EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法 开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：2 m# E% `! \8 I4 b: D' \
4 V/ G; i0 K u 1MHZ以内以差模干扰为主( S+ [0 c1 v9 h5 d Q# P$ f) P
2 R3 L$ Y% v7 E) ~ 1.增大X电容量；
4 C/ c* x ?2 Y5 s1 _' l# Q' o
' }* q5 R' w# I% Y, z( o) c2 u% ?7 U 2.添加差模电感；: M: c7 p9 X3 @. O/ R$ z
" p" L) j1 A. B" t( G# F1 L 3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
3 z4 G2 w: a. M! X" |" N- ^0 M+ X, D, a4 {/ l& [
1MHZ5MHZ差模共模混合; u1 m; h' C1 m" Q) E9 r% k
. _% f8 y0 V8 p& \0 x8 |" w
采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
$ P0 s% q% x$ r- h- N4 X4 b! Q& K2 p% Z. a) e4 o
1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;
# I- v% n) P; t) O& [+ T- S; _; `7 c/ x1 C% D0 s
2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；- |; U- a) {2 Y* ^/ m
( A5 d- ?, H6 u k4 b
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
. [# r* F; p I- n- t- B+ ^7 B2 I+ @$ d8 w! ?9 y9 \9 \4 Z
5M以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
; B- w; P7 j- z, g7 i0 I% i9 L4 ^# _ q) v# ^7 W7 L" t& `! m0 J4 q
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;
& @9 a0 W: _ v( p4 w F H
& i8 q) o4 p: P3 T. p6 C2 P 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.* i- t/ l0 i9 ?$ a6 _* u* p
8 r0 a4 h/ [- n8 W
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。1 z$ p# X; t, N5 T/ E } Q7 |9 Z
1 Y$ c+ O5 f$ M, [7 @ [, B* U 对于2030MHZ，2 ~* a$ }7 w& X f2 \! {
' D. N% U, f4 x u, J M/ q; |
1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；& x4 B: h2 H( T/ G7 g1 X" ]
% e8 j9 P2 ~/ y 2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；
# i; p2 X2 a) A7 d" L3 e& K) O R2 n
3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。& n9 y( g$ Y5 `5 _/ _8 f
6 c$ ^* J3 n' B- B8 k
4.改变PCBLAYOUT；$ p) E$ Y. R) g( E ]) {4 o* g
h! d0 e2 o0 D4 g5 s( z
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
$ A. m2 ~& K, v9 J( d
$ y$ v; v- H' M9 \ 6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；; t) i- W, k% @) I' y4 l
- e/ _# M- k% X: ?, |, M5 w6 K! c 7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；/ x C, _+ Q( i8 b$ J7 P0 P
% B) K0 Z& M( T 8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。. [! W4 P M( F, _
2 Q+ L6 T3 Y; k- g% o8 p) m0 R+ Z
9.可以用增大MOS驱动电阻. a: d$ \8 K' z4 a3 Z
\2 N% H- p% i- T+ i
3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起
9 ~% ~6 ^. H$ c5 _7 C/ j- N! K
& c9 Z5 ]/ a3 s4 z0 m7 ~ 1.可以用增大MOS驱动电阻；
5 c5 Q5 J1 n, X- y, g8 {
8 \% U) ^7 L9 o* \6 m" ? F 2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
" k. S4 X, X- u+ j6 g/ L# V" l1 J1 O2 e1 U4 k: |' }+ ?# ?
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；* z4 H9 U$ T/ ?+ C, P$ b4 ]% C
" E( a [' t) A5 n8 K
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；& K7 K6 M3 F/ x7 o0 A) Y9 k
c6 Y. }" F3 b" M
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
8 X8 e& _1 _4 q4 k( I% O5 L& X! R9 Q, b
6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
* N1 D9 x$ ?. g# Y* r1 A
0 ]; F/ v, f( z, e 7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
$ g3 T9 l7 H# n. a! x8 }0 I2 C* B6 `# `- M2 U, y0 _7 K9 N" X
8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
% C) U# u: q3 m; ?) e6 s" f- ~! [! z7 F+ [6 b
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起! g2 ]/ H; C( u
* Q* c% }) e9 ^9 s" m
1.可以在整流管上串磁珠；
( i: {1 R. E0 M. `8 C. [
; n; q! M3 c* x. `+ |) h. j6 y 2.调整输出整流管的吸收电路参数；
; P c' k' f4 ^( Q( ]) z! @5 A) M$ w7 D& Y+ s3 v: Q1 C
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；
, W0 o5 f: I* H9 R
; \5 i3 e) H3 g1 R0 n 4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
$ F& U2 s' s1 T( W5 e4 V. A* q% Q, i: J+ u7 _/ P& x6 t. ~" n
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
% s; u2 p- a/ f5 e
+ d ?1 V2 j8 F0 j 200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准
% b4 s. P l) z" b0 I" u0 s) h! n/ b5 c" y4 s2 U% ~ |
补充说明:$ G( {* W/ w1 b9 Y4 ?# ^
; A( \$ t. [; @! H2 Q
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.: s) z) ?4 d* G
4 \' }; m: R1 k, K4 ^9 R" u
开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
& c7 {) o8 B3 ~ _" r8 Q6 v& i3 V% Z5 q; m
开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.
/ w. l2 W: R( U0 k; S+ ~# a4 o7 a7 G" H# C
主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响. ' U5 l* W5 ~# ?# h
| 
/1 
发表于 2018-12-18 13:27
收藏
淘帖
支持！
反对！