开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

Diabloa

开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

       开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：
2 H( n: `9 k/ r! n: N- ^. W
8 G( n: X& `$ Y% ]. k3 ^" ?　　1MHZ以内以差模干扰为主
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　　1.增大X电容量；
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　　2.添加差模电感；
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　　3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

　　1MHZ5MHZ差模共模混合

0 x# t2 C4 j# h　　采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
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( E! ~7 R0 u8 K　　1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;

　　2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
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　　3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。

6 f7 _# e& @: v/ J: b　　5M以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。

　　对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;

　　可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.
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　　处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
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　　对于2030MHZ，

　　1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；

' f& p8 t3 r1 N4 n5 f- Z　　2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；
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9 v* b, j3 G; I7 l: r　　3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
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1 k6 n$ e9 |% w5 `5 I　　4.改变PCBLAYOUT；
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　　5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
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& r) g( c: N! e( O　　6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；

　　7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；

7 K+ q! D# u5 i6 h0 H8 C　　8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
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　　9.可以用增大MOS驱动电阻.
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　　3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起
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  h9 }5 f- y+ G+ K" ?　　1.可以用增大MOS驱动电阻；
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　　2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；

　　3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；

　　4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

2 G' H$ G0 ]1 C6 h  `4 H　　5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
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" B  I1 L3 }- ~. P# `$ ~　　6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
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　　7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
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　　8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；

　　9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起
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　　1.可以在整流管上串磁珠；
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　　2.调整输出整流管的吸收电路参数；
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) n. V1 ]6 H( x" ]　　3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；
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* H3 f4 b/ m' h. k) H: O  H" l　　4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。

　　5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
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# z, B% M9 i: Y* ~　　200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准
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0 Q! r; k) Q" E5 C7 j& p　　补充说明:
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　　开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
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　　开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
) V" O2 D( G  M" ~1 S! b
$ k5 ?0 F3 ?6 |! h- z　　开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.
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4 |7 W/ C7 W; N5 b　　主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.

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Demyar

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wu68aq

谢谢分享

haiyun0921

看看，学习了！