RK3588 EVB开发板原理图讲解【五】

sunychip001

RK3588 DDR电源PCB设计：
1、VCC_DDR覆铜宽度需满足芯片的电流需求，连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽，路径不能被过孔分割太严重，必须计算有效线宽，确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。
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# Y' O1 [# N# {/ h, H+ K2、VCC_DDR的电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（9个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降；去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。
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" J$ Q$ {; v4 v  M3、原理图上靠近RK3588的VCC_DDR电源管脚的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，其余的去耦电容尽量靠近RK3588，如下原理图所示。
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4、RK3588芯片VCC_DDR的电源管脚，每个管脚需要对应一个过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，同时建议走线线宽10mil，如图3所示。


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图3. VCC_DDR&VDDQ_DDR电源管脚“井”字形链
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当LPDDR4x时，链接方式如图4所示：
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4 l8 `/ b7 i2 ^4 C- |图4. RK3588芯片LPDDR4x模式VCC_DDR/VCC0V6_DDR的电源管脚走线和过孔
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5、VCC_DDR电源在CPU区域线宽不得小于120mil，外围区域宽度不小于200mil，尽量采用覆铜方式，降低走线带来压降（其它信号换层过孔请不要随意放置，必须规则放置，尽量腾出空间走电源，也有利于地层的覆铜）。
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6、RK3588 GND 管脚 PCB 设计

RK3588 芯片的 GND 管脚，至少保证每 1.5 个 ball 需要对应一个过孔，尽量每个 Ball 对应一个过孔，
  p  r+ P' K& ^' C* G3 m4 x- c提供更优的 SI，PI 条件，以及对散热也有帮助。
RK3588 芯片的相邻层必须是一个完整的 GND 平面，保证主参考地靠近 CPU 的 Ball，用于保证电源
# b+ M: I  ^: H+ V完整性以及加强 PCB 的散热。

RK3588 芯片下方相同网络的 GND Ball 在顶层走“井”字形，交叉连接，建议走线线宽 10mil。
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现在把RK3588 DDR的layout部分关键层展现出来看看效果
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整板效果
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' ^8 v7 p: w! X2 NRK3588 EVB开发板原理图连载：
RK3588 EVB开发板原理图讲解【一】RK3588原理图设计- 整体框架设计
( l# F! N' S6 a+ h: XRK3588 EVB开发板原理图讲解【二】RK3588原理图设计- HDMI输出设计
+ q$ @6 i! ]0 a! G! D$ p; B6 `' VRK3588 EVB开发板原理图讲解【三】RK3588原理图设计- 电源管理设计
+ d7 A% [4 F/ Z/ h: K& RRK3588 EVB开发板原理图讲解【四】RK3588原理图设计- PCIE接口设计
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Quiescent_521

开发板好的很不错