集成于射频芯片的LDO电路设计/仿真报告

RGB_lamp

第一部分 应用...................................................................................1
6 t* S/ Z* k9 G1 G7 g) e8 vLDO 的分析与设计............................................................................................................................................ 1
: X7 K- `" A, i: p, cLDO 芯片的特点................................................................................................................................................ 1
' s& K' e; s. n4 ?' q) u( t, ILDO 芯片的详细性能参数................................................................................................................................ 1
第二部分 电路设计报告...................................................................5
  W2 N7 Y4 y6 J' m/ g& N整体电路上电启动模块 ..................................................................................................................................... 5
" \/ V( e9 \# ^8 Q+ i) p电流偏置模块 ..................................................................................................................................................... 7
带有修调功能的基准模块 ................................................................................................................................11
带隙基准源的修调电路设计 ........................................................................................................................... 21
+ v5 J3 f# C) x, z预调整放大器模块 ........................................................................................................................................... 23
3 W' D$ G2 d. k% B+ S+ w低通滤波器模块 ............................................................................................................................................... 27
保护电路模块 ................................................................................................................................................... 31
. x  G3 R" y) R" N! Y# v' d7 A电压跟随器模块 ............................................................................................................................................... 39
' i$ q8 {: A! X5 C& X% r2 C* ~第三部分 总体电路的仿真 ............................................................43
) g% g/ E7 m, U+ v8 @直流参数........................................................................................................................................................... 44
. f6 E1 q  A! }1 {5 J; F1 u线性调整率....................................................................................................................................................... 45
负载调整率....................................................................................................................................................... 46
4 y. Z( o! K* O6 X9 j. i静态电流........................................................................................................................................................... 46
' N7 g+ V2 F% B瞬态仿真........................................................................................................................................................... 47
噪声仿真........................................................................................................................................................... 48
交流特性仿真 ................................................................................................................................................... 49
- H2 f2 G5 d5 N! G5 o4 k2 }PSRR 特性仿真 ................................................................................................................................................ 52
. {) I9 q6 H! H. ~第四部分 LDO 芯片版图设计.......................................................56

. t: i+ r' m7 B8 p% E' k第一部分 应用
. `4 G- t9 n, q1 FLDO 的分析与设计
, r! u# e  ]% |" \% p  e8 l本论文完成了一种应用于集成于射频芯片的LDO的分析与设计。本文主要从稳定性、负载瞬态响应、电源抑制比和噪声四个方面进行了分析。然后，采用SMIC 0.18μm CMOS工艺完成了包括功率调整管、电阻反馈网络和误差放大器三个部分的电路设计，并用cadence SPECtre对设计的整体电路进行了仿真和优化，最终实现电路的设计要求，而且可以在片内集成。可在0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，电路正常工作时温度范围：-55℃~+125℃，该电路工作电压范围为2.1～3.6V，输出电压1.8V，输出电压在全范围的波动：≤4mV，输出电压准精度：≤10mV，最小压差在300mV以下，静态电流≤60uA；在10Hz～100KHz范围内的内部输出噪声积分约为，≤20μVRMS@20mA、≤50μVRMS@80mA、≤100μVRMS @300mA；电源抑制比（PSRR，在10KHZ以下）：≥60dB@20mA、≥60dB@80mA、≥60dB@300mA；线性调整率：≤0.1%；负载调整率：≤1%；启动时间：≤100us；电压瞬态响应：≤30us；负载瞬态响应：≤50us；输出启动电压过冲：≤100mV；集成输入欠压过压保护、输出断路保护。另外集成过温保护以及输入软启动电路。
  c+ i8 x$ }% V9 D  R3 R
LDO 芯片的特点
+ F* ]- H8 L/ u7 d/ k, z●低静态电流
$ Z! v$ s: c  f" |' K; b& [●0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，带载能力强
$ R% s  P/ r9 I  Z, d$ M9 t●在10Hz～100KHz范围内的内部输出噪声小
●高电源抑制比（PSRR，在100KHZ以下）
●可全片内集成
8 V5 V. U3 d2 \8 W& f! h6 `( R4 {
9 f! K/ }& A3 N2 \6 ^6 }+ Z. }) ^LDO 芯片的详细性能参数
下面将集中讲述一下此次芯片电路设计应该满足的条件，以便于在电路设计过程中有一个总体的设计框架和设计思路。
衡量LDO的性能参数较多，下面介绍主要的几种性能参数。从对这些性能的分析过程中，可以看到各个性能之间不是独立的，性能和性能之间会相互影响和制约。因此，在设计时，要根据具体要求来具体分析。
1）电压差(Dropout Voltage)
当输入电压下降时，输出电压不能再恒定在预定的值，这时的输入电压与预定的输出电压的差值就是电压差。在实际设计LDO时，为了达到更高的效率，常常希望电压差越小越好。一般通过增大功率调整管的尺寸，就可以使电压差减小。但是调整管尺寸的增大，会对稳定性、负载瞬态响应及电源抑制等性能有很大影响。因此，在设计时，需要根据具体要求来具体分析。
2）静态电流(Quiescent current)
静态电流也叫接地电流，是LDO内部电路所消耗的电流，等于输入电流与负载电流的差值"低的静态电流能提高LDO的效率，延长电池的使用时间。静态电流包括带隙基准电压源和误差放大器消耗的电流，及调整管通过采样电阻网络到地的漏电流。对于用MOS晶体管做功率调整管的LDO，由于MOS是电压控制器件，因此它的静态电流与负载电流无关。

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big_gun

谢谢楼主的分享,拿走参考学习一下

瞪郜望源_21

不错不错，很是全面和深度，值得好好学习下

VIC56

感谢，十分感谢。好好学习下

zzzxxxyyy

感谢，十分感谢。好好学习下