EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法 开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:
. |. s/ u! X, W1 _& Z/ N& M/ ^+ B L; \0 |7 F
1MHZ以内以差模干扰为主( u/ j- I6 u! B$ F3 Y: E2 C" p
8 H( Z& q" u4 k 1.增大X电容量;
8 R' m, B [0 q. F3 [4 s; G5 v$ S* T* ~* u/ R0 O% ^: }# T/ z# ~) B
2.添加差模电感;& W2 m# m4 ]8 {
, l8 q* @/ [2 k$ j
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1 ?- q+ f* y9 w9 X4 x4 _6 {" l8 K) B+ w, v) Z
1MHZ5MHZ差模共模混合
* p$ s4 T/ i; _* ^8 e: P" z) I1 z6 b7 I
采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,) k3 q$ F& Q) l# X; n
7 {7 @1 R% @$ ]/ h 1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;. o: B5 j2 x# v1 W3 w- Y
9 O9 o" w/ w; {, E5 G8 g( l 2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;
+ C7 b% G7 R( c: N4 n1 \/ A; B% g
; @7 Y h; O6 L) L9 K 3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
0 i: R9 M- ^6 S* o
8 D9 ?7 F& A4 N& |8 D' a+ x5 K 5M以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。5 _) W0 s9 S0 Y3 F
# K: V7 q" j4 Q6 N: k2 r T" s' }
对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;
3 _+ Z9 g1 l1 y
+ f, Q: R; \+ S7 k 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.
7 O# ^% r$ ]6 q% K9 T4 b
% ~( s% }8 F2 |: u- \1 B& x 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
9 x$ n5 ^6 ?& C* {) z' i6 W' W' s6 \; w/ X. b: O: l; |( V
对于2030MHZ,. |5 ^% a: e9 Q
0 ^& a8 m% {0 _8 u
1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;4 X8 _; d8 w* \, N$ N' d
# d1 f" s6 c$ a7 O, n
2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;
! A2 Y! l' f" R1 V/ `% ?/ j/ j H3 a( S! s* Y; n! d
3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。
/ \: h0 |' Q! x8 M: Z- I
; F9 @* Q' a! J% H: ]8 U 4.改变PCBLAYOUT;
3 C& v( B3 `6 r) y) N: t
5 |# f: W9 u( _! i 5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;7 C* E: i7 G* H9 m
2 u' B+ }, F7 _5 A" k* f0 m
6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;
' s4 T$ ?- n3 w; q6 Y0 {1 i: Y; d# R, q1 I; H D6 P. h
7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE; `/ @1 d" z4 r* q; U$ x
9 l p: L" o3 n5 E# j 8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
3 D; W# r8 c# `! c! p6 T) E" I+ Y7 A; I! s) o9 m, H
9.可以用增大MOS驱动电阻.+ y& y X' K# O# Y& [% a$ L
4 d( a, n7 ~, }4 a$ u6 S! g h
3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起) @' v9 c9 A! F) T4 D# X
3 |+ K* F8 p* g) g# g7 O, c 1.可以用增大MOS驱动电阻;
' R6 t% H5 W8 W2 ?: `* s% c8 a. v+ M
4 l d; p+ I+ [+ F% s' p 2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;
7 C$ f/ q @4 J, d! D
% M# l7 b4 D: d( E 3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;
! m- ^. Y8 Q8 d* y/ U0 F5 g# P y, n$ S& E9 k$ x( A' r
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;4 {# e7 j0 }' e9 D8 O/ t3 ]0 f$ R
! N; ~* ~# W y# [$ ]: Y5 B
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;, K2 V z6 z. f( h7 c) Y6 p! i
. U8 ?) W q& w5 l3 J% p 6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;
( o' S2 x4 D$ `4 t8 C2 Q
; o Q% M2 I1 B: z8 r) P3 N 7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;
* K$ L5 V$ {3 `, ^2 H! m' H0 ]! n' c- w; |
8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;3 e4 [# S2 F' b8 Q
; r* s6 [) j: P: r) c6 o4 T% n7 Z 9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起# Y4 c Z }3 \& q3 ^6 ?
6 `' x. H) \3 J6 d) V2 ~1 }: `, i
1.可以在整流管上串磁珠;( Z! [! X2 m7 _) N* I$ B
0 |$ G c% u$ l5 U. ^, w 2.调整输出整流管的吸收电路参数;
9 L7 e! |& y5 m; E( u# _3 h5 H$ w- l; h
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻;! d" ~; _/ u% C; I6 j7 X, Z
5 f1 W9 y/ c Y% ` 4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。: N) I" O& C* {" d% w9 R. H6 G4 c
$ e% Y! J4 g; E. O/ O5 I5 K) u( Y- l
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.( j% M1 K0 {6 Q
: h, ` F" T- Z$ ]
200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准" c7 M- X: k, t+ ~6 c) `
6 k) y* `; z7 r+ q9 n" ^2 p& P0 j 补充说明:
) @* E, V! w3 @+ M/ t
" e3 X4 v$ A( {( Q 开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
7 I. E" T6 G" b5 j; ]* n9 S7 w5 X* v( d4 f# f4 `
开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
& r6 t. x) e- p) Z$ u4 {8 Y8 C
) E7 h) V F$ a( H4 z& M+ u 开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.
" |7 O5 E' u! s, A
8 L+ W6 e5 e! W; d& A# ]+ G 主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响. " i) H1 p# k/ q+ T7 @# Z
|