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开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法 开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：
: v7 `; O9 S" t h8 j! w# [( b" n+ \" j
1MHZ以内以差模干扰为主! K! t u& G! D
, k( u+ Q4 w" w- L0 A4 k' x" n# R9 o 1.增大X电容量；
" z+ B4 h4 W* h- w, A1 U
* ]. v6 Q% }) d+ Q 2.添加差模电感；
# I% O( r+ \( m9 |# d1 Z8 S* d* V" I' G
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。; h( V' l) d5 X1 N4 I! N6 T
: u. i5 i: h1 w) N) C! h$ A a
1MHZ5MHZ差模共模混合
) J" m9 r9 M; d* t9 a" G( S9 [# C
采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
" a ] S. W' c0 z! \: `4 p; n9 g$ C& @. F& {
1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;# `$ L: W- }2 Y1 u' f3 n
8 W Z- {, F0 w! G, b0 z 2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
7 T, f: C [4 K. e; M5 b) _! r, ], C% ~+ g3 u- W9 {
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。3 m9 b* ~+ T6 b. m
$ q9 y$ A! a1 Z' Y" a% Z4 R/ D o, a
5M以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。! {4 H! J( j- B
' I5 j" E( B ?8 X/ n 对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;, G' x4 v' K% _" R, C) V
6 Q1 u+ m9 t% F* K
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.
3 f. V# X& U0 ^; z/ K' [9 g: I* t h# I( K6 W8 N' J
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。( O( h0 u- B E; X b, @
, a5 J* u+ H% B
对于2030MHZ，8 X& |% }8 A# Q5 K# f$ o
. D, a/ _6 B1 K: K& O+ k 1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；) C3 F/ l, U4 s5 b y
* A- e8 @) `5 Y( u. U0 O 2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；. o( D1 g: J% S: z3 ^8 u/ c8 r
. q% `4 ^* q6 T/ ^
3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。; \$ h$ _; [' y4 O2 [
7 n! N5 n- b6 E 4.改变PCBLAYOUT；5 Q, s$ n; O$ n+ E# {
% g2 K7 i9 v L$ w% ~) S$ {
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；' J- h8 |% S% u- Z
5 ]; t7 U; F0 S4 l- K v 6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
' N, \" C5 o" h# X4 T, `1 X2 i1 a0 a" W4 K
7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
6 V6 ?! f- X( q$ }- ?% E( {+ Y+ k
9 k1 J3 a6 L* @+ X6 Z* A9 r 8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
- \1 p0 I# c% x1 I
# N! C4 t' I2 u2 j' j 9.可以用增大MOS驱动电阻.- ~9 a: U3 W$ [4 a2 A
2 n4 U @! p* i( f: X
3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起2 p+ B" B' H# a
. ]1 {6 k( V0 q, z! Q' E$ H+ c
1.可以用增大MOS驱动电阻；
( y" R* c5 M) G- _
5 E- B; W1 E, ?, ^# y5 ?* G 2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
. q* ]! `7 q3 L5 B9 T3 a6 K
$ \" a/ b! l: L. ^( I- E/ i- b 3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；
8 R( a9 c2 {) A! ~
* K, M+ E w- [: ?5 U, m 4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
( d! q- L$ o0 _* L ^3 g1 ~. l- e2 f6 y0 ~ k8 G* t
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
+ M- I# z3 d4 b* `7 [2 h0 r: U" F, P. N" ^3 d% P
6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
0 p7 l1 k L# i8 X- S0 C) y; R5 L6 ]5 H R4 {- c5 m
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
t. a; I& C) j; c8 a% _, t4 Y7 H" j: Q# i
8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
! ^* @; k& N- x' P/ A- A; U5 z3 n- Q i* T6 X
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起 n& [) i9 `1 e- i: `; J
7 e& V1 ^* p2 @9 U z7 ~# B# I" Q7 l 1.可以在整流管上串磁珠；
0 w2 T4 Z, _: B9 g. i5 @3 [7 l- a/ A. W X4 s8 ^0 [
2.调整输出整流管的吸收电路参数；
# p; I" U( i) t( d$ f
5 u: n( ] [+ B# O) X8 P 3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；
' I/ w6 E* l$ ^0 [( b: K
' ~) _% Z& E: Y% }* F 4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。' |7 n9 l: O7 O% b* j3 m3 D! d
1 Z5 B( q, ?9 U6 q {7 o 5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射., j, ]& W( ~% W# g8 R
) l# S+ ?+ t! X% Y' q- u 200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准
5 W0 h) b: O' I! G5 Z ^5 R' z7 T. p2 t1 Q, N; q5 q
补充说明:# T8 r J- T6 I8 b5 g
; `7 g7 L" n2 B! D! ~& | 开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
2 T9 E& t* E" C
$ \+ {! X4 q# q/ F! Y! r; o* T% v( p 开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.& e [1 D' f$ {7 `
. V5 P6 k4 [% P6 h5 a- r5 u5 O 开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.: u+ W& M2 [# b( Y) N
) |) o2 W8 m5 h& P5 \6 Z
主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.
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发表于 2018-12-18 13:27
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