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楼主: steven
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PCB设计之光学基准点!

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该用户从未签到

16#
发表于 2008-6-23 17:44 | 只看该作者
细节决定成败啊

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17#
发表于 2008-6-29 13:01 | 只看该作者
Original posted by Bery at 2008-6-17 16:51 2 ^7 Y7 m- W$ U; t' E: a% u
8100/ y" J5 F) \) O3 i
基准点不是以通孔形式出现的吗?那么这里要说双面放置?如果只是一个点,可以不可以就丝印顶层和丝印底层一个2D属性的圆点呢?这样不占布线空间。拼板一定要放基准点吗?而且一定要放三个?8101: W+ ?+ J: p* L/ B8 t
像这个板,做 ...
( ]( C" f! j! r
: K( D/ ?# S2 G, P8 P
板子上可以不加, 在工艺边上加也一样

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18#
发表于 2008-6-29 17:50 | 只看该作者
如果是真正批量生产的板子,并且要上贴片线的,光学基准点(Mark)点是必不可少的。# K5 ?8 Z( `% q5 {+ @' u; g8 U
具体的MARK点位置各个贴片厂家和专业公司各不相同,最好先咨询一下。不过通常以下几点是共识:
8 a  A( |+ n$ W$ t9 ^) z% W' V1、整个板子的mark点。
+ i2 ?4 f4 x2 S6 @: ^2、大型贴片器件的局部mark点。
6 h3 l" X& u$ V, E3、工艺边上的MARK点5 g& D  W! S. I3 l  F% ^' [
4、mark点中心的铜直径不能小于1mm。
7 c* ]% D$ H1 b5 X" k$ \5、阻焊开窗直径不能小于3mm。

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19#
发表于 2008-6-29 18:14 | 只看该作者
为什么不能放置在丝印层而必须在阻焊上开窗呢,这是为了增强MARK点铜点与周围无阻焊时的反射差异。
" z9 u3 ]' V: V! K+ U8 A: }因为没有阻焊所以周围直径3mm区域基本无光反射,而铜点的反射比较强,这样光的反射差异比较强。

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20#
发表于 2008-9-24 10:50 | 只看该作者
有道理

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21#
发表于 2008-9-26 18:05 | 只看该作者

a

华为工艺规范上面的,楼主怎么弄出来了?

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22#
发表于 2008-9-27 10:09 | 只看该作者
学习了!

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23#
发表于 2008-9-27 17:14 | 只看该作者
俺来看看,哈哈,学学

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24#
发表于 2008-9-27 18:03 | 只看该作者
我的方法是用焊盘修改的  把顶面或者底面外径40MIL  钻孔改为0,把内层都改为0,不知道对不对啊

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25#
发表于 2008-9-28 11:38 | 只看该作者
我们只要求在板子的对角处各放一个光学点,两个就够了, ~' m8 G1 f! Y
摆放位置一定要涵盖所有的SMD作业元件,光学点中心半径1.5MM内不能有任何感光物

该用户从未签到

26#
发表于 2008-12-2 14:15 | 只看该作者

回复 1# 的帖子

图B 中为什么a>5mm, b>c+6mm ?" ]& Y0 n% _5 `* w
我看到有关资料说工艺边留5--8mm,那怎么能保证a还能大于5mm呢?% s: q: o) P: B- _. }9 T
b不可以等于c吗?
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-17 15:08
  • 签到天数: 16 天

    [LV.4]偶尔看看III

    27#
    发表于 2011-10-19 17:51 | 只看该作者
    这个必须顶!
  • TA的每日心情

    2024-8-4 15:31
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    28#
    发表于 2015-12-20 15:16 | 只看该作者
    没见过SMT生产,板框是摄像头参考点

    该用户从未签到

    29#
    发表于 2015-12-28 13:52 | 只看该作者
    细节决定成败啊

    该用户从未签到

    30#
    发表于 2016-1-10 10:40 | 只看该作者
    mengzhuhao 发表于 2008-1-6 00:11
    8 [4 h" _8 |2 }0 N; r, S+ N  Z3 _基准点是不是大概位置到芯片对角线就ok?不一定觉得的对角线吧?是不是就在沿着对角线方向大概放置了就好了?
    7 I! @# P+ b) R7 ^- J2 T: g4 s ...
    . E5 q5 E7 }( q1 q, r# b% S
    放两个角上就可以,不用严格对角线放置
    7 A9 S1 |) ?- h0 O9 p/ D
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