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很急,求助:LVDS的走线

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发表于 2013-7-10 11:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 jimmy 于 2013-7-11 13:29 编辑 ' j4 f7 b# H- J5 J+ k3 V4 I
, W. n* ~; P6 N4 L/ J
我板子里面有LVDS和DDR2走线离得比较近,我DDR走线向右挪动了一下,这样LVDS线和DDR线之间有一块地铺进来了。但是不能打地孔,因为下层有走线,请问这样的话能保证DDR和LVDS都能正常工作吗?

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    [LV.3]偶尔看看II

    18#
    发表于 2013-7-19 14:32 | 只看该作者
    sony365 发表于 2013-7-11 11:30 * `, o: O6 c2 q. F: Y8 A. {
    如果你这个板是双面板,在有空间的情况每个差分对用20~24mil走线包地,并且在地线上打过孔效果肯定最好的,可 ...

      W+ a& D2 J8 ?% Y4 {感觉你这个板子 lvds的串联电阻位置放得不是很合理  应该是要靠近IC放置的吧   

    该用户从未签到

    17#
    发表于 2013-7-12 09:16 | 只看该作者
    没有这样的做法,除非copper能把VIA连起来

    该用户从未签到

    16#
     楼主| 发表于 2013-7-11 13:22 | 只看该作者
    sony365 发表于 2013-7-11 12:56
    , z0 L0 N3 Q% _. f2 S- C1 |4 O: j如果只包地,不打孔,阻抗会不连续吧,我们一般都边地打孔。

    ) @0 B, G! O( {4 W1 t% O8 ?我说的是只打孔不连线{:soso_e140:}

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2013-7-11 12:56 | 只看该作者
    如果只包地,不打孔,阻抗会不连续吧,我们一般都边地打孔。

    该用户从未签到

    14#
     楼主| 发表于 2013-7-11 11:47 | 只看该作者
    sony365 发表于 2013-7-11 11:30 , g( {" w. P2 D3 P2 g; s8 W+ M; U
    如果你这个板是双面板,在有空间的情况每个差分对用20~24mil走线包地,并且在地线上打过孔效果肯定最好的,可 ...

    7 Q& l' m: l) l2 {6 G5 N( Q请问差分对用20~24mil走线包地和只打地孔不连底线有什么区别吗?

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2013-7-11 11:30 | 只看该作者
    如果你这个板是双面板,在有空间的情况每个差分对用20~24mil走线包地,并且在地线上打过孔效果肯定最好的,可以保证由于底面地平面分割造成的EMI。如果是四层或六层有参考地,那可以按楼主的方式,用Keepout把差分对内的Copperpour禁布。

    QQ图片20130711112818.jpg (411.32 KB, 下载次数: 1)

    两层板LVDS线GND包地打孔

    两层板LVDS线GND包地打孔

    该用户从未签到

    12#
     楼主| 发表于 2013-7-11 11:26 | 只看该作者
    jimmy 发表于 2013-7-11 10:59
    / {6 g- _' i, I" w- U建议删除中间孤立的地铜,或者想办法在DDR与LVDS之间的地铜加一些过孔。至少加两到三个,一端加在插座处,一 ...

    ( ]& ^1 }) [  l# Z2 L谢谢!

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2013-7-11 10:59 | 只看该作者
    建议删除中间孤立的地铜,或者想办法在DDR与LVDS之间的地铜加一些过孔。至少加两到三个,一端加在插座处,一端加在CPU处,中间再想办法加一个。( B; F+ I, }4 U3 w. A& Z
    . P, L& k+ @/ H' G" L5 t- w
    如果没办法加。那就删除中间孤立的地铜。完全可以跑起来,请放心使用。

    该用户从未签到

    10#
     楼主| 发表于 2013-7-11 10:03 | 只看该作者
    sony365 发表于 2013-7-10 19:51
    ' S9 t0 j* ~+ N7 S% o# a/ s最好在LVDS的 CLK Pairs上增加包地,比全包有效,还要保证养分对的阻抗!
    9 J9 V3 ~9 `; @: n
    那这个禁铺还用画吗?

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2013-7-10 23:34 | 只看该作者
    评论的很给力  

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2013-7-10 19:51 | 只看该作者
    最好在LVDS的 CLK Pairs上增加包地,比全包有效,还要保证养分对的阻抗!

    该用户从未签到

    7#
     楼主| 发表于 2013-7-10 17:54 | 只看该作者
    shirly229 发表于 2013-7-10 16:37 7 C1 h4 ]2 o. U
    这要看你的DDR和LVDS走线所对应的平面层是否是完整的地平面,在两者之间的铜皮地最好有地孔,是为了减少信号 ...
    . t2 }0 J6 l7 |* v- n- p
    我把线调整了一下,LVDS走线做了禁铺,禁铺两边有包地,如何?

    1.jpg (147.85 KB, 下载次数: 1)

    1.jpg

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    6#
    发表于 2013-7-10 17:05 | 只看该作者
    如果没有打孔,建议删除中间的地铜,避免天线效应

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    5#
    发表于 2013-7-10 16:50 | 只看该作者
    没问题的,但是要注意LVDS的时钟线和数据走线保证4W以上,LVDS的时钟线和DDR走线不能靠太近,至少5W以上
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