找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 341|回复: 3
打印 上一主题 下一主题

射频板PCB工艺设计

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2022-5-27 09:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
中兴射频板PCB工艺设计规格书( r7 u4 r6 X" ^4 s& W. e

# p/ R# `6 U$ ]2 P8 G; |本标准规定了射频电路板设计应遵守的基本工艺要求。0 T" |: F2 J8 L% B1 i
本标准适用于射频电路板的 PCB 设计。
* q8 W- d  r# ^' J4 A8 F% k微波 Microwaves# n4 ^/ A( k: Q( L7 o
微波是电磁波按频谱划分的定义,是指波长从1m至0.1mm范围内的电磁波, 其相应的频率从0.3GHz至3000GHz。这段电磁频谱包括分米波(频率从0.3GHz至3GHz)\厘米波(频率从3GHz至30GHz)\毫米波(频率从30GHz至300GHz)和亚毫米波(频率从300GHz至3000GHz,有些文献中微波定义不含此段)四个波段(含上限,不含下限)。具有似光性、似声性、穿透性、非电离性、信息性五大特点。
# Q/ _, T" p" i9 ]' g5 c4 f
; p' N3 R! z7 h# r+ P' \+ L4 B2 W/ k射频 RF(RADIo Frequency)
9 n5 ?  o) F7 {; H$ C- n% n! m射频是电磁波按应用划分的定义,专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波。频率范围定义比较混乱,资料中有30MHz至3GHz, 也有300MHz至40GHz,与微波有重叠;另有一种按
8 f. N/ F0 u: `5 @! D+ F/ ~1 c- K频谱划分的定义, 是指波长从1兆m至1m范围内的电磁波, 其相应的频率从30Hz至300MHz;射频(RF)与微波的频率界限比较模糊,并且随着器件技术和设计方法的进步还有所变化。
/ y: x8 X; U" e射频 PCB 及其特点
( z- ?, x7 U% s+ J$ t& l8 b: X考虑PCB设计的特殊性,主要考虑PCB上传输线的电路模型。由于传输线采用集总参数电路模型和分布参数电路模型的分界线可认为是l/λ≥0.05.(其中,l是几何长度; λ是工作波长).在本规范中定义射频链路指传输线结构采用分布参数模型的模拟信号电路。PCB线长很少超过50cm,故最低考虑30MHz频率的模拟信号即可;由于超过3G通常认为是纯微波,可以考虑倒此为止;考虑生产工艺元件间距可达0.5mm,最高频率也可考虑定在30GHz,感觉意义不大。2 z! p( B. \; O$ N1 v5 E( ~: @

: l5 @  \5 F( A  P微带线 Microstrip
& o  }6 g2 N  q' F' F% K一种传输线类型。由平行而不相交的带状导体和接地平面构成。微带线的结构如图1所示它是由导体条带(在基片的一边)和接地板(在基片的另一边)所构成的传输线。微带线是由介质基片,接地平板和导体条带三部分组成。在微带线中,电磁能量主要是集中在介质基片中传播的如图2所示。  ~) k( L  A3 W2 C* A  n& c2 \
( Y/ W/ t5 Z4 j1 _

: s1 B8 ~. G! X3 ]% @趋肤效应8 r: o. t! _7 J9 M0 X/ |/ @' @  _
趋肤效应---又叫集肤效应,当高频电流通过导体时,电流将集中在导体表面流通,这种现象叫趋肤效应。在高频下,电流仅在导体表面的一个薄层内传输。
6 o5 x( F8 {) |4 C( w5 o1 P' m耗散因数(介质损耗角) DisSIPation factor/ t, y- n/ L" U! r  L8 y
损耗电流与充电电流的比值。耗散因数或损耗角正切,tanδ,表示为ε”/ε’,ε’和ε”为介电常数真实和虚幻的部分(见介电常数),损耗角正切是一个参数,用来示意绝缘体或电介质在 AC 信号中吸收部分能量的趋向。/ g+ T0 }1 A) k4 ~9 n
介电常数 Permittivity
, H0 j7 B* U! T0 p% N) p* L" g" W自由空间与电介质内电磁传播波长的均方根之比;一般而言,材料的介电常数e,由实部和虚部构成;e 的实部和虚部定义为 e ' 和 e''。- [2 c! G/ H5 \  x) }
& ]7 M+ W9 t, L! u5 p5 @+ q5 ^
屏蔽罩 EMI shielding* B; y/ O, n0 \+ [9 C
屏蔽罩是无线设备中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下:当在电磁发射源和需要保护的电路之间插入一高导电性金属时,该金属会反射和吸收部分辐射电场,反射与吸收的量2 S) c; v5 ]7 u: Z( X  A1 B4 I) L
取决于多种不同的因素,这些因素包括辐射的频率,波长,金属本身的导电率和渗透性,以及该金属与发射源的距离。屏蔽的具体过程如下图 3 所示:. E2 v4 Z2 m' h- G2 w

1 ^" n0 M4 n0 Q. U" {

该用户从未签到

2#
发表于 2022-5-27 10:47 | 只看该作者
射频技术与PCB技术,学习学习。很有用啊,pcb设计不好,射频也会收到很大的干扰。

该用户从未签到

3#
发表于 2022-5-27 16:03 | 只看该作者
两个技术的结合,学习学习,很有用哦。

该用户从未签到

4#
发表于 2022-5-27 16:54 | 只看该作者
结合学习,很有用哦。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-11-22 20:35 , Processed in 0.140625 second(s), 26 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表