找回密码
 注册
查看: 466|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2018-12-18 01:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计

摘要:提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor,横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点,被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比,已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。

随着IC集成度的提高及器件特征尺寸的减小,栅氧化层厚度越来越薄,其栅的耐压能力显著下降,击穿电压是射频LDMOS器件可靠性的一个重要参数,它不仅决定了其输出功率,还决定了器件的耐压能力,因此必须要采取措施以提高器件的击穿电压。

本文将在基本LDMOS的基础上,通过器件结构的改进来提高LDMOS的抗击穿能力。

游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复



您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-5-29 05:04 , Processed in 0.093750 second(s), 23 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表