TA的每日心情 | 开心
2025-2-13 15:35 |
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很多文章认为，EFT的电荷积累机理，大体如下 ]6 ], q9 K/ y* k$ k- k
EFT单个脉冲能量较小 ，一般不会对设 备造成影响。但它是持续一段时间的单极性脉冲串，会对设备半导体结电容充电产生累积 ，最后达到并超过芯 片抗 扰 度 电平 时 ，
4 V0 Q) |$ ?- N4 Y6 z+ H. F. @9 t甚 至 会造 成数 字 系统 的位 错 、复位、内存错误以及死机等现象。
8 H) K0 `8 I& f5 k但是实际测试过程中，经常会出现如果EFT的第一个脉冲如果没有问题，也就不会有问题的。大部分问题都出现在第一个EFT脉冲。
3 N% u/ j- I0 H2 K4 Z, Y! k: I而且我认为（没有设备和数据支持）如果EFT脉冲是一组正脉冲串紧跟一组负脉冲串，这样的测试会更为苛刻。这样的条件下，电荷积累的机理更不会发生。% p6 g( [- ^( k5 o2 S
如果是电荷积累机理的话，ESD试验也就1个脉冲，同样会导致复位，内存错误，死机的现象 g2 p/ p8 R E2 W* S9 r, O
7 G3 J& V: p" _6 m" p; f" V
N6 x! T9 ]0 A) t2 N! T0 t综上所述，我认为EFT的作用机理与所谓的电荷积累无关3 n, g$ C: }$ K9 l
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发表于 2022-6-10 10:28
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