EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
本帖最后由 cadence_CPG_Mkt 于 2018-2-7 09:38 编辑
3 P/ {3 D6 [/ V' O, K- ^3 u% z6 n5 m) p* ~0 Q3 R
IBIS-AMI建模
" D4 j) F- V$ p8 `
假设我们的PCIExpress Gen 4串行链路，使用初始的PCB走线和过孔模型，其余的缺失部分用于发射器的IBIS-AMI模型，“AMI”表示算法模型接口。正如其名，IBIS-AMI模型具有以传统IBIS (I/O 缓冲区信息规范) 格式定义的“电路”部分和以AMI格式定义的“算法”部分。两者都是完整模型所必需的。 , @# P7 G2 _! ^
该模型的电路或IBIS部分用于描述发射器的电压摆幅、输出阻抗、寄生效应和上升/下降时间特性。这些信息应该在您SerDes发送器的数据表中。假设数据表显示，以50ohm作为参考阻抗，摆幅为1V，单端50欧姆输出阻抗，0.5pF范围内的焊盘电容，以及20ps左右的单端上升/下降时间。采用一个标准的IBIS模型作为开始，是最直接的做法。
) B) M+ ^5 }6 d \6 d
/ W }( ]& ?) j8 y
该算法（或模型的AMI部分）用于描述发射器的均衡行为。在PCI Express Gen 4的情况下，这由前向反馈均衡（FFE）或“去加重”组成。FFE将包含多个“抽头”，表示产生去加重行为的main和boost驱动器，boost转换位（例如0到1的转换）和去加重稳定状态位（例如连续的多个1）。这些抽头的作用大小通常用系数来表示，表示与主抽头相比它们的比例系数。
6 r0 I* C( t, a
将上述信息作为输入，现在的IBIS-AMI仿真工具通常包括直接生成AMI模型的功能。同样，这些信息通常可以在SerDes发射器的数据表中找到。假如您感兴趣的发射器使用与PCIExpress规范中描述的类似的去加重设置，可以使用如前所述的自动化工具，利用上述的抽头系数快速直接地生成AMI模型。
% e5 j/ E" R7 p4 [+ c& ^
- F2 ~$ l! _+ l下一篇> 启用约束驱动设计
; m% [9 T! O8 g ~" W' {# f! [+ ^8 P; t
) e1 B3 Y5 A2 x! Q" T
欢迎您的评论！ 您可以通过PCB_marketing_China@cadence.com联系我们，非常感谢您的关注以及宝贵意见。 " ^9 e! V e! ?: Z0 i* s! b4 o
) i/ E; }% Q- U- o. k4 ]5 ]. y
| 
/1 
发表于 2018-2-7 09:38
收藏
淘帖
支持！
反对！