FLASH被异常改写的问题分享

stm32f103zet6

stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样
/ Y' m1 X8 t: ~) c' P7 K它们的共同点：
1，统一排地址：但地址不一样
* j7 p3 }7 c# l; d4 {" P5 U" ~2，编程方法和的函数一样
1，先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
- L0 J% ?+ {' q/ f3 @" X* m2，Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32)；写
& m; e3 [4 n; \5 r( \& ^; m其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32)；
! h/ }3 L, n$ M, n8 [% w( y3，HAL_FLASH_Lock();锁住写
& X4 E) T( D$ [# [- `3，擦出方法和函数一样
$ c- f% j1 f+ Q; jHAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
% l3 a" U( ~/ w' J4，读方法和函数一样
) h5 g9 ~( s; e* g+ b. e, b/ XRead_eeprom_int32(uint16_t addr)
0 W' q0 }7 u* }$ I) V8 B不同点：
/ w( B' T7 I( ~" ^/ W* b地址不一样：
3 I, L- b& p+ _4 QEEPROM：0x08080000开始的2K字节
% a7 k0 m) [( wFLASH： 0x08000000开始的空间（大小型号决定）， 其中你想用的FLASH空间。

cat12620

楼主说的很对