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开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法 开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:
2 H( n: `9 k/ r! n: N- ^. W
8 G( n: X& `$ Y% ]. k3 ^" ? 1MHZ以内以差模干扰为主
5 N( g- k! D- k, r( F$ _- G) i- n/ U( ]6 f" O K
1.增大X电容量;
, o( J5 G6 x4 [. @. K. S8 x3 g: y5 m9 F5 m1 L! q
2.添加差模电感;
+ {! X# S2 O5 ^; @' _7 Z S. D8 G6 M3 j9 g' q
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。7 K, G+ @4 k/ [
" F q0 _9 V2 a7 f9 X
1MHZ5MHZ差模共模混合8 }2 V& B/ d9 `4 E
0 x# t2 C4 j# h 采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,
" T. X0 k3 U8 q& T
( E! ~7 R0 u8 K 1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;+ Q0 a. J6 `, G# V8 u
0 O: H3 A, d- \$ ]+ B
2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;
6 p. s& \5 F0 O6 [; Y+ s. s7 g6 O; G9 N. W
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。2 H. I q. U7 r9 H( T
6 f7 _# e& @: v/ J: b 5M以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。2 r4 E; p- _3 f: W$ I1 a
- u. g% A! \. M' d. O4 X
对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;8 e% D, j6 o" ~ H2 i- S0 X) z ^+ P; U
5 m. c/ k7 T8 a
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.
4 A4 `/ U+ i$ o8 O* I9 e8 V6 c5 o0 k
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
/ o8 i# |- i- Y! Y; l% ?( [+ L9 j0 D0 z0 H# ?
对于2030MHZ,( {/ o) ?5 `0 c: z! i$ i* x/ q
( P- V) A$ t5 ~1 V; S5 R; \
1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;, M" ]1 S3 ?. E; |6 G
' f& p8 t3 r1 N4 n5 f- Z 2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;
/ `; @: U$ @4 B
9 v* b, j3 G; I7 l: r 3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。
* m8 Y z' |* s
1 k6 n$ e9 |% w5 `5 I 4.改变PCBLAYOUT;
3 L8 e) F2 m8 M! Z& O6 W, `7 J# k# t) b
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;
+ y2 ^- f) u% d6 d
& r) g( c: N! e( O 6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;/ [% k: j* d4 P* \. Y4 h0 C. y
' y9 d1 V3 d/ Y2 |; `; [
7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;6 W7 j0 Q* z9 k+ l2 v) c- U; z
7 K+ q! D# u5 i6 h0 H8 C 8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
+ y6 |" U" M1 Y0 f J# U, A0 ]' U. y0 u3 z" z2 D' O
9.可以用增大MOS驱动电阻.
' P$ }9 A1 A# o; `6 B- ]( }: E4 k9 @2 R8 d
3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起
7 b) l' t5 k1 p: b/ N( W, O
h9 }5 f- y+ G+ K" ? 1.可以用增大MOS驱动电阻;
1 D- |. T. r- f5 [1 s* B0 F% T2 H9 G+ q) W' h; \9 U. s
2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;) h& q& T1 Z6 W8 x6 _+ C: F+ ^
; V' P' r( h! o9 Y' Z
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;# d/ K( f, |& K) E& c
9 `/ @/ Z1 j* I% s3 f6 O8 k
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;9 Q* \0 E3 g9 W/ [0 ~6 ] b
2 G' H$ G0 ]1 C6 h `4 H 5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;
; G8 p! ~% s! @5 s0 b) J$ R1 {+ ~
" B I1 L3 }- ~. P# `$ ~ 6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;
! |, Y1 W( n" a; C% r/ L9 ~( v: k- N$ H1 j
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;
1 f& b+ V! c7 S& J4 p* X5 o' Q0 U2 J+ t5 S6 f4 W) v
8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;. l6 N. a M7 U" ~
' Q7 ~' ?* o/ w# i6 k
9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起
1 } _* {, E0 R$ Y3 a# k l4 v; ]5 j! L* r9 k
1.可以在整流管上串磁珠;
. [8 S+ L1 ?. {6 {8 g5 v L/ I" N4 F% U0 z& a) @. L9 E
2.调整输出整流管的吸收电路参数;
, p; k2 P! q% z4 m# R1 P- {
) n. V1 ]6 H( x" ] 3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻;
* n' u1 ^2 O; V7 P/ m
* H3 f4 b/ m' h. k) H: O H" l 4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。+ m) W; F5 r; a+ j1 O
* ^* u8 F& W& _( p( }9 U/ v
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
4 M6 b+ d2 V# Q2 p8 l3 k9 X) H; q
# z, B% M9 i: Y* ~ 200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准
# U& X# a* i1 a# y6 O
0 Q! r; k) Q" E5 C7 j& p 补充说明:
0 U; _' b# w5 t6 P/ Z5 K0 [* N' e4 s& G! p6 K x4 U- t0 l: B- D) @ g
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
6 K3 p/ E& l' y: Q2 w6 s5 A3 o* V, I4 R+ k) _ x. s
开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
) V" O2 D( G M" ~1 S! b
$ k5 ?0 F3 ?6 |! h- z 开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.
$ @7 h1 [7 C+ g% s' g
4 |7 W/ C7 W; N5 b 主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.
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