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开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

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发表于 2018-12-18 13:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法
       开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:
0 {: a& @# E' B5 m0 Z3 f8 f! B& q1 t; _5 Y
  1MHZ以内以差模干扰为主
( G9 e" `# i5 t0 K- u) I5 b' `, R
* Z/ D) S% g8 t  j0 y  1.增大X电容量;( f, V  L4 L$ b6 b9 N- C# b) b* j
% n  ?& n0 Q% Z  r
  2.添加差模电感;2 v! c% @! n6 E6 y* X# D
/ y( ?) C' R' V, T
  3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1 ?3 b0 i2 a* b  d$ Q0 H6 V+ q' Q/ t
  1MHZ5MHZ差模共模混合- Z/ H4 Z) t3 `; c

: j0 j4 d4 W& J! w+ l  采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,  T6 U, i: I9 g3 J& K$ C0 ^' i
1 O% o9 J3 l. d( m! W
  1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;
" L+ B+ x4 [7 I- K
4 A$ Z5 d* E: @- s; |  2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;7 x+ u1 a& V+ @8 K5 o  J
4 q; k/ S7 Y# g  q* b! \6 t( I
  3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。* z2 u1 Y* j" L! k
* r. `$ O: l- f- R& w) Q$ O4 t
  5M以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。
4 m$ x9 z# e' k0 \& ]1 B
! F' o9 E: [1 l* J) X! \; E$ J  对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;
+ q! K4 `# y2 |2 f: Y: u+ ~2 d) x! e4 W& v* ?; O
  可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.
2 C0 c- Z+ {0 Z& m1 t
6 O  a" X# y2 S& k2 M  i  处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
) Y- L) s. k0 m
- h2 Z9 a8 ?4 J  对于2030MHZ,5 y+ W( P, Q) F  J  o  O

( F/ H0 I& Q1 U+ F9 S  1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;
, x2 C; B6 Y2 O- e4 D; u
/ O% n) U( O& x3 e  2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;
+ u* l9 u4 j$ {6 n; c, T9 y/ _2 P; {) L  E
  3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。- `+ C* m9 a7 k  N$ b
4 I4 a2 O& o4 X
  4.改变PCBLAYOUT;
- t7 h% U8 V) z" ~% L  B- x$ m& J# b8 D0 }
  5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;  h, f# b% I) \8 ?3 b! Q6 n
% z8 ?) v  X, F6 o
  6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;
0 p) ?1 M, ?/ }5 E4 b! R0 S' ?4 R% Q! _7 w) w! l3 G5 Y7 A. o! `8 e
  7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;3 W# P0 e4 X- Q- I7 {
3 G7 i. ?( ^& x
  8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
! {, f5 o2 m! X  V1 L. f9 p) h! l
5 l, `3 m1 F7 V2 L  9.可以用增大MOS驱动电阻., b" ?; |7 V; U9 C  a' j
. ]" {8 e4 P8 p3 v7 Y3 c/ c
  3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起) @. D6 D0 N$ h4 F

4 P( {( g6 r# b# [  1.可以用增大MOS驱动电阻;
2 F& ]( D( f& H0 Q2 [6 m& b; `- t! K, ~8 p1 U8 ]& C, d
  2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;
' u- @, c  p( h) Z6 F4 J+ c# }' o( f; `4 x
  3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;4 V8 m0 v" s6 ?, e3 V

6 |$ L- a8 z+ N& n  4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
5 U& C. F3 z% ~9 B0 h
  ^/ C$ y2 n7 y& M  5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;5 ?0 I* p4 W8 a

9 M4 l/ ~. l. x2 F  6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;
9 R% S- T: s( z% O# G
& @9 y/ N5 i0 w; i* r1 }  7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;# J5 v% ^* Z, y- S! k
5 A( C9 J5 n$ k, W+ z
  8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;
) Z* O# N, b: \- q9 x
* ]* s7 P; M* S- _. E  9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起
9 P/ n% V& w4 n6 ~
4 x4 {+ F; n+ W% L; h, c. j8 E  1.可以在整流管上串磁珠;7 p/ y2 W5 k7 }, A; W5 x6 ~7 l
" C+ w% N$ n0 f6 d- n' R! |
  2.调整输出整流管的吸收电路参数;
8 V6 v/ J& ^; V! x+ @% X9 i8 `! g
  3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻;
3 }' u% e' a  H- H; m, [4 A
3 ^! G9 j7 a# V/ Q! w5 R: E3 \' [  4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。* O/ t& l  i. c+ x6 U

' C0 v* w; b9 @9 @  5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
; Q+ X' ^! w) h8 ^9 S/ _! c7 U/ r# f2 b. N: \7 e  ]1 i, R: U
  200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准7 ]8 z) C! R# \' ?1 y6 |- c
3 S) P6 Y& v- z# M
  补充说明:
, O  C3 b; O. [* D6 m4 v2 M8 Q# |% i
  开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.( R9 q( A. c. e
/ j3 R7 c& y. E+ j# x% f
  开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
% h  p: R3 Y2 d5 U" r9 c
2 `9 \1 L6 P" P: k6 ?  开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.
! Y5 {2 K# A) \# V* n* J% g- R* ^  ^( {3 f4 t+ \
  主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.
7 k4 D$ J4 L4 T  X

该用户从未签到

2#
发表于 2018-12-18 13:54 | 只看该作者
感谢楼主分享

该用户从未签到

4#
发表于 2019-7-29 14:17 | 只看该作者
看看,学习了!
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