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这种复合管有两个NMOS 每组有两个D极 却只有一个栅极G和一个源极S 哪个知道的 科...

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 楼主| 发表于 2025-1-9 18:26 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
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 楼主| 发表于 2025-1-10 16:33 | 只看该作者
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发表于 2025-1-10 10:19 | 只看该作者
再见海贼王 发表于 2025-1-10 09:40
1 [; B, Z" _; g/ J' b, L$ `" ~电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极,H结构可以在S极;不知道是不是这个原因。
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我瞎猜的,不知道对不对,上次电源IC的来说放D极散热和EMI要权衡,GaN的H结构散热在S极就方便多的。狗门弄斧了
3 X* B! j; }! y: c! h. B* H

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3#
 楼主| 发表于 2025-1-10 10:59 | 只看该作者
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2#
发表于 2025-1-10 09:40 | 只看该作者
芯片手册肯定有应用电路,根据应用电路估计有突破口

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1#
发表于 2025-1-10 09:40 | 只看该作者
电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极,H结构可以在S极;不知道是不是这个原因。

点评

谢谢分享!: 5.0
我瞎猜的,不知道对不对,上次电源IC的来说放D极散热和EMI要权衡,GaN的H结构散热在S极就方便多的。狗门弄斧了  详情 回复 发表于 2025-1-10 10:19
谢谢分享!: 5
謝啦!哥。你讓我省去啟動陸軍總部電話服務系統。^_^  发表于 2025-1-10 09:57

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