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MOS管关断后电压下降为什么这么缓慢?

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发表于 2022-10-10 10:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位兄弟帮忙看看!鄙人是软件工程师,硬件只是懂一点。$ I! c; ]4 d; c1 z! }5 E2 _8 M
/ F" l& s4 [% k$ i; \
问题是这样的,我这里是要用两个MOS做发码,上下管分别关断和导通,实现5v/0v的切换。原理是控制PMOS开,NMOS关,L+/R+输出5v;PMOS关,NMOS开,L+/R+输出0v。
! G: E$ ?% ^( z+ ]! n3 d3 }+ _0 l3 D( Z
' t! D) [! U3 t, l+ j; v& s1 s我在输出5V时,先关NMOS,延时十几us再打开PMOS;我在输出0V时,先关PMOS,延时十几us再打开NMOS;
) A- s0 Z; N& E  E. z8 }. P6 S4 T) Y5 q
但是在L+/R+端测出来的波形,会在我关断MOS后时延迟好久才掉下来,只在下降沿会这样,上升沿很迅速。9 s" }4 G4 I( A( e/ z" u

! ]6 X; s6 K/ s" P% {+ t: G) V如图所示,有将近1.5ms时间:3 p- U0 B" q" h0 v& q2 O

* T' y/ _' X+ |; S( K这是原理图,说一下我排查问题时有做过的方法。1 f7 l- b/ ~8 k. }

( M! j% H- g1 `8 f4 B! ]1、有试过减小R27电阻,更换成1M时有减少100US左右,但是还是下降的很慢,换成10k后也没多大变化。; l, s/ q8 Q& M1 W: d- _" r' @% q
2、有去掉C11和减少C11的容值,去掉C11也是下降缓慢,改为4.7uF同样没多少改变,而且还有很多杂波。
2 k' X: Z9 s3 n; |, ^+ R) y3、有把2N700T这个NMOS管换成3400,我也不知道是哪个参数会有影响,但是换了后没有什么变化。3 T. P  a$ A, u8 A0 M$ e5 }$ ]
6 ~/ J# x2 }; z1 |
2N7002T参数:
2 H9 p/ O/ T% v- q 0 c9 S. V& c+ @6 \0 U9 s( `
3400参数:5 q. U, \5 r! i8 a
/ u9 Q- P( M" P% S0 c/ n- t
4、有去掉两个ESD,没有作用。
: X  P; d. j$ }8 J& v" G5、中间的R11限流电阻,有改小为33欧、20欧,波形会有点失真,有减少几百us时间,还是会缓慢下降。; @3 a1 O6 b" J4 N+ E, h3 b, W
1 K3 K- ~; q8 |: Q! R
现在我已经不知道还能怎么改了,有大神给点建议吗?

该用户从未签到

2#
发表于 2022-10-10 13:24 | 只看该作者
R13过大,1MΩ太大了!通常在10KΩ左右就行。

该用户从未签到

3#
发表于 2022-10-10 13:43 | 只看该作者
R11直接改成0吧!还有,上面的P管,你确定是完全关断的么???PH2O跟VOUT是一样的电压么!

该用户从未签到

4#
发表于 2022-10-10 14:53 | 只看该作者
先看看芯片输出那的波形对不对,然后一路向后依次查找,看看到哪波形就不对了!!!
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