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低功耗高性能SI24R2无线单发芯片

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发表于 2022-9-1 10:31 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1 简介
) Z4 V* }9 |0 z/ B. ?$ eSi24R2 是一颗工作在 2.4GHz ISM 频段,专为低功耗无线场合设计,集成嵌入式
0 X' C& y  u& t( v3 z$ M, J6 p射基带的无线发射芯片。工作频率范围为 2400MHz-2525MHz,共有 126 个 1MHz 带宽的: e" c+ s; ^, V9 @/ q0 I5 C$ J
信道。3 ^7 l( f5 i1 q! R) y6 @
Si24R2 采用 GFSK/FSK 数字调制与解调技术。数据传输速率与 PA 输出功率都可以
/ t, K* A4 E2 c调节,支持 2Mbps,1Mbps,250Kbps 三种数据速率。高的数据速率可以在更短的时间完成0 s# c5 n# L: K6 ~) t$ U) i
同样的数据收发,因此可以具有更低的功耗。. c5 ^! ]. m$ t: u
Si24R2 针对低功耗应用场合进行了特别优化,在关断模式下,所有寄存器值与 FIFO
" d" e" S. }8 e& X值保持不变,关断电流为小于 500nA;在待机模式下,时钟保持工作,电流为 15uA,并& G6 h% _8 _2 L' U2 G: b
且可以在最长 130uS 时间内开始数据的收发。& h/ {: y  m. l
Si24R2 操作方式非常方便, 只需要微控制器(mcu)通过 SPI 接口对芯片少数几' w6 E1 X9 T# w4 I& S: F$ B
个寄存器配置即可以实现数据的发射通信。* h5 V6 }5 w0 z8 |( k; k
Si24R2 具有非常低的系统应用成本,只需要一个 MCU 和少量外围无源器件即可以
2 Q+ c! a2 t! r- w3 {! Q组成一个无线数据发射系统。内部集成高 PSRR 的 LDO 电源,保证 1.9-3.6V 宽电源范围
8 ^6 ]8 C6 k+ F' Z1 C: Y9 Y5 o5 h7 W内稳定工作;数字 I/O 兼容 2.5V/3.3V/5V 等多种标准 I/O 电压,可以与各种 MCU 端口6 ^: w( i7 U# z- m. N
直接连接。
: H8 L9 Y: l& z! y2 m. Q/ n 7 [+ B( B$ x( b
主要特性
6 h6 e, k8 N+ a工作在 2.4GHz ISM 频段4 ]; D& P7 O) ]8 |  c
 调制方式:GFSK/FSK! C& m/ O/ _, q7 l& M
 数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps, G5 O! G% p! f5 D  H* h
 超低关断功耗:500nA8 b% f' p+ }$ U2 m
 快速启动时间: ≤ 130uS
. K3 @( M* S: a! z5 K4 [; U 内部集成高 PSRR LDO. X! M, V; O4 M' h
 宽电源电压范围:1.9-3.6V7 z; H, N/ |  a; [1 o9 ^/ `
 宽数字 I/O 电压范围:1.9-5.25V
1 U# Y0 c; C+ _ 低成本晶振:16MHz±60ppm/ P7 X3 E- p0 m. d( t
 最高发射功率:7dBm
% [$ Y# y/ L8 r# y 发射电流(2Mbps): 13.5mA(0dBm)  M- |+ m8 q9 K+ O! Z( D
 最高 10MHz 四线 SPI 接口. V# S3 |7 Q4 @
 发射数据硬件中断输出* c0 T8 R6 {8 F+ }- R6 H
 极少外围器件,降低系统应用成本! Q5 }+ T% U3 Z5 B, t* I6 H9 A1 p, W
 QFN20 封装或 COB 封装! r* ^/ a% h9 \
 完全兼容 Si24R1 发射功能
& m; Q3 z4 C; [. q

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2#
发表于 2022-9-1 11:13 | 只看该作者
谢谢分享,见识见识,学习学习

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3#
发表于 2022-9-1 13:44 | 只看该作者
来学习学习,增长见识。
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