开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

Diabloa

开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

       开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：
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+ D% s3 x/ m4 d* J) Y4 Q% f　　1MHZ以内以差模干扰为主

　　1.增大X电容量；
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　　2.添加差模电感；
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　　3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

- V/ ^+ e) ?/ u& a% m　　1MHZ5MHZ差模共模混合
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　　采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
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　　1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;
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/ i- h! z  M% a( X0 G& D　　2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；

　　3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。

　　5M以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。

1 T" v' [& [; h　　对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;
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　　可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.
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" e# e: r0 L- g1 @; N* ~　　处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

$ }1 g" h- h' l' P/ m　　对于2030MHZ，

% X; t! @$ [- P- j  F　　1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；
4 V& F! P- Y% i, {8 i) _0 R9 \: x
2 X7 z+ |6 {5 @5 Z　　2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；

　　3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

　　4.改变PCBLAYOUT；
$ F! F' P* f/ X% q
1 C( T, ?% T- q8 a; X& m  U　　5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
1 Y# j; x2 w7 V* H$ J
! e# K# e. ~% h6 J/ Z5 _; ?　　6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
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. T6 Q% t4 }+ ?( [9 k6 d　　7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
# O1 H% V& e  t) @4 q. \- X+ i3 z
, g6 W: J2 `. A: u9 h7 c9 R　　8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
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　　9.可以用增大MOS驱动电阻.

　　3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起
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　　1.可以用增大MOS驱动电阻；

　　2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
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# L" |, a  C% t5 B6 l$ M　　3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；
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　　4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

　　5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；

　　6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
6 X# L; B. V; g( L* v
8 I+ W+ [" J. W% H8 W/ E. V2 a　　7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
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　　8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
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　　9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起

  \- P  c1 D+ Y# a1 Q5 v　　1.可以在整流管上串磁珠；
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7 A! o8 {4 X, t: Q. \) c& {　　2.调整输出整流管的吸收电路参数；
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　　3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；
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% P8 w7 W0 x5 Q% [　　4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。

　　5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
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　　200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准
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　　补充说明:

& |0 B6 |' S) p4 a! x　　开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
0 D# g* ^3 m5 a6 W3 D0 Y
4 t0 h' Q$ n. }4 n; Z" f# v　　开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
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　　开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.

　　主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.

Demyar

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wu68aq

谢谢分享

haiyun0921

看看，学习了！