PDN仿真时，提取Z阻抗过程中，如何处理串联电感/磁珠的问题

yzzsjc088 · 发表于 2023-12-4 15:31

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本帖最后由 yzzsjc088 于 2023-12-4 16:33 编辑

请教各位大神，在进行PI仿真时，电源芯片输出电压端口到mcu端电压输入端口串联电感/电感的情况下，有如下疑问：

1、针对VCC_1V2_MCU进行PDN阻抗仿真，是否应将VCC_1V2及其并联的电容，串联的电感L的影响考虑在内？
2、若考虑电感L的影响，使用siwave进行仿真，只能针对单个net进行PDN阻抗提取，目前提取的Z阻抗对应的net是VCC_1V2_MCU，那么电感该作如何处理，才能提取从VCC_1V2经电感到VCC_1V2_MCU整体Z阻抗。
谢谢

EagleJi · 发表于 2023-12-4 17:24

蹲个楼，共同学习一下。

hhh虎次郎 · 发表于 2023-12-5 10:54

这么大的电感，不需要考虑进去；

dydhsnn · 发表于 2023-12-5 11:17

一起学习一起学习一起学习

yzzsjc088 · 发表于 2023-12-5 13:16

hhh虎次郎发表于 2023-12-5 10:54
$ a3 X; t6 E; G/ F7 W这么大的电感，不需要考虑进去；

你好，那如果换磁珠呢，又如何考虑，再比如串联零欧姆电阻。
重点是中间有串联的无源器件时，两边的net名称不一样，SIwave如何提取整体的Z阻抗，谢谢

bbbaiye · 发表于 2023-12-5 15:08

Good question~

mggimg · 发表于 2023-12-6 11:31

你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

yzzsjc088 · 发表于 2023-12-6 13:09

本帖最后由 yzzsjc088 于 2023-12-6 13:10 编辑

mggimg 发表于 2023-12-6 11:31
; w6 O( B/ w, H" d- b你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
另外我在siwave软件里面把这个串联器件设置deactive，得到的Z阻抗曲线也没变化。
因为port端口是以net名称来建立，而电源网络被串联器件隔断了，两边net名称不一样，感觉应该有地方需要设置一下两边的net，才能提取整体的阻抗。

mggimg · 发表于 2023-12-6 17:15

yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
: [/ ^# R: s: g3 p无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。% ]) ?" u, `- V$ v. R
另外我在siwave软 ...

说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响

mggimg · 发表于 2023-12-6 17:22

yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:097 o: z, T& U% a9 _* o
无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
4 N) |# `0 f2 o) v% r- Y( b另外我在siwave软 ...

你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

yzzsjc088 · 发表于 2023-12-6 22:29

mggimg 发表于 2023-12-6 17:150 R3 U( p5 E3 A' Q6 [2 S% Y1 {
说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响

不可能一点影响也没有吧，即使影响再小，Z阻抗曲线不至于完全重合。
而且重点是SIwave软件里面，建port口是以net名为依据，对于串联器件两端不同的net，siwave提取阻抗时候如何识别为一个整体？
从结果来看，更像是没有把串联器件两端的net识别为一个整体区提取阻抗，所以才导致前端的电容对结果没有影响

ximencuocuo0517 · 发表于 2023-12-20 08:34

本帖最后由 ximencuocuo0517 于 2023-12-20 16:01 编辑

给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁珠两端网络建成1个group

yzzsjc088 · 发表于 2023-12-22 16:45

mggimg 发表于 2023-12-6 17:22$ u! B* @( L3 E! x; ?4 x
你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

对于1MHz-100MHz区间的Z阻抗没有区别，对kHz低频级别的Z阻抗曲线有点不一样，还是有有点区别，谢谢！

yzzsjc088 · 发表于 2023-12-22 16:46

ximencuocuo0517 发表于 2023-12-20 08:34
6 v4 s* H# O$ Z& R给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁 ...

你好，这种模式相当于把磁珠两端net名当一个来考虑，不能给磁珠赋S参数模型。我之前不太明白的是我以用电IC芯片与磁珠相连的net建port，然后直接给磁珠赋S参数模型，SIwave计算Z阻抗，会不会直接把磁珠视作串联器?会不会磁珠前面的电容也考虑进去? 看楼上那位朋友回复的建议处理，好像直接给串联器件赋S参数模型，SIwave会把串联器件之前的电容考虑进去。
谢谢