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开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法 开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:
0 {: a& @# E' B5 m0 Z3 f8 f! B& q1 t; _5 Y
1MHZ以内以差模干扰为主
( G9 e" `# i5 t0 K- u) I5 b' `, R
* Z/ D) S% g8 t j0 y 1.增大X电容量;( f, V L4 L$ b6 b9 N- C# b) b* j
% n ?& n0 Q% Z r
2.添加差模电感;2 v! c% @! n6 E6 y* X# D
/ y( ?) C' R' V, T
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1 ?3 b0 i2 a* b d$ Q0 H6 V+ q' Q/ t
1MHZ5MHZ差模共模混合- Z/ H4 Z) t3 `; c
: j0 j4 d4 W& J! w+ l 采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决, T6 U, i: I9 g3 J& K$ C0 ^' i
1 O% o9 J3 l. d( m! W
1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;
" L+ B+ x4 [7 I- K
4 A$ Z5 d* E: @- s; | 2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;7 x+ u1 a& V+ @8 K5 o J
4 q; k/ S7 Y# g q* b! \6 t( I
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。* z2 u1 Y* j" L! k
* r. `$ O: l- f- R& w) Q$ O4 t
5M以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。
4 m$ x9 z# e' k0 \& ]1 B
! F' o9 E: [1 l* J) X! \; E$ J 对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;
+ q! K4 `# y2 |2 f: Y: u+ ~2 d) x! e4 W& v* ?; O
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.
2 C0 c- Z+ {0 Z& m1 t
6 O a" X# y2 S& k2 M i 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
) Y- L) s. k0 m
- h2 Z9 a8 ?4 J 对于2030MHZ,5 y+ W( P, Q) F J o O
( F/ H0 I& Q1 U+ F9 S 1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;
, x2 C; B6 Y2 O- e4 D; u
/ O% n) U( O& x3 e 2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;
+ u* l9 u4 j$ {6 n; c, T9 y/ _2 P; {) L E
3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。- `+ C* m9 a7 k N$ b
4 I4 a2 O& o4 X
4.改变PCBLAYOUT;
- t7 h% U8 V) z" ~% L B- x$ m& J# b8 D0 }
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感; h, f# b% I) \8 ?3 b! Q6 n
% z8 ?) v X, F6 o
6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;
0 p) ?1 M, ?/ }5 E4 b! R0 S' ?4 R% Q! _7 w) w! l3 G5 Y7 A. o! `8 e
7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;3 W# P0 e4 X- Q- I7 {
3 G7 i. ?( ^& x
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
! {, f5 o2 m! X V1 L. f9 p) h! l
5 l, `3 m1 F7 V2 L 9.可以用增大MOS驱动电阻., b" ?; |7 V; U9 C a' j
. ]" {8 e4 P8 p3 v7 Y3 c/ c
3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起) @. D6 D0 N$ h4 F
4 P( {( g6 r# b# [ 1.可以用增大MOS驱动电阻;
2 F& ]( D( f& H0 Q2 [6 m& b; `- t! K, ~8 p1 U8 ]& C, d
2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;
' u- @, c p( h) Z6 F4 J+ c# }' o( f; `4 x
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;4 V8 m0 v" s6 ?, e3 V
6 |$ L- a8 z+ N& n 4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
5 U& C. F3 z% ~9 B0 h
^/ C$ y2 n7 y& M 5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;5 ?0 I* p4 W8 a
9 M4 l/ ~. l. x2 F 6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;
9 R% S- T: s( z% O# G
& @9 y/ N5 i0 w; i* r1 } 7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;# J5 v% ^* Z, y- S! k
5 A( C9 J5 n$ k, W+ z
8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;
) Z* O# N, b: \- q9 x
* ]* s7 P; M* S- _. E 9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起
9 P/ n% V& w4 n6 ~
4 x4 {+ F; n+ W% L; h, c. j8 E 1.可以在整流管上串磁珠;7 p/ y2 W5 k7 }, A; W5 x6 ~7 l
" C+ w% N$ n0 f6 d- n' R! |
2.调整输出整流管的吸收电路参数;
8 V6 v/ J& ^; V! x+ @% X9 i8 `! g
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻;
3 }' u% e' a H- H; m, [4 A
3 ^! G9 j7 a# V/ Q! w5 R: E3 \' [ 4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。* O/ t& l i. c+ x6 U
' C0 v* w; b9 @9 @ 5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
; Q+ X' ^! w) h8 ^9 S/ _! c7 U/ r# f2 b. N: \7 e ]1 i, R: U
200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准7 ]8 z) C! R# \' ?1 y6 |- c
3 S) P6 Y& v- z# M
补充说明:
, O C3 b; O. [* D6 m4 v2 M8 Q# |% i
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.( R9 q( A. c. e
/ j3 R7 c& y. E+ j# x% f
开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
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2 `9 \1 L6 P" P: k6 ? 开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.
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主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响. 7 k4 D$ J4 L4 T X
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