NAND FLASH版本核心板使用说明

Tronlong小分队

前言NAND FLASH版本和eMMC版本核心板使用方法基本一致。本文主要描述NAND FLASH版本与eMMC版本核心板在使用方面的不同之处，相同之处将不重复描述。
1.U-Boot编译进行U-Boot编译选项配置时，请执行如下命令。
Host#make ARCH=ARM CROSS_COMPILE=arm-linux-gnueabihf- am335x_evm_nandboot_config

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图 1

3 i# F, n: s7 r- e: _! N1 h我司提供经过验证的U-Boot镜像文件位于产品资料“4-软件资料/Linux/U-Boot/image/u-boot-2017.01-gad3370e-v2.1/”目录下，分别为MLO-nand、u-boot.img-nand。系统启动卡制作完成后，请将MLO-nand和u-boot.img-nand文件复制到系统启动卡BOOT分区下，备份原有的eMMC版本MLO、u-boot.img文件，并将MLO-nand和u-boot.img-nand文件重命名为MLO、u-boot.img。

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图 2

) ~5 z% ~' J  I* I/ aHost#sudo cp MLO-nand MLO
Host#sudo cp u-boot.img-nand u-boot.img
! P) f/ F5 i8 e* T& Z  m3 D

​
" ~" u( s3 W3 P0 N$ n

图 3

2.基础设备树文件编译基础设备树源文件为内核源码“arch/arm/boot/dts”目录下的tl335x-evm-nandflash.dts和tl335x-evm-nandflash-hdmi.dts，重新编译基础设备树时请使用此文件。我司提供经过验证的基础设备树文件为产品资料“4-软件资料/Linux/Kernel/image/linux-rt-4.9.65-gd8e636c-v2.1/”目录下的tl335x-evm-nandflash.dtb和tl335x-evm-nandflash-hdmi.dtb，请将其分别复制到系统启动卡rootfs分区以及rootfs-backup分区的boot目录下。

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9 J1 t! y; [7 Y$ O+ y! Z  V

图 4

请执行如下命令将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-nandflash.dtb文件。tl335x-evm-nandflash.dtb支持LCD显示，如需使用HDMI显示，则将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-nandflash-hdmi.dtb文件即可。
* H6 N0 N* r2 h2 ]6 l, GHost#sudo rm tl335x-evm.dtb
Host#sudo ln -s tl335x-evm-nandflash.dtb tl335x-evm.dtb
. W9 G. g5 w) i% j& l+ ZHost#ls -l

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图 5

8 C6 v5 X% z7 d* B+ w使用替换了U-Boot和基础设备树文件的Linux系统启动卡启动评估板，进入文件系统执行如下命令可查看到NAND FLASH分区信息，即说明文件替换成功。
Host#cat /proc/mtd
+ U# y! i7 _) f4 Z5 @* F

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4 O# V' Y2 G9 h8 ~

图 6

8 \* m  @- Z/ o% A0 d& H* m  `$ N1 `3.固化Linux系统本章节介绍Linux系统固化过程，包括固化U-Boot到SPI FLASH和固化文件系统到NAND FLASH。固化成功后，评估板即可从SPI FLASH启动U-Boot，然后从NAND FLASH加载内核、设备树和文件系统。
9 e) i/ h% y3 y, F* C) }

• SPI FLASH、NAND FLASH分区说明
  

进入评估板系统后执行如下命令，查看SPI FLASH和NAND FLASH分区信息。
- v( W4 H% k- ?, z- m# VTarget#cat /proc/mtd
7 q: G$ S/ l! K' k8 P/ `

​
2 x7 x4 l  j7 A9 ^1 L) f

图 7

SPI FLASH 8 L# o9 d  G  S/ i' z" d4 r	MTD0 + S/ V3 q" ~+ S2 Q# g8 {	spi.spl：存放U-Boot第一阶段启动文件MLO
	MTD1 5 ~& ]5 r) z- ?7 j* n+ P	spi.u-boot：存放U-Boot第二阶段启动文件u-boot.img
	MTD2 # q1 U8 D* q- [, {( r	spi.env：存放环境变量 . t8 W# ~; i6 u3 G/ T  F. R
	MTD3	spi.devicetree：存放设备树文件（暂未使用）
	MTD4 ) S" @# q+ u, z! {	spi.kernel：存放内核镜像（暂未使用） 9 I+ x# r2 X1 x+ e' Z' N
NAND FLASH	MTD5 # a: D) ^# V9 X* m. p2 V% R5 s5 k	nand.spl：存放U-Boot第一阶段启动文件MLO（暂未使用）
	MTD6 + Q' d; W( _, n# h$ m( h1 |	nand.u-boot：存放U-Boot第二阶段启动文件u-boot.img（暂未使用）
	MTD7 8 @# ~; ?# u- K3 x	nand.env：存放环境变量（暂未使用） $ Y6 s$ z  z4 S. q7 D
	MTD8 9 h1 E- C+ p2 k5 F/ t- R( k  d	nand.devicetree：存放设备树文件 7 g7 U0 [8 T' b  w- G( H
	MTD9	nand.kernel：存放内核镜像 9 f3 ]& x) \6 O5 w9 S: \5 A/ A/ H7 m) m
	MTD10	nand.logo：存放LOGO文件 # q! g* D  |* s
	MTD11 ( S8 E0 w$ R' s; ~$ b  c	nand.mini-fs：备用分区，一般存放小型文件系统（暂未使用） 8 x+ Y0 Q( _& L$ @, j
	MTD12 . h# ]% s* ?8 B' o8 [	nand.rootfs：存放文件系统   z0 [# @5 k" r; D4 c

• 固化Linux系统
  

Linux系统启动卡制作时，已将系统固化的脚本文件mknandboot.sh复制到了Linux系统启动卡文件系统的“/opt/tools/make-system”目录下。

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; o' t. k9 |' w' b4 |+ ]. u+ w4 S

图 8

执行如下命令进行一键固化。
% U( L3 {6 J) I2 E" ?5 T' f' n0 h+ K2 mTarget#/opt/tools/make-system/mknandboot.sh

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图 9

' s) |; k# |* h3 d( L脚本会进行如下操作：
1 V3 t8 ]6 B( W* R5 m9 y

• 擦除SPI FLASH、NAND FLASH。
• 将Linux系统启动卡BOOT分区中的U-Boot固化到SPI FLASH对应分区。
• 将Linux系统启动卡BOOT分区中的LOGO固化到NAND FLASH对应分区。
• 将Linux系统启动卡rootfs-backup分区中的文件系统boot目录下的内核镜像和基础设备树文件固化到NAND FLASH对应分区。
• 将Linux系统启动卡rootfs-backup分区中的文件系统固化到NAND FLASH对应分区。
  6 o. G% K8 {9 J4 J( p- j1 m

用时约5~10min，Linux系统固化成功，同时串口调试终端打印提示信息。
) n0 i' a% G% R备注：脚本文件会将设备树文件和内核镜像固化到SPI FLASH中，实际启动并不会从SPI FLASH中加载设备树和内核镜像。

4.从SPI+NAND FLASH启动系统评估板断电，将Linux系统启动卡从评估板Micro SD卡槽中取出，根据评估底板丝印将拨码开关拨为10010（1～5），此档位为SPI FLASH启动模式。评估板上电，串口调试终端将会打印如下类似启动信息。

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图 10

# G2 b  R7 G8 W

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图 11

5.NAND FLASH读写测试本章节对NAND FLASH的MTD11分区进行读写速度测试。MTD11是NAND FLASH的备用分区，一般存放小型文件系统，大小为32MByte。读写测试会将该分区内容擦除，请做好数据备份。
执行如下命令查询NAND FLASH分区，确认MTD11分区大小（读写请勿超出分区大小），将该分区内容擦除。
Target#cat /proc/mtd
9 _# N) o; }* Q9 k/ |Target# flash_erase /dev/mtd11 0 0
4 S0 s; s: {$ l- _

​
6 X5 E3 d0 ^+ n" l% l  N

图 12

• NAND FLASH写速度测试
  2 }& K8 `( W0 O, D% Q

进入评估板文件系统，执行如下命令对NAND FLASH进行写速度测试。
; c# q9 }1 G9 I1 RTarget#time dd if=/dev/zero of=/dev/mtd11 bs=1024k count=30

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图 13

此处一共写30MByte测试数据到NAND FLASH的MTD11分区下，可看到本次测试的NAND FLASH写速度约为：30MB/8.24s=3.64MB/s。

• NAND FLASH读速度测试
  

重启评估板，进入评估板文件系统，执行如下命令对NAND FLASH进行读速度测试。
Target#time dd if=/dev/mtd11 of=/dev/null bs=1024k count=30

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) [) e0 q5 u, H1 i3 T9 ?

图 14

此处从NAND FLASH的MTD11分区读取30MByte数据，可看到本次测试的NAND FLASH读速度约为：30MB/4.47s=6.71MB/s。

8 ~  G! Q- y: i& q# {$ H5 }) F

fordies1

NAND FLASH版本与eMMC版本核心板在使用方面的不同