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晶振离射频部分比较近,影响大不大?

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    2019-11-19 16:20
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2014-6-6 10:26 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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    3225晶振离射频部分比较近,影响大不大?3 ]6 ?/ m! \& Q* b9 ^5 c

    ; t. M' I& s" q9 {6 M5 W" v8 l空间很窄,如果不行晶振放底层会不会好点?* F2 D; s& B. t

    1 p/ o, S8 Q  W: j  C( \$ a

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2014-6-9 19:08 | 只看该作者
    如果背面有空间,建议直接扔背面得了。
    , ]$ F5 ~# ^" ^1 b$ N如果背面没有空间,这个距离问题应该不是太大。在XO与RF走线之间多加地孔。

    评分

    参与人数 1贡献 +2 收起 理由
    超級狗 + 2 好主意!

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    该用户从未签到

    3#
    发表于 2014-6-8 13:07 | 只看该作者
    这个芯片本身的晶体不会有什么影响

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2014-6-6 11:26 | 只看该作者
    只能说,尽量远离,我有个产品,比较近,但是测试指标是没有问题的,发给你参考一下。

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