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基于联锁栅极驱动器提高三相逆变器的鲁棒性

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发表于 2020-4-27 11:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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变频驱动器(VFD)是工业自动化机械的重要组成部分。它们能够高效地驱动泵、风扇、传送带、计算机数控机床和机器人自动化解决方案,有助于降低工厂的总能耗。若VFD发生故障会直接导致机器停机,进而造成工厂停工和生产损失。因此,VFD的可靠性和鲁棒性是机器制造商和工厂业主的关键要求。
0 H, _! \7 K/ h  I + _2 T. V9 f' w5 ~
图1所示的三相逆变器结构是VFD的核心,能够将整流后的电源电压转换为输出到电机的可变频率和可变电压。逆变器的鲁棒性是确保VFD鲁棒性的关键要素。该项技术由德州仪器研发。
1 n+ ]& g' \' ?/ {& b+ s
' ^1 Y9 ?6 Z# n/ j* G带隔离栅极驱动器的三相逆变器9 F0 y2 \& A( q7 h- S; c
三相逆变器的关键组件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)电源开关(通常集成在单个IGBT模块内)和控制IGBT栅极的隔离栅极驱动器。微控制器(mcu)产生彼此互补的高侧和低侧脉冲宽度调制(PWM)信号,在PWM信号转换期间插入死区时间。该死区时间确保顶部和底部IGBT栅极信号不会同时为高电平。
0 f; s6 v4 J: r# a3 k, w. l* Z- P: \3 q
MCU硬件故障或电机控制软件故障可能导致MCU的高侧和低侧PWM信号锁存为高电平。结果通过顶部和底部IGBT的交叉传导,导致直流总线短路。将电流传感器插入直流总线可检测过流情况,并通过栅极驱动器的启用/禁用管脚或将PWM信号驱动到栅极驱动器的缓冲器来禁用栅极驱动器。感测过流和关机之间的延迟通常为几微秒。但是,多次重复该感测序列会降低IGBT开关的可靠性和寿命。IGBT开关为VFD内部最昂贵的半导体元件。
, e* g6 k: f4 a+ ~. Z$ y0 @) p  ?. c3 a: E. x! s+ L
但如果两个栅极驱动器都没有响应伪PWM序列呢?无需使用额外的外部硬件,使用联锁法即可实现。- g$ f- ?. A3 L$ U) Z
联锁高侧和低侧栅极驱动器
) N. W+ [3 B$ K3 B
8 E. U: ~- n7 x! D在图2所示的这种配置中,高侧驱动器仿真二极管的阳极连接到低侧驱动器仿真二极管的阴极。高侧驱动器仿真二极管的阴极连接到低侧驱动器仿真二极管的阳极。
! r1 x, j; b. f7 M" {# } / @* R  J; n$ C
联锁电路配置
6 v( V2 n. I0 T- s' ~: w7 a8 W- K/ \" y2 f6 B& J
德州仪器在“具有光模拟输入栅极驱动器的200-480 VAC驱动器的三相逆变器参考设计”中测试了联锁电路配置的应用。
4 x1 f2 R0 I' T2 m; f9 f
3 E9 a# E: |! J# ~用于200-480 VAC驱动器的三相逆变器参考设计
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立即下载设计  Z$ x! A( A/ u- v& [

& M; J' |+ v4 e% @/ I: J6 K3 l如图3所示,在正常工作期间,PWM脉冲是互补的,要么正向偏置UCC23513的输入仿真二极管,要么反向偏置缓冲驱动电压为-5 V的隔离栅极驱动器。高反向电压UCC23513的仿真二极管可处理联锁配置中出现的反向电压。而电流控制电容隔离栅极驱动器不具有高反向电压处理能力,且不能联锁。在死区时间内,仿真二极管两端的电压为0 V。8 Q1 y: C: ~$ A$ {, }6 r. q

+ g6 {' J5 C) Z4 H% x6 b; d带联锁的正常PWM操作
4 i) `/ a+ A, B有目的地插入负死区时间可让您检查联锁电路对来自MCU的故障PWM信号的响应。若两个MCU输出均为高电平,则栅极驱动器的输出为低电平。无论输入PWM信号如何,高侧和低侧栅极驱动器的输出都不会同时变为高电平,从而防止交叉传导。 * i& ~' d0 L& p( l4 F, j0 V# U
表1:联锁操作  D' \6 i" R( j: P# F5 I4 s
( t4 d  n- ~1 a$ W* v
您可将传统的光隔离栅极驱动器联锁,但它们不能带来更多的好处,比如更高的工作隔离电压;更高的共模瞬变抗扰度;在高达150°C的结温下工作,以及诸如较低的传播延迟和较低的脉冲宽度失真等改进的开关参数。
; o+ m8 @; u, j- S1 E# T8 z6 Q% @8 h' \
UCC23513采用业界标准的六管脚小外形封装,您无需任何额外的原理图或印刷电路板设计更改,即可通过简易交换轻松升级现有VFD中的逆变器。
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发表于 2020-4-27 13:18 | 只看该作者
MCU硬件故障或电机控制软件故障可能导致MCU的高侧和低侧PWM信号锁存为高电平。
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