Everspin MRAM解决方案的新应用程序

英尚微电子

Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商，在包括40nm，28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM芯片的生产。此外Everspin在亚利桑那州钱德勒拥有并运营一条集成的磁性生产线，Everspin在此生产基于180nm，130nm和90nm工艺技术节点的MRAM产品。

Everspin宣布了其MRAM解决方案的几个新的应用程序和客户。首先是nvNITRO存储加速器产品系列。这些新卡（适用于要求苛刻的应用，例如金融交易）有1Gb或2Gb两种，并基于Everspin的256Mb DDR STT-MRAM芯片。Everspin发布的1Gb DDR4芯片的型号，该芯片的最大容量将达到了16Gb。

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Everspin nvNITRO NVMe PCIe STT-MRAM卡

: ?$ s# u! N7 [) C6 c( L. ]( \EVERSPIN说nvNITRO的运行速度非常快，达到1,500,000 IOPS，端到端延迟为6毫秒。该脚本修改了现有的Xilinx存储器接口生成器（MIG）DDR3 DRAM控制器，使其与Everspin 256兆位ST-MRAM DDR3存储器兼容。

0 y+ K) S- a% t, Z$ A, AEvespin宣布JAG Jakob的PdiCSTM过程控制系统使用了该公司的MR4A16B 16Mb MRAM芯片。Everspin说，JAG选择了Everspin的PdiCSTM系列产品中的16Mb MRAM，因为它是唯一能确保20年使用寿命和24/7正常运行时间的技术。下面是由Everspin核心代理英尚微电子提供MR4A16B 16Mb系列型号表。

6 a+ C8 Z& ^3 q0 v2 a$ cEverspin MR4A16B 16Mb MRAM芯片型号表
- x# a) V, H, J0 U

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35	54-TSOP	3.3V	Commercial	1,000
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35R	54-TSOP2	3.3v	Commercial	1000
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,500
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2500
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35	54-TSOP	3.3V	Industrial	1,000
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35R	54-TSOP2	3.3v	Industrial	1000
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,500
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	2500
16Mb	1Mx16	MR4A16BUYS45	54-TSOP2	3.3v	Automotive	1000
16Mb	1Mx16	MR4A16BUYS45R	54-TSOP2	3.3v	Automotive	1000

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Everspin宣布了其MRAM解决方案的几个新的应用程序和客户。首先是nvNITRO存储加速器产品系列。

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JAG选择了Everspin的PdiCSTM系列产品中的16Mb MRAM，因为它是唯一能确保20年使用寿命和24/7正常运行时间的技术

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这些新卡（适用于要求苛刻的应用，例如金融交易）有1Gb或2Gb两种，并基于Everspin的256Mb DDR STT-MRAM芯片。