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今天有朋友问到为什么在powerSI中计算出来的信号阻抗是接近50欧姆，PDN的Z参数的阻抗只有不到1欧姆。
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) N- H x, ~6 [3 X/ r2 }3 E# g# i答：5 S3 i- h. W1 h
特征阻抗和PND阻抗都是频域里面的概念。
2 f, T/ f5 j9 J8 W特征阻抗
6 @6 G& ^- F7 F& S是针对于信号线在高频环境下测量出来的瞬态阻抗。
' W# r! |$ z6 _, z特征阻抗：又称“特性阻抗”，它不是直流电阻，属于长线传输中的概念。在高频范围内，信号传输过程中，信号沿到达的地方，信号线和参考平面（电源或地平面）间由于电场的建立，会产生一个瞬间电流，如果传输线是各向同性的，那么只要信号在传输，就始终存在一个电流I，而如果信号的输出电平为V，在信号传输过程中，传输线就会等效成一个电阻，大小为V/I，把这个等效的电阻称为传输线的特性阻抗Z。信号在传输的过程中，如果传输路径上的特性阻抗发生变化，信号就会在阻抗不连续的结点产生反射。影响特性阻抗的因素有：介电常数、介质厚度、线宽、铜箔厚度。% \ v) W0 G/ J2 d/ N" z
可以参考一下百度文库的这篇文章，写的很好： http://url.cn/1Y5XJr: `5 a7 L# k) \2 u# n
; r+ i: L( }7 K3 WPDN阻抗
5 ?. ]2 j8 l% ~& z K Z9 r: [2 |是电源地之间在高频回路下的阻抗值，通常一个电源系统中，我们会有一个设计目标，一般我们称之为目标阻抗（电源系统）
1 E0 y2 A" g% z$ o# h简单的公式为：5 q: P, `) ]: F4 O8 A
" v" o* l6 a( X4 t
# a3 A X! q" T当然在更高频下，目标阻抗会有变化。设计时，我们是需要把整个PDN的阻抗降低到目标阻抗一下，特别是在我们的工作频点，系统的PDN阻抗一定要低于目标阻抗，一般可以通过板卡上放置电容来实现。
8 U; B- p( m6 s ~, W+ w! |" z$ |- j$ ~0 W# E, c/ Y- i
PDN阻抗通常应该是毫欧姆级别，电流越大，我们的PDN阻抗应该越小。( u+ d# e" D2 x b1 ~: u; q
, F" N& q# ~# W6 x: y- P# }
通常加电容处理的范围是几MHz到几百兆级别( Z% n4 v2 V# L2 r) o( M% r& P% K
0 w3 P; h" \+ G- w
7 ~7 t5 c% p: j8 l
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& g, ]4 T; z( \ \, s8 r |
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发表于 2012-3-15 21:06
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发表于 2012-3-21 13:16
