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深圳某公司高级layout工程师面试题目,看看你会几题。

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发表于 2014-5-29 15:58 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 jimmy 于 2014-7-3 09:35 编辑
9 X$ A- b4 G4 h! S* S* D9 u: E6 k9 R8 Y
4 j0 f* z* H  l+ r, v# ^! P深圳某公司高级layout工程师面试题目,看看你会几题。% z; n  a6 m# V( ?; j

4 H# S1 D- w7 ~6 ]( e6 x+ c是拉线工人,还是布线工程师,还是PCB高级工程师,看看你们平时的积累如何。
; W. n* r9 C$ d8 Q3 ^0 @& \$ @& A! J! n. {
(回复超过100页公布标准答案)6 {5 E0 j  i2 ?. `
( n: x7 Z; _0 w) F$ d' }
1,PCB上的阻抗怎么控制?
( w/ Y# Q. b: i0 t) o) E, K" k6 y+ l8 g; B& ~
2,信号线的传输速率是多少?/ G) Q- `7 a3 u$ t& z* W. O

/ }  t, e+ M3 K, u3,CMOS器件输入管脚在电路中要如何处理?为什么?3 j0 K6 x, T4 y
( m" R" l) A6 m; ^. e& V/ ^
4,TTL电路不能直接驱动CMOS电路的原因是什么?
# {  o9 Y4 @; s$ C7 K
: _/ V% p3 P1 Q+ j+ Z5,较长的时钟信号要走带状线的原因是什么?
6 o. b) X& c& N! }* k. W; f0 D, u3 ]8 |& `/ U6 c2 S
6,四片DDR2顶底对贴布局需要注意哪些方面?试讲出其中六点。( M) s6 m$ Q- F% y% K0 D$ _& X

% L% V* r1 l$ {* J8 M7,ODT信号有什么作用?layout应如何处理?5 J. P4 o  ~% W4 j6 A( V

8 k& w. q& O/ _  m/ m8,VTT和VREF是否能共用?为什么?8 [( R( V8 V$ k$ `" F* U, |

! U  ~! U9 M: d8 s3 d9,DDR3的最高工作频率是多少?
3 ]& `/ O2 Y  |9 S# w, |- b* ?2 _" `( t* Z! l
10,多片DDR3为什么优先走fly-by拓扑?6 q5 ?' C/ w+ t8 v3 [1 c  |
) n( V0 K. u' ]2 s
***********************************************
6 V! N+ U$ m5 f2 P1 `% v1 c+ I
, k0 Z! u) C/ V5 q$ r2 k/ I“PCB设计师职业规划与思考”  
* J. t& q, ^. X3 W$ W2 K0 a2 F( L; }- F+ t, E

$ V( f7 k5 ^) |0 K5 b6 m* F1 N1 F6 I( H; \! z' n, |" @
***********************************************
' A3 ]( u" }- B
( b. t  Z. X; c  \) P  U1 n2 z! o关于答案,敬请关注5月31日的EDA365培训活动系列~
9 p" s; @. O& A: J0 K1 U& _. f% r# s6 T4 `9 N
或回复超过100页将公布标准答案!
! a& v- Q" q& M% A- C  b* v( Z9 v
. O6 D; C8 A' \! u' y1 q***********************************************

评分

参与人数 2贡献 +10 收起 理由
shenzhiwu333 + 5 JIMMY老大,在网上给大家培训一下呗,线下.
sikixu + 5 很给力!

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发表于 2014-5-29 17:21 | 只看该作者
我就根据自己的认识来做一下
3 k8 `7 H6 k+ A7 W' ~; l, @1 PCB的阻抗怎么控制9 U, p$ b, }& F7 o9 n! G0 i. Z
  跟阻抗有关的参数有:铜箔的厚度,走线的宽度,板子的介电参数,参考层的高度,如果是共面波模型还跟参考面的间距有关系。控制阻抗就要确保这些精度。另外在制造或者其他的因素下造成的阻抗不连续,可以使用串接电阻来吸收反射。
/ T( ]6 d% H+ v' n0 P# c" z( n! b5 L0 b5 v
2 信号线的传输速率是多少?
& v- ~1 |  _4 C2 j   这个不知道考的啥?我知道信号的传输速度是接近光速。不同的信号,传输的速率是不一样的。
4 R- {8 K- C2 |
1 q2 a# N# B. f/ o" I3 CMOS器件输入管脚在电路中要如何处理?为什么?( S; L/ ?) s9 p) T/ j; }8 p4 Q
   需要在输入管脚串电阻或者并联电容,因为CMOS的输入端阻抗很高,对静电很敏感
2 H5 s! b3 s2 q& o( i
  m/ G) Y5 ]& Q( R4 z' z' `8 }4 TTL电路不能直接驱动CMOS电路的原因是什么?4 `6 E' G) I7 H% L" x5 i: Z& y; C
   电压不匹配,TTL的H>=2.4V,L=<0.4V    CMOS的H>=0.8*VCC,L<=0.1*VCC# T3 I8 [( n0 |2 \! H2 @
! p$ l4 X& o, J  B+ @" o
5 较长的时钟信号要走带状线的原因是什么?  j4 a: Y3 D* N0 c
   带状线指两边都有参考平面的传输线,这个是定义。周期性的时钟线具有很强的辐射能力,当走线长了之后,更容易辐射。所以走成带状线那么可以减少辐射。
  Z6 U7 G9 {. L# ~9 A$ d) W% M9 K8 a0 f+ K" U  c0 y
6  四片DDR2顶底对贴布局需要注意哪些方面?试讲出其中六点。0 r% Z7 N8 g3 A2 G
    没有弄过,不敢发表意见。
# r- i9 L" a% r# S* J) S+ c6 U2 H9 S
: k( ]9 C5 R: D3 k% j7 G7  ODT信号有什么作用?layout应如何处理?
( |# x4 O& W( O! s* t6 v$ ], O  |    ODT信号用来开启ODT功能,主IC的是输出,DDR2的是输入。由于是控制线,跟其他的控制线等长。
' k  K" F$ J2 `
$ h% B- q1 \* t# |( `9 j8  VTT和VREF是否能共用?为什么?8 W$ }! e. U0 `% R
    不能,电流大小不一样。两个电压都是一样,但是VTT是给终结电阻供电的,电流比较大,干扰也比较大。而VREF是给参考电压用的,电流很小,电压的精度要求高。最好分开。$ i9 D% Y, M  z! I5 d% k2 I& B

# H  |9 N" E# ]3 [. I6 A1 Z剩下两个都不知道。4 I; i4 H. f. T( P% t, r. n! E
   
% Z! g8 y/ h/ x$ E9 r
- F) e5 c8 T) G7 D$ M/ U3 [" Y6 V8 p
2 h3 j1 l- w* c8 K9 V' y1 i   3 y$ D9 m$ [: j" e( u, w
, a1 j$ O1 }' Q) j% T! y
. L& j9 [; ?* c' T9 K8 G: {  u

点评

支持!: 5.0
厉害,很无私  详情 回复 发表于 2015-3-2 15:13
真心好厉害。。。。而且很热情回帖!!!  发表于 2014-12-5 09:58
支持!: 5
真厉害!!  发表于 2014-8-22 13:46

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发表于 2014-12-19 14:52 | 只看该作者
1,pcb上的阻抗怎么控制?
- f9 Q6 k- z. ?2 Q3 j" nSI9000计算一次就全知道,楼上的基本都正确,还需要考虑微带线的表面绿油和是否包地。
4 }& y. w7 w( r+ V) k2,信号线的传输速率是多少?5 X. O+ w2 }4 N5 F
公式: Er^0.5*光速。
* c1 S+ W! t* Y3,CMOS器件输入管脚在电路中要如何处理?为什么?8 ?0 `6 Y$ ]& Y  t4 q' V
接上拉或者下拉电阻,输入高阻,同时需要旁路电容。注意栓锁问题和静电防护。
4 `9 n# B' t* I" D( h" g+ P4,TTL电路不能直接驱动CMOS电路的原因是什么?
; }2 r! x5 b; W, z8 ?TTL跟CMOS定义高低电平不同,其容错能力不同。另外,TTL是固定的高低阈值,CMOS根据VCC的不同,高低阈值不同。/ Q% Q5 r; N  F
5,较长的时钟信号要走带状线的原因是什么?
$ E: j! B8 h3 O  t主要是EMI,CLK信号是强干扰源。正解是源端预留滤波电路,然后直接过孔走带状线。
$ d. \0 y& z) b" [' i+ ]6,四片DDR2顶底对贴布局需要注意哪些方面?试讲出其中六点。 0 O/ M& o- B% M3 N9 h; }
首先拓扑形式:改良性T形走线。中间要T点,两两菊花链,对称+ e1 R/ G  `; s& I3 x) e& M1 o" r! b
末端匹配靠近两两中间的T点,时钟匹配靠近DDR* E% ]5 x8 _0 C- z
两两的STUB等长,公用部分要大于分支,最好能2倍以上。1 F* [( `, s0 k
其实最好走菊花链和FLY-BY,但是和SOC厂商沟通,很多SOC在对DDR的读写的时候不支持FLY-BY模式。* ^* L$ \4 K0 c! X

% K( J: s8 Y8 ?& _, ?9 d. j' A( Y7,ODT信号有什么作用?layout应如何处理?
$ A# K. H0 C: N- @ODT:1,相当于一个末端匹配  2,给数据线数据传输的时候提供瞬间电流(这里的电流分正负) 3,减少DV、DT的大小,从而达到调整内存颗粒的CL等参数。等长,尽量短。1 n/ ?* Q% n3 s5 R, ]# s' Y) A
8,VTT和VREF是否能共用?为什么?# `$ `0 ]( _- j" |" ~. Q6 r1 {  k
不可以。VTT是上拉电源,在DDR读写数据的时候,其瞬间电流的突变严重从而导致VTT上有很大的纹波。        而VREF是电子开关的参考电平,要求相当高,尽量做到1%的误差。所以要远离。并有隔离器件。/ \4 G  h2 l% h, ^2 Y4 E
9,DDR3的最高工作频率是多少?
3 \9 Y: r# ?9 V# y    3G。这玩意是一直突破的。车载很少超过1033,PAD等很少超过1600,只有那种台式内存条会做到很高。
9 [6 |. J& o2 \10,多片DDR3为什么优先走fly-by拓扑?5 A' f. e, q' G. [2 p  J* [
这个需要从FLY-BY的拓扑定义上来:FLY-BY首先STUB很短,很多甚至是在焊盘上直接打孔,保证其信号的阻抗、分支长度、外部干扰的一致性;然后能保证同一DDR上所有地址、时钟、控制信号线都能做到严格等长,所有信号的延迟都一致;最后只有FLY-BY的拓扑形式才能挂到8片DDR。" @5 G, `  z2 J

* S, R2 I0 r/ J' ^3 M- Q' a, S; h& L- ]. _0 t
这东西不是单纯的PCB工程师了,很多都需要根据SI和PI的知识。我的回答也只能代表自身的一些理解,很多也只是一知半解,涉及的东西太多了。
' x+ [1 h! {9 Z6 F6 b" D( ^同时请大神指正。

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发表于 2014-5-29 18:57 | 只看该作者
尝试着答一答。
  j# d; ]. _0 P% L- X# S1,pcb上的阻抗怎么控制?0 c: j' A: h' `) m' i
阻抗受很多因素影响,单端线受线宽、介电参数、叠层厚度影响(我们一般给制版厂算,然后我们遵守),差分还受线距影响。9 @* O7 P' V6 `0 k3 N0 e
2,信号线的传输速率是多少?
' Y8 m3 s0 F8 {# S* l9 q* E9 Z) x; X我们一般估计是6inch/ns 。但是不同介电常数的速度不一样、微带线比带状线快。
4 f: ~4 v9 E4 \4 F" s3,CMOS器件输入管脚在电路中要如何处理?为什么?
+ G7 r/ S0 X" \! E* h8 a我印象中好像没有专门因为是CMOS器件而作处理。输入处理主要考虑电平标准和信号边缘。
  j6 l" ^$ L4 M1 v4,TTL电路不能直接驱动CMOS电路的原因是什么?
5 a% J9 [, m) g基本没用过TTL电平的器件。8楼说电平标准不一样,但是CMOS也有不同的电平标准。接信号前还是得确认输入电压电流是否正确。6 N1 ?- \! L! i$ I4 I3 ?
5,较长的时钟信号要走带状线的原因是什么?7 l, x" E9 |5 }, F
除8楼的原因外,我觉得应该还有时钟是重要敏感信号,怕外部干扰。另外近期刚看到,带状线的远端串扰近似为0(《信号完整性揭秘-于博士SI设计手记》于争)。我想这也是个优势。
2 E4 c+ ?4 v! m! V! q6,四片DDR2顶底对贴布局需要注意哪些方面?试讲出其中六点。
; D4 r; j. h1 @2 T0 \没有布过。只布过单层的。" y5 Q" n6 O4 f
7,ODT信号有什么作用?layout应如何处理?)6 f+ _# ?; c& k! M$ J5 \" m
片上端接选择。在双向数据线中用(个人理解因为是双向,所以有时候需要端接有时候不需要)。
' m/ Q; r0 h" m. G5 Nlayout要求如8楼。( B! i0 s& O! B* v; v
8,VTT和VREF是否能共用?为什么?3 o, c2 i' o2 G$ Z8 \
不能共用,VREF是参考电压,VTT是端接电压。VTT电压在内存操作的过程中会有很大噪声。& F! D" }( E- K7 |
9,DDR3的最高工作频率是多少?
4 n7 {2 Y6 J0 T5 v4 I9 _0 Q2000MHz(百度百科)
; ^, L* H& S) g6 `10,多片DDR3为什么优先走fly-by拓扑?
0 S$ v- x' |" \  K4 Zfly-by如菊花链,减少分叉长度。个人理解分支很短的话类似集总线了。前面的芯片对后面的芯片影响小(肯定还是有影响的),后面的芯片对前面的影响大。" v# X) x5 G3 z1 q

# v# Q5 n$ z* p; B8 k" {  R1 z2 \. E有不对的话请版主赐教。

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2#
发表于 2014-5-29 16:06 | 只看该作者
看了以后就知道自己该做啥了

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3#
发表于 2014-5-29 16:32 | 只看该作者
顶一下先,还真没一道题会。看来路途遥远啊

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4#
发表于 2014-5-29 16:43 | 只看该作者
坐等大师讲解

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6#
发表于 2014-5-29 17:10 | 只看该作者
都有那么点印象,学过,只有两三题解释得下来。。。面墙查答案去。。。

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7#
发表于 2014-5-29 17:16 | 只看该作者
坐等正确答案

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9#
发表于 2014-5-29 17:23 | 只看该作者
哎,楼上的能答得这样感觉都好厉害了。

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10#
发表于 2014-5-29 18:10 | 只看该作者
顶8楼的,添加一下,( B* q4 F1 Y) [* m8 C# p6 c- f+ J
2,信号速率V=11.8/Er^0.5 inch/ns,Er是板材相对介电常数,11.8inch/ns是电磁波在真空中传输速率
  ?* y0 a  ?' P7 `; L$ J# n3.补充就是CMOS输入管脚阻抗高,管脚对外界干扰信号敏感,一般上拉接电源或下拉接地。; }+ }( N; A3 _
9 .DDR3最高工作频率1600Mhz  }0 X) J2 d' F! O: ~
10,还是等大师来精确解答

该用户从未签到

11#
发表于 2014-5-29 18:14 | 只看该作者
对于第8题,一般电路中即使两个不同电源电压相同,但是也不直接共用的,相互之间易干扰,对系统稳定性也容易造成影响

该用户从未签到

12#
发表于 2014-5-29 18:52 | 只看该作者
论坛里果然高手如云

该用户从未签到

14#
发表于 2014-5-29 21:22 | 只看该作者
学习了         

该用户从未签到

15#
发表于 2014-5-29 22:21 | 只看该作者
学习了,不错
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