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dzkcool 发表于 2014-12-9 10:27: o6 a; L7 R9 n3 U7 K/ g* z! j
1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;0 J1 R- I9 m. N( v9 a/ ^7 [$ o
2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距, ...
2 `5 r* I$ s$ {" l8 z, \& G1 U( l多谢大神。关于内核电源处理,我目前使用4内层+1表层铜皮的方式。通流量绝对满足48A要求。: M7 U* |! j, D$ F& a6 M& c
而且电源走向没有经过DDR,但是电源到芯片相当于一根较小的U形铜皮, DDR大概位置4 |1 s! w: k% e( ?6 O
刚好在U的中间偏上侧,虽然电源不影响DDR,但是我经过仿真发现直流回路在地平面
2 u, N& |! n6 ^7 s上的电流密度,DDR下方明显要大许多,这个问题应该怎么处理? 单独掏空DDR和内核电
; C. e! T, |, N8 h0 {' Q" Y9 G! x源地中间形成一个隔离槽的话会影响DDR走线下方的参考地,所以纠结啊!!! 或者不用管? 7 o: d$ n! ^$ i
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