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[EMC小知识] 建议收藏:预防和整改EMI的22个总结!|深圳比创达EMC(上)

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     楼主| 发表于 2023-9-7 11:34 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 Heaven_1 于 2023-9-7 20:08 编辑
    4 A( Z; }# W8 a
    8 a5 H* ]# c+ D8 y
    建议收藏:预防和整改EMI的22个总结?(上)相信不少人是有疑问的,今天深圳市比创达电子科技有限公司就跟大家解答一下!

    ( O+ n- W4 L4 h# q" q. S
    ! ^+ n, J" L+ ~8 _: i) y
    作为工作于开关状态的能量转换装置,开关电源的电压、电流变化率很高,产生的干扰强度较大;干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器,相对于数字电路干扰源的位置较为清楚;开关频率不高(从几十千赫和数兆赫兹),主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰。
    而印刷线路板(PCB)走线通常采用手工布线,具有更大的随意性,这增加了PCB分布参数的提取和近场干扰估计的难度。
    $ x5 C) I) s4 T9 G: D, |( J
    9 H( E' k* x) F) W3 Z1 E  \
    a、1MHz以内
    以差模干扰为主,增大X电容就可解决。
    b、1MHz~5MHz
    差模共模混合,采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决。
    c、5MHz~10MHz
    以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。
    d、10MHz~25MHz
    对于外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHz以上干扰有较大的衰减。
    e、25~30MHz
    可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变 PCB的LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈,在输出整流管两端并RC滤波器。

    % z$ d8 W: o3 [* f" p5 X; d
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    f、30MHz~50MHz
    普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007 慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决。
    g、100~200MHz
    普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠。
    h、100MHz~200MHz
    大部分出于PFC MOSFET及PFC二极管,现在MOSFET及PFC二极管串磁珠有效果,水平方向基本可以解决问题,但垂直方向就很无奈了。
    开关电源的辐射一般只会影响到100MHz以下的频段。也可以在MOS二极管上加相应吸收回路,但效率会有所降低。
    1 M; Y& i0 P9 B" ^6 Q( \4 d

    - F! b2 `: @! `3 @& H1 F8 x
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    该用户从未签到

    2#
    发表于 2023-9-7 20:08 | 只看该作者
    框图很详细。
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