MOSFET开通的冲击电流问题

唯笑1015 · 发表于 2020-10-14 08:43

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如图，简单的驱动电路，端子后连接恒流LED电路，负载相同时Q5用三极管开关就没问题，用MOS的话，就会出现冲击电流，这是为什么？

wudaoz · 发表于 2020-10-14 15:25

用mos时让Vgs有一定斜率即可。

startostar · 发表于 2020-10-14 09:26

你说的冲击电流怎么体现的？MOS电路怎样的？

oneisall · 发表于 2020-10-14 09:51

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爱还没来 · 发表于 2020-10-14 10:31

不明白哦亲兄弟

topwon · 发表于 2020-10-14 15:35

可能是MOS管的导通内阻小，所以启动电流就比较大了吧。可以像5楼建议的那样，比如给R39并联一个电容，让Vgs缓慢上升，Ron的阻值就会缓慢下降。不利之处就是开关速度有影响，MOS管的开关损耗增大。不过你这个电路看起来是做电源控制用的，应该问题不大吧。

wudaoz · 发表于 2020-10-14 15:41

感觉mos管不适合在这个电路，EN电压多少V？一般mos的Vgs都比较大，控制电压太低的话会导致导通角太小。

唯笑1015 · 发表于 2020-10-16 10:49

startostar 发表于 2020-10-14 09:26
0 ^- _* W4 H" h( J+ F你说的冲击电流怎么体现的？MOS电路怎样的？

用MOS时R47电阻改为100Ω，

唯笑1015 · 发表于 2020-10-16 10:53

wudaoz 发表于 2020-10-14 15:41: t* T4 o" ^! G7 g
感觉mos管不适合在这个电路，EN电压多少V？一般mos的Vgs都比较大，控制电压太低的话会导致导通角太小。

用MOS的时候R47改为了100，最终也是改为三极管生产了

唯笑1015 · 发表于 2020-10-16 10:54

topwon 发表于 2020-10-14 15:353 k9 K0 }3 T! C+ i6 o7 }( D5 d
可能是MOS管的导通内阻小，所以启动电流就比较大了吧。可以像5楼建议的那样，比如给R39并联一个电容，让Vgs ...

试下您说的方法，谢谢指导

唯笑1015 · 发表于 2023-10-27 09:26

topwon 发表于 2020-10-14 15:35
# m7 o9 Q# y" Q6 m0 i& m可能是MOS管的导通内阻小，所以启动电流就比较大了吧。可以像5楼建议的那样，比如给R39并联一个电容，让Vgs ...

是的，是控制电源的

guchenglihua · 发表于 2023-10-27 11:48

唯笑1015 发表于 2020-10-16 10:49
, n% G$ x- S# i6 ^0 z9 S0 b# y h用MOS时R47电阻改为100Ω，

如果用MOS管要把R47改成100欧，那么就说明MOS管的结电容比较大，跟R47形成了一个RC充电回路造成冲击，要么换MOS管型号，选结电容小的，要不就是减小电阻提高驱动电压都是可以的。但建议还是选三极管吧，MOS管容易被静电击穿，三极管相对来说稳定点。

ttgoer · 发表于 2023-10-30 15:27

加电容，缓开启。
但是有个潜在风险，这个vgs容易大于最高的限值±20V，造成MOS烧坏。
要用MOS最好是GS加个稳压管

dongjia323 · 发表于 2023-10-31 08:13

来看看大家都是怎么说的

6940 · 发表于 2023-10-31 08:45

学习一下，这里面水很深啊
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