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开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法 开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:
1 x5 G' i3 ^1 Y# G! Q+ z8 {* f6 b
+ D% s3 x/ m4 d* J) Y4 Q% f 1MHZ以内以差模干扰为主5 ?2 G: v3 G/ G0 m/ V3 y
7 P c/ b5 u7 H% G
1.增大X电容量;
2 \$ a0 K! d: L; x) k$ k8 `/ I# A- V( e0 X
2.添加差模电感;
$ J6 O7 `, R/ M/ [0 p0 u7 U9 r0 J$ Z7 v" [, V
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。* A! u+ w+ |, T9 u: d8 z
- V/ ^+ e) ?/ u& a% m 1MHZ5MHZ差模共模混合
' e' L" b4 t! S: k1 x2 w# i, I% u$ e0 S- M
采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,
( X( s4 ~6 V/ z& n$ P8 {( j# J& U0 g' Y; {
1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;
+ t) T' P0 q. N9 z$ ~+ F
/ i- h! z M% a( X0 G& D 2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;" p9 _% s; b9 }: k. u
7 F; `& ^8 w/ J: O( {! f" @
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。/ ]+ }2 k: B- v$ b8 i+ P' y
0 h& K; ]* h0 q# `+ }( v
5M以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。2 h! r4 t% H; Q8 U0 t) G: t L
1 T" v' [& [; h 对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;
* P7 M) }4 b4 \" ?3 o* R* y$ T6 M# o# `0 ~* ^
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.
0 _* @$ k! n4 z
" e# e: r0 L- g1 @; N* ~ 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。% F: d' W1 \& v" x3 {3 _- [2 ~
$ }1 g" h- h' l' P/ m 对于2030MHZ,) k( i) j& y; S6 u7 V2 C! H$ A
% X; t! @$ [- P- j F 1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;
4 V& F! P- Y% i, {8 i) _0 R9 \: x
2 X7 z+ |6 {5 @5 Z 2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;+ x7 e& \8 L8 y1 l: J, H
t- m- C' E: j7 h/ a% e+ y
3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。6 c1 D! W2 J" d o& a( O6 ~5 |3 g: K
2 T% P$ P! p$ a6 K
4.改变PCBLAYOUT;
$ F! F' P* f/ X% q
1 C( T, ?% T- q8 a; X& m U 5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;
1 Y# j; x2 w7 V* H$ J
! e# K# e. ~% h6 J/ Z5 _; ? 6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;
$ F$ k4 I7 b) H+ _$ ~- u
. T6 Q% t4 }+ ?( [9 k6 d 7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;
# O1 H% V& e t) @4 q. \- X+ i3 z
, g6 W: J2 `. A: u9 h7 c9 R 8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
/ u! `" A. z' N! Q% c" I, E! x$ `8 L, V% `
9.可以用增大MOS驱动电阻.# Q, `/ X4 m, F/ o
- e O. w& w1 l: |; n
3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起
) _7 j3 o2 k& Y7 s' L$ ~" C' w% m" D( G) @
1.可以用增大MOS驱动电阻;! h; ~; D2 I& ~ u. ~2 e
% C% |& W% \6 F. F3 Y9 v3 r* E5 Y% M
2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;
' W! n% ^3 i" \" F/ n7 ?
# L" |, a C% t5 B6 l$ M 3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;
+ a. ~. J& f3 i: P0 `( L. ~7 g R7 d8 P: X7 |5 C
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;6 u! C1 Z( ?4 g, b1 i
/ K2 S* t2 i _/ [ v5 z2 S( S
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;7 C: C$ J9 ~. L, ~+ u: C2 M
. Z/ D1 a3 Z/ J
6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;
6 X# L; B. V; g( L* v
8 I+ W+ [" J. W% H8 W/ E. V2 a 7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;
; L A9 c# \' l( \; M7 ^; K9 l3 O' s. W, }; u2 B
8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;
% {, K: @3 i/ w" ~3 x4 H) ~* x0 l! e6 N! V3 W
9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起) e9 x# m1 a+ R- z+ |0 Y( d" q- m
\- P c1 D+ Y# a1 Q5 v 1.可以在整流管上串磁珠;
. r. }5 t& C {* C/ X
7 A! o8 {4 X, t: Q. \) c& { 2.调整输出整流管的吸收电路参数;
6 R0 T& d# [, W& t( j- l1 A+ k, n1 S
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻;
5 Z ?; D x& K! ~9 M' D! {
% P8 w7 W0 x5 Q% [ 4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。+ a9 h) ^, e# }. {" Y
; {8 [) d8 y" g. Y& l
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
) k; C9 r; M2 p2 f! }2 ^3 X9 I B( } |# U
200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准
3 M, U+ a4 D$ U. N* }! p6 {$ b9 P+ p; _& V
补充说明:3 ~ H, E2 P- \- y1 z
& |0 B6 |' S) p4 a! x 开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
0 D# g* ^3 m5 a6 W3 D0 Y
4 t0 h' Q$ n. }4 n; Z" f# v 开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
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开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.& Y+ H' Q. ^; B( u7 F
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主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响. " M$ ~5 P9 {, G' ?
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