率放大器的瞬态响应上升时间对其EVM性能的影响，根据仿真和测试结果，得到在TDD模式下影响射频功率放大器EVM性能的电路参数，提出了改进的TD-SCDMA射频功率放大器电路系统设计，其EVM性能接近频分双工模式下的性能。

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