Boost电路参数的一些问题

Joen0_0

4 D4 v9 M: `3 }6 J8 F1 H最近在理解电感的参数/特性，以boost电路来说，mos管开启的时候，Vin对电感充电。
2 Q2 `2 }8 ^! N; u. {看了一篇boost电路的介绍，看到mos管电流如下图，觉得奇怪，像是电感充电阶段的电流全部流入GND，这样的话，boost的效率不是很低？
# u0 o3 y2 L8 G% Y+ x; b' c" {8 X: q
0 W1 q6 ?7 K2 w& x5 [8 S
7 k1 E: l+ U2 i+ v6 `" _但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet，TPS61256，效率高达93%

所以想问一下
$ s. {3 i, y! ^3 z; p( b* C* W# W1.一般来说，boost电路电感充电的时候，电流是不是基本不经过MOS到GND？不经过MOS管到GND好像没有完整的回路，这个应该怎么去理解这个电路行为？
2.如果确实如上图所示，有较大一部分电流流经MOS到GND，这个有计算公式或者资料推荐么？那效率是怎么做上去的？

  K7 W. R, @, p" P  N1 O

wu6886

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hyz12888

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curry_wang

, j: p( @  n6 Z# T! w感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
/ ]' Z# i) q+ a9 o" g& I2. 损耗的能力主要是电感的DCR，MOS的导通 开关损耗。
3. 效率一般实测，输出功率比上输入功率。    所以减小损耗，低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。
# L* y2 m& F+ _: x6 l

上山砍柴

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Joen0_0

curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
; V' {5 I" E' ^, X8 d, {感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
3 E+ ?3 W1 k) Z0 }* D& C' {- n8 l ...

* l; j" ]/ @* K, @/ A* i6 t+ _哦哦，想明白了，看到这个波形，第一反应是，电流这么大流进GND，效率不是很低~~！
! B5 F4 L( w5 i" `没转过弯来，大电流虽然流进GND，但是功都做在电感里了，晚点翻一下资料贴上来！
8 z7 ^$ Q9 }. D/ {9 ~5 s2 Q多谢
" h" \& f3 w% ~8 z# Q4 @6 y

Joen0_0

$ ]& Z+ d& S0 t$ b4 j
4 F# Z1 C1 z9 B; j8 ?( M: b看一下电感两端的波形，理想值：VL =VS，电感上的功率P=IxVs，相当于全部功做在电感上
  @* U% _) ?/ R+ Y但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧，不知道有没有大神有相关的资料可以看看
9 }+ f6 p1 d3 f% C; X# \

jacky401

请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

sunny哥

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Joen0_0

jacky401 发表于 2019-06-10 22:16:39
: t/ M* o3 Q  O: _8 A/ R请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

, w8 M6 _+ \  Y7 {' [7 k
  o+ z' s6 g% ]多谢????
. P) J! J6 }% I1 D. q2 w/ U+ H
9 e( X7 A, P5 F/ l+ C

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