SDRAM 扇出问题

sunpeng7801567

      大家帮我看一下，这些整齐的过孔是怎么做出来的，先是打两排过孔，做对齐后再拉出导线吗？还是自动扇出的？

dingoboy

手动扇出，养成设置大格点的习惯就OK了,12.5或者25的格点，打孔打到格点上。

sunpeng7801567

dingoboy 发表于 2013-9-24 15:31
4 N, x4 P, g& b1 I. G; S3 i! m* ]手动扇出，养成设置大格点的习惯就OK了,12.5或者25的格点，打孔打到格点上。

" \5 W, p# S, Y/ N" z  ~  B1 G应该是先拉出线来，再打孔吧 不拉线的话，via打不出来呀？

dingoboy

所谓的扇出，就是从焊盘拉一段线、打孔的操作。

sunpeng7801567

哦，明白了 ,谢谢呀

sunpeng7801567

dingoboy 发表于 2013-9-24 17:02
, H$ A2 y5 ~" |& E7 B所谓的扇出，就是从焊盘拉一段线、打孔的操作。

1 q% c  `4 t: B: C 还有一个问题，外层差分阻抗共面地模型在什么情况下使用，它跟外层差分阻抗模型区别是什么？现在画板子都很喜欢大面积的覆铜，信号层也是这样，比如说一个四层板，L1、L4为信号层，L2为GND，L3为VCC，布完线后L1、L4会大面积的覆铜，然后会打许多的地孔。L1、L4上走100欧姆的差分阻抗线，我想问我是用Edge-coupled Coated Microstrip 1B（外层差分阻抗模型）模型还是用Diff Coated Coplanar Stirps with Ground 1B模型（外层共面差分阻抗）呢？个人觉得通过大面积铺地应该是属于共面的阻抗，期待回复……

dingoboy

如果你只参考平面层去做阻抗计算，算不出你想要的阻抗值时，可以考虑用共面阻抗的模型。两种模型没什么太大区别，具体用哪种取决于你的线宽、线间距、介质厚度等等参数能否计算出你想要的阻抗值。
& N3 W; k2 M9 b! y3 n: z- |& t通常共面阻抗模型在双面板用的比较多，因为双面板通常很难保证有一层完整的参考平面。
1 \# U/ l* P5 k" O2 D* \) X至于表底层大面积铺地，这种处理是好的，但是注意铺地要离走线距离尽量大于25mil。因为铺地离走线25mil以上，就对走线的阻抗影响非常非常小了。当然前提是你的走线离内层参考平面距离较近。
. Y3 @8 k0 L7 L6 b) K, D建议自己在si9000软件里模拟一下，在共面阻抗模型下，你先把共面的铺地跟走线的距离设置为8mil，然后逐渐增大，观察一下阻抗值的变化，应该可以大概得到一个规律。
以上是我个人看法，仅供参考。

sunpeng7801567

dingoboy 发表于 2013-9-24 17:34
如果你只参考平面层去做阻抗计算，算不出你想要的阻抗值时，可以考虑用共面阻抗的模型。两种模型没什么太大 ...

$ K1 r5 Z7 B+ L* i2 B- _; v- F好的，谢谢你，我试试

EDADQP

什么都是手动 fanout 好.