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SDRAM初始化过程如下： 1、加电 2、延迟指定时间，从第一个sdram的clk开始，通常为100us。具体值请参考SDRAM手册 3、延迟一些自动刷新周期，通常为两个 4、设置自动刷新寄存器 5、等待一定时间以后开始写模式寄存器 以下程序以L7205SDB为例 AREA STARTUP ,CODE, READONLY ENTRY
. G$ [1 e2 L$ B8 gstart ；关中断 LDR R4，=0X90001000 MVN R5，#0 STR R5，[R4，#0X0C] STR R5，[R4，#0X10C]
0 M, y4 x6 P. L1 S# P0 r! c7 ` ;延时 LDR R4，=0XFF 01 SUBS R4，R4，#0X01 BNE %B01 ；%B01表示向后搜索标号01
1 ^2 |" ?2 K+ Z ;1)NEXT寄存器 LDR R4，=0X80050004 LDR R5，=0X05FD4717 STR R5，[R4]
2 p# \- f$ w d* P ;2)运行寄存器 LDR R4,=0X8005000C LDR R5,=0X014717 STR R5,[R4]
* S: R& B$ w8 \( x4 m ;3)命令寄存器 LDR R4,=0X80050010 LDR R5,=0X01 STR R5,[R4]
8 r# q. n1 K* h" n y: o* J ;4)设置enable LDR R4, =0X80050030 LDR R5，[R4] 0RR R5，R5，#0X4 STR R5，[R4] 6 l, C& I( P$ o" C) H
;5)延时200us MOV R4，#0X1000 15 SUBS R4， R4，#1 BNE %B15
2 [6 k: h ^2 t% J+ ?) y3 n ;6)使能slot1、slot2的7、3位 LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，[R4] ADD R5，R5，#0X88 STR R5，[R4] * l0 [/ H6 _# C% @, N- ~8 ^( Z
;7)refresh timer LDR R4，=0XD0000004 LDR R5，=0X8 STR R5，[R4]
% Q. v5 W3 J. v/ @1 Z. A n1 ` ;8)auto refresh enable 23位 LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，[R4] ADD R5，R5，#(1<<23) STR R5，[R4] 9 j& i/ q6 a, l% n
;9)延时1us MOV R4，#0X16 15 SUBS R4，R4，#1 BNE %B15 % h( W3 w! p0 _/ c# M: H1 ?
;10)设置模式寄存器 LDR R4，=0XE0000000+(3<<11)+(2<<15) LDR R5，[R4] ADD R5，R5，#(1<<24) STR R5，[R4]
" [# w; d" v4 `8 k4 c ;11)WD,WM位 LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，=0X00EF00CE ORR R5，R5，#0X30000 STR R5，[R4]
% x& N( A& m9 O+ L, z ;12)refresh timer LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，=0X200 STR R5，[R4，#4] 2 X/ L' a3 u5 q( `/ P
;13)timer buffer register LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，=0X55 STR R5，[R4，#0X8] + k" Z1 ^2 G7 j/ W: j' q
;14)禁止MMU MOV R4，#0X0 MCR P15,0,R4,C1,C0,0
, S# P, E( n7 |3 t Q2 I ;15)halt MOV R4，#0X0 ；这个无意义
' \+ n% T. U7 e- q1 n% Q0 ` ;16)设置MMU SETUPMMU R4，R5，R2,R3，R9，R7 ；通过SETUPMMU宏来设置MMU
' p- L$ ?$ t3 N' _0 F9 o ;17)halt MOV R4，#0X0 3 D/ Y' H# r: p% Q0 y# o
;18)重映射 UNMAPROM R4，R5 ；通过宏UMMAPROM来把R5映射到地址R4即0X0处 $ ^) w2 f% r/ R
haltthere ;19)halt MOV R4，#0X0 Config32 EQU 0X0 MMUOn EQU 0X01 CacheOn EQU 0X04 WriteBufferOn EQU 0X08 PageTableSize EQU (1<<14) SDRAM_Bank1_High EQU (0XF1000000) SDRAM_Bank2_High EQU (0XF2000000) SDRAM_Bank1_Low EQU (0XF0000000) SDRAM_Bank2_Low EQU (0XF1000000) PageTableBase2 EQU SDRAM_Bank2_High-PageTableSize PageTableBase1 EQU SDRAM_Bank1_High-PageTableSize PageTableEntryCount EQU (0X1000) VirtualPageTableBase EQU PageTableBase2 IOCS0Base EQU (0X24000000) IOCS0Size EQU (0X4000000) IOCS1Base EQU (0X10000000) IOCS0Size EQU (0X4000000) SRAMBase EQU (0X60000000)
6 M. G9 Y: }' D# y4 }; v5 B. {& eDisableMMU EQU (Config32：OR:0X40) EnableMMU32 EQU (Config32：OR:0X40：OR:MMUOn) EnableMMUCW32 EQU (Config32：OR:0X40：OR:MMUOn:OR:CacheOn：OR:WriteBufferOn) ；宏SETUPMMU生成一级页表，建立以1MB为单位的4G虚拟存储空间的地址映射关系。 / Z" [. z) ] q0 _1 l, a! K
MACRO $label SETUPMMU $base,$desc,$tmp,$tmp2,$cnt,$indx 0 p/ H6 L2 ~: c( q- _' q+ V, e
ROUT ;用于调试时增加可读性 [ O=0 ;IF NOP NOP ] ;ENDIF e K2 O! q, B3 g0 N( Z$ p" Y$ z
;禁止MMU MOV $tmp,#DisableMMU WriteCP15_Control $tmp ) \+ F9 L4 O2 K" l$ Y" e" `& Y1 j: P' j
;自动识别系统中SDRAM大小，并把结果保存到系统中特定位置 AutoSizESDRAM $tmp,$tmp2,$base,$desc,$cnt,$indx @$ g; |9 s" H- Y) u5 R
MOVS $tmp2,$tmp,LSR #16 EOR $cnt ,$tmp,$tmp2,LSL #16 LDRNE $base ,=PageTableBase2 LDREQ $base,=PageTableBase1 STR $tmp2, [$base,#-4] STR $cnt ,[$base,#-8] ;保存一级页表的物理地址 STR $base ,[$base,#-12] ;计算扩展槽1中SDRAM的起始地址，以便使SDRAM1和SDRAM2地址连续 ;address=Bank 1 base address +Total possible size of bank1-actual size of bank 1 ;address =0xF0000000+16MB-Size LDR $indx ,=SDRAM_Bank1_High SUB $indx,$indx,$cnt,LSL #20 ;保存该起始地址 STR $indx, [$base,#-16] ;建立4G的虚拟地址空间到物理空间的映射关系 ;各块的存储访问属性设置成uncached、unbuffered ;各块的域标识设置成domain 0 客户类型 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc,=MMU_STD_ACCESS MOV $indx ,$base LDR $cnt ,=PageTableEntryCount 7 l% G5 M9 V4 n4 u- n
01 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B01 ;建立包含页表的页存储的地址映射关系 ；该页默认的虚拟空间在扩展槽2的高端16KB的区域 ;如果系统扩展槽2中有SDRAM存在，则该存储页的地址映射关系不变 ；如果系统扩展槽2中没有SDRAM存在，则将该存储页映射到扩展槽1的高端 LDR $desc,=MMU_STD_ACCESS
5 p {) I s; u( U* H( D+ O LDR $indx,=VirtualPagetableBase
% D+ A5 @$ R- T7 s% u# g LDR $tmp,=0xfff000000 a$ ~/ M6 A: K1 V9 m
AND $indx,$tmp,$index ;读取虚拟地址的高12位
M6 L* T3 d2 r, } ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性）3 z _+ G( O Q2 D+ |& E9 D$ G
ADD $indx,$base,$base,lsr #(20) STR $desc,[$indx] ;建立CS0选择的静态存储器的虚拟地址空间到物理地址空间的映射关系 ;CS0选择的SDRAM的物理地址空间为0X24000000 ;现在将虚拟空间0X0映射到0X24000000 ;各块得存储访问属性设置成cacheable、bufferable ;各块的与标识设置为domain 0客户属性 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc, =(MMU_STD_ACCESS+MMU_C_BIT+MMU_B_BIT) LDR $indx, =IOCS0Base LDR $tmp, =0xFFF00000 AND $indx,$tmp,$indx ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性） ADD $indx ,$base,$indx,LSR #20 LDR $cnt ,=(IOCS0Size>>20) ! C, F- A$ G1 R
03 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B03 ;建立CS1选择的静态存储器的虚拟地址空间到物理地址空间的映射关系 ;CS1选择的SDRAM的物理地址空间为0X1000 0000 ;现在将虚拟空间0X0映射到0X1000 0000 ;各块得存储访问属性设置成cacheable、bufferable ;各块的与标识设置为domain 0客户属性 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc, =(MMU_STD_ACCESS+MMU_C_BIT+MMU_B_BIT) LDR $indx, =IOCS1Base LDR $tmp, =0xFFF00000 AND $indx,$tmp,$indx ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性） ADD $indx ,$base,$indx,LSR #20 LDR $cnt ,=(IOCS1Size>>20) 6 H) `' M6 ~7 y; R8 B; A0 o! h
04 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B04
Q; ^/ B5 l& u2 o# v; z t ;建立片内SRAM的虚拟地址空间到物理地址空间的映射关系 ;SRAM的物理地址空间为0X60000000 ;现在将虚拟空间0X0映射到0X60000000 ;各块得存储访问属性设置成cacheable、bufferable ;各块的与标识设置为domain 0客户属性 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc, =(MMU_STD_ACCESS+MMU_C_BIT+MMU_B_BIT) LDR $indx, =SRAMBase LDR $tmp, =0xFFF00000 AND $indx,$tmp,$indx ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性） ADD $indx ,$base,$indx,LSR #20 LDR $cnt ,=(SRAMSize>>20) % P3 C# g8 _; }4 `" y9 @
05 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B05
0 d) z) _% a$ Q0 o) j ;清空cache以及写缓冲区 ;重新使能MMU ;设置域访问控制寄存器为domain 0 ;其他域没有任何访问权限 LDR $tmp, =0x5555 5555 WriteCP15_DAControl $tmp WriteCP15_TTBase $base MOV $tmp ,#0 ;清空cache CP15_FlushIDC $tmp ;清空TLB CP15_FlushTLB $tmp ;重新使能cache和写缓冲区 MOV $tmp , #EnableMMUCW32 WriteCP15_Control $tmp + G. Z: F. k, H% Z7 \
;等待流水线上指令执行完 NOP NOP NOP NOP NOP MEND
) D3 K- V2 S Q4 x K |
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发表于 2020-12-25 14:50
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