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包含热模型的新型MOSFET Pspice模型摘要: 功率转换器的功率密度越来越高，发热问题越来越严重，这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战。因而热问题的优化设计和验证变得比大功率器件的电模型更加重要，本文提出一种新的PSPICE模型，可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。本文提出的模型中所需要的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍MOSFET的一种新的PSPICE 等效热模型，这个模型提供发热和电气参数之间的动态关系。这里提出的模型建立了与许可的热环境的关系，例如，栅极驱动电路、负载、以及散热器的分析与优化设计。可以利用这个模型来改善散热器的设计。由於决定功率损耗的参数参差不齐，与生产制造有关，受生产制造的影响很大，因而散热器的设计往往由於无法预先知道功率损耗而无法进行。
6 R! G3 [/ V6 L& ^7 J- X 1. 引言
6 K3 u* B% m( r+ P0 O 散热器在计算时会出现误差，一般说来主要原因是很难精确地预先知道功率损耗，每只器件的参数参差不齐，并不是一样的，而且在芯片上各处的温度也是不同的。结果是，安全的裕度可能离开最优值很远。现在出现了很多功能很强的模拟仿真工具，因此有可能在预测功率损耗和热设计的校核方面做一些改进。然而，为了确保长期可靠性，运用复杂的限流技术可以更进一步地把最高结温（或者最大功率损耗）维持在一个预定的数值以下。 动态负载变化所引的任何热响应的改变都可以直接地进行测量，并且用闭路控制的方法来修正。 2. 热阻; w* ?, T7 K9 N' o
发散出去的功率Pd 决定於导热性能，热量流动的面积以及温度梯度，如下式所示： Pd=K*An•dT/dx (2.1)
/ v9 b* ?+ O4 S7 J% x9 ?- G9 i, \* ] 式中 An 是垂直於热量流动方向的面积，K 是热导，而T是温度。可是这个公式并没有甚麽用处，因为面积An 的数值我们并不知道。对於一只半导体器件，散发出去的功率可以用下式表示：* }* i I: p1 D& |; |2 J7 f
Pd=?T/Rth (2.2)5 ^! f9 m2 N" ?# j& \3 ]7 v% o' z2 V
以及 Rth = ?T/ Pd (2.3)
1 l" o+ J- Q1 _ o z. w 其中?T 是从半导体结至外壳的温度增量，Pd 是功率损耗，而Rth 是稳态热阻。芯片温度的升高可以用式(2.2) 所示的散热特性来确定。考虑到热阻与时间两者之间的关系，我们可以得到下面的公式：
4 ~8 x/ ?/ Q( a- j8 T( E& x7 s Zth(t)= Rth•[1-exp(-t/t )] (2.4)
2 n s+ r6 N2 y8 P 其中(是所讨论器件的半导体结至外壳之间的散热时间常数，我们也认为 "Pd" 是在脉冲出现期间的散发出去的功率。那麽，我们可以得到：3 t6 N. }0 ?' M, c% \1 A0 p
?T(t)=Pd• Zth(t) (2.5)
* t7 C8 f" L3 z7 d8 l 如果 Pd 不是常数，那麽温度的瞬态平均值可以近似地用下式表示：* K- n/ F F' v) z5 _! G t! h, m. L/ p
?T(t)=Pavg(t) •Zth(t) (2.6)% ~: b, R+ I. K' l
其中Pavg(t) 是散发出去的平均功率。作这个假定是合情合理的，因为瞬态过程的延续时间比散热时间常数短。由於一只MOSFET的散热时间常数为100ms的数量级，所以一般这并不成其为问题。热阻可以由产品使用说明书上得到，它一般是用“单脉冲作用下的有效瞬态过程的热阻曲线”来表示。 ![]()
: l8 }2 g1 U) F+ R5 t9 t1 c* p p1 u
图 1 Zth(t) 瞬态热阻
9 \3 Y; N. t$ @7 B( i* W9 ^* s | 
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发表于 2018-11-15 13:32
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