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一位同事讲:但是有一个比较值,就是CLK的长度要大于address,address要大于data。同组间相等。组间的差别不能大于10mm。
3 U' [ L) l0 t6 K: l; c7 ^* U: S* o 有网友表示,DDR数据线用DQS来锁存,因此要保持等长。地址、控制线用时钟来锁存,因此需要和时钟保持一定的等长关系,一般等长就没有什么问题。阻抗方面,一般来说DDR需要60欧姆,DDR2需要50欧姆,走线不要打过孔,避免阻抗不连续。串扰方面,只要拉开线距,一层信号一层地,就不会出问题。也有网友表示他们模拟DDR2的结果:时钟对线长误差小于0.5mm;最大长度小于57mm;时钟线与相对地址线的长度差小于10mm。. ^ o( c4 ]% D8 ?: q- Q
无论是PCB上使用芯片还是采用DIMM条,DDR和DDRx(包括DDR2,DDR4等)相对与传统的同步SDRAM的读写,主要困难有三点:第一,时序。由于DDR采用双沿触发,和一般的时钟单沿触发的同步电路,在时序计算上有很大不同。DDR之所以双沿触发,其实是在芯片内部做了时钟的倍频,对外看起来,数据地址速率和时钟一样。为了保证能够被判决一组信号较小的相差skew,DDR对数据DQ信号使用分组同步触发DQS信号,所以DDR上要求时序同步的是DQ和DQS之间,而不是一般数据和时钟之间。另外,一般信号在测试最大和最小飞行时间Tflight时,使用的是信号沿通过测试电平Vmeas与低判决门限Vinl和和高门限Vinh之间来计算,为保证足够的setup time和hold time,控制飞行时间,对信号本身沿速度不作考虑。而DDR由于电平低,只取一个中间电平Vref做测试电平,在计算setup time和hold time时,还要考量信号变化沿速率slew rate,在计算setup time和hold time时要加上额外的slew rate的补偿。这个补偿值,在DDR专门的规范或者芯片资料中都有介绍。
( B1 V7 E' m1 U5 t' f- g第二,匹配。DRR采用SSTL电平,这个特殊buffer要求外接电路提供上拉,值为30~50ohm,电平VTT为高电平一半。这个上拉会提供buffer工作的直流电流,所以电流很大。此外,为了抑制反射,还需要传输线阻抗匹配,串连电阻匹配。这样的结果就是,在DDR的数据信号上,两端各有10~22ohm的串连电阻,靠近DDR端一个上拉;地址信号上,发射端一个串连电阻,靠近DDR端一个上拉。; ]& e: X: }: I
第三,电源完整性。DDR由于电平摆幅小(如SSTL2为2.5V,SSTL1为1.8V),对参考电压稳定度要求很高,特别是Vref和VTT,提供DDR时钟的芯片内部也常常使用模拟锁相环,对参考电源要求很高;由于VTT提供大电流,要求电源阻抗足够低,电源引线电感足够小;此外,DDR同步工作的信号多,速度快,同步开关噪声比较严重,合理的电源分配和良好的去耦电路十分必要。
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8 q% g0 O8 k' w- f0 z( k/ C3 j1.CLK等长长度为X,最长的和最短的相差不超过25mils. K5 L# ~) ?; V8 D" S
( x1 \ V, l( x; F1 R2.DQS长度为Y,和CLK比对,Y要在[X-1500,X 1500mils]这个区间; f4 U l* Z5 l9 I& j+ ]9 W( }7 p
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3.DM、DATA长度为Z,和各组的DQS比对,Z要在[Y-25,Y 25mils]区间里面
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8 ]) T1 F5 q5 F4.A/C信号(control & command信号)长度为K,和CLK比对,K要在[X-1500,X 2000mils]范围内5 _/ [3 Z" n3 y+ z9 P% a& j
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5.阻抗控制:DQ DQS DM CONTROL COMMAND CLK阻抗为55ohm -15%( Q0 `; V, q7 ?$ }* o& O/ F
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1.走线分组& }8 x! E! ~$ ~$ D7 `0 k) C: o9 j/ v* V
ARM系统中内存一般为32位或者16位,通常使用一片或者两片内存芯片组成。可以将数据线分成一组,两组或者4组。
% m( l$ p2 C* ]) _- g一组的分法即:DATA0-31,DQS0-3,DQM0-3作为一组;* ?' g6 g. g! Z* [, h
两组的分法:DATA0-15,DQS0-1,DQM0-1为一组,DATA16-31,DQS2-3,DQM2-3为一组;8 d& Q) j- K) s6 t8 W5 A5 W1 o
四组的分法:DATA0-7,DQS0,DQM0为一组,DATA8-15,DQS1,DQM1为一组,DATA16-23,DQS2,DQM2为一组,DATA23-32,DQS3,DQM3为一组。, w- x" J9 }" _4 Y/ [$ y5 d4 M
具体分几组,可以根据芯片数量和走线密度来确定。布线的时候,同一组的信号线必需要走在同一层。
7 p" u* W3 k- n- Q剩下是时钟信号,地址信号和其它的控制信号,这些信号线为一组。这组信号线尽量在同一层布线3 i0 F; p3 l `* N( [
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2.等长匹配4 M0 t( A1 W6 F2 y) ]5 m
a. DDR的DATA0-31,DQS0-3,DQM0-3全部等长匹配,不管分为一组还是两组或四组。误差控制在25mil。可以比地址线长,但不要短。
7 Y2 c- W8 k$ Z' P9 W/ zb. 时钟信号,地址信号和其它的控制信号全部等长匹配,误差控制在50mil。另外如果是DDR时钟,要按照差分线要求来走线,两条时钟线的长度要控制在2.5mil的误差内,并且尽量减小非耦合的长度。时钟线可以比地址和其它信号线长20-50mil。$ p7 j5 ~8 V0 P" D: v9 g
. |% ]; w+ `4 p4 u$ r: X6 N9 ^3.间距
& i4 } o5 j* w& l5 q 间距的控制要考虑阻抗要求和走线的密度。通常采用的间距原则是1W或者3W。如果有足够的空间来走线,可以将数据线按3W的间距来走,可以减小很多串扰。如果实在不行至少要保证1W的间距。除此之外,数据线与其它信号线的间距至少要有3W的间距,如果能更大则更好。时钟与其它的信号线的间距至少也要保持3W,并尽可能的大。绕线的间距也可以采用1W和3W原则,应优先用3W原0 B5 @- x1 r7 e$ Z
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