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摘要:随着无线通信的发展,人们对于通信技术的要求不断提高,希望无论在何4 \& f8 ?7 E3 A) m
时何地都能够与任何人进行包括语音通话、数据交换和图像传输的通信。) r" N* v' E4 b! d9 ?5 s* I2 V
功率放大器是无线发射器中必不可少的组成部分,也是整个发射机中耗能最
0 i/ l9 L" b1 b, B; \; Q, H- A多的部件,输出功率-般比较大。 射频功率放大器的主要作用就是放大射频信号,
/ z) B! N5 @2 i. W以输出大功率为目的。射频信号功率的放大实质上是在输入射频信号的控制下将
* i0 z- O8 O. l0 U. Y& o9 r; m电源直流功率转换为高频功率。相对于其它无线收发组件,大功率、高线性、高! T" t" A& D% Q( w
效率是功率放大器的基本设计要求。$ B0 T" z! ~, ~! O( {2 v
本文介绍了基于TSMC 0.18um CMOS工艺的功率放大器的设计,给出了仿真, H: j' U- O( m
结果和版图设计。该电路采用两级放大结构,单端输入单端输出。第- -级采用共
, I4 k, k. `2 M+ N. c源共栅放大电路,第二级采用差分放大电路,输出由一个平衡-不平衡电路转化为) I7 a! N8 @- u2 o4 I1 c
单端输出。在3.3v的供电电压下,最大输出功率为16.25dBm,增益为20dB,输5 d* R* R; R: c6 P( w
入1dB压缩点位13dBm,带宽为1GHz-2GHz,满足设计指标要求。
+ w" ^& q9 d1 v/ f6 K" u关键词: CMOS;功率放大器;射频集成电路
3 Z. G! C' y' g6 Z! {1 E分类号: TN722.7
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