LDMOS和GaN各有什么优劣势？

BGo

LDMOS和GaN各有什么优劣势？能理解成完全会是一个时代替换另一个时代吗？
; e* u& `9 m9 C# Z; X3 C! E" Q

dsgh

GaN晶体管的栅极长度一般在1微米及以上。当然有些厂商在开发90纳米及以下的工艺；
  [9 q6 m& c5 w8 Z. f' q+ _
7 L7 H0 Q* z* IGaN厂商正在从4寸晶圆线（100mm）向6寸晶圆线（150mm）迁移，以降低成本。

大多数射频GaN器件使用碳化硅（SiC）衬底。但也有数家厂商正在研究更有竞争力的硅衬底GaN。

three

在基站应用中，主要用于增强射频信号的PA有两种技术路线，一种是采用硅工艺的LDMOS（Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，横向扩散MOS）技术，另外一种是基于三五族工艺的氮化镓（GaN）技术。GaN技术性能比LDMOS更好，非常适合5G高频应用的需求，不过价格相对更贵，而且在制造上还有一些难度，导致其产能有限。LDMOS技术稍显陈旧，有其局限性，但市场仍有需求。
3 Y9 d7 I/ u3 M3 {

opipo

AiRFast LDMOS功率晶体管提供了稳定性、增益和耐用性的完美结合。
Airfast GaN器件主要面向多频带应用，减少了对大型、复杂甚至是多个无线基站需求
! X; M3 n3 t9 w& ~) J! A