如何辨别SRAM是否属于动态随机存储器

英尚微电子

一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间数据不会丢失。
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1 k% Z( J! e, l% s# LSRAM是一种具有静止存取功能内存的静态随机存储器，不需要进行刷新电路便能保存它内部存储的数据。
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2 n6 J  b) ?4 G. B. sDRAM即是动态随机存储器,动态随机存储器采用动态存储单元的随机存储器，简称DRAM或是动态RAM。
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8 a+ n2 U/ Y) C8 ESRAM则不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即刻会消失，因此SRAM具有相对较高的性能，但是SRAM也有缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ，相同容量的DRAM的内存可以设计为比较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积才可以。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。

5 T! k9 i1 s+ }9 ISRAM是比DRAM更为昂贵，但更为快速、低功耗（仅空闲状态）。因此SRAM首选用于带宽要求高。SRAM比起DRAM更为容易控制，也更是随机访问。由于复杂的内部结构，SRAM比DRAM的占用面积更大，因而不适合用于更高储存密度低成本的应用，如PC内存。
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7 r& E2 d0 J4 r* q8 m% @时钟频率与功耗
" S# H  u4 f6 G4 ^SRAM功耗取决于它的访问频率。如果用高频率访问SRAM，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全带宽时功耗达到几个瓦特量级。另一方面SRAM如果用于温和的时钟频率的微处理器，其功耗将非常小，在空闲状态时功耗可以忽略不计—几个微瓦特级别。

; l3 Q3 G( s8 G, S. J4 bVTI  低功耗SRAM型号

Density	Org.	P/N	Temp.	Vcc(V)	Speed(ns)	C/S Option	Package	Packing
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	Industrial	3.3	45/55	2C/S	32TSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	Industrial	3.3	45/55	2C/S	32sTSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	Industrial	3.3	45/55	2C/S	32SOP	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	Industrial	5.0	45/55	2C/S	32TSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	Industrial	5.0	45/55	2C/S	32sTSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	Industrial	5.0	45/55	2C/S	32SOP	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501NL16	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501NL16	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501HL16	Industrial	5.0	45/55	1C/S	48BGA	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501HL16	Industrial	5.0	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray

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SRAM是比DRAM更为昂贵，但更为快速、低功耗（仅空闲状态）。因此SRAM首选用于带宽要求高。SRAM比起DRAM更为容易控制，也更是随机访问。由于复杂的内部结构，SRAM比DRAM的占用面积更大，因而不适合用于更高储存密度低成本的应用，如PC内存。

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SRAM则不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即刻会消失，因此SRAM具有相对较高的性能，但是SRAM也有缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ，相同容量的DRAM的内存可以设计为比较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积才可以。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。