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大神带你实战运算放大器设计

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    发表于 2019-8-19 10:06 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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    大神带你实战运算放大器设计

    2 u0 }. W& v2 `( v  K( M; R$ |: g
    * u- B( \4 B. ~" W3 z
    6 D/ v( S: w; c$ d

      本文主要讲了一下关于运算放大器设计的一些知识,希望对你的学习有所帮助。$ A1 g8 J. \9 F" ?5 H2 z
      Q1:OPA内部是怎样构成的?4 B2 D# P7 ~. F5 S- i
      “就是一堆晶体管”

    / Y) L5 V& E$ ]8 k
      - 包含输入级,中间放大级和输出级。基于应用的话,不用特别关注内部的结构。
    / o+ Z# U1 Y+ w. I, ?* k  - 同相端和反相端输入地方有等效二极管,就是所谓的ESD保护。一般运放内部都会做。输出端也有。但是因为做在芯片内部,所以能力有限,即最大通过瞬间电流有限。8 C3 ^) W2 \4 h/ O* k
      提示:芯片级的ESD等级和产品级的ESD等级完全是两码事,遵循的不是一个规范。
    4 q% I* z6 d% [% I+ C, ^  芯片规格书上,ESD指标虽然写着2kV ,应用到实际产品上,如果打2kV静电上去,是无法承受的。产品ESD遵循的是IEC61340的标准。所以,设计过程中,想要通过选择自身ESD高的芯片去防止浪涌,是不可取的。, P2 L, z/ x+ n% ?) A9 t9 Q& b+ U
      所以一般芯片,用静电枪直接打管脚,能承受400v静电的已经算顶尖芯片了。有的芯片会直接标机器模式,通常就是400v和200v这样的值了。( A1 o7 F$ ~6 {2 a( z
      Q2:OPA常用封装有哪些?
    , P; O* K% U1 n5 ]. h/ H' y  常见1/2/4路,常用封装基本都兼容。
    ) @9 H: y$ {2 D4 k  k/ h  小提示:设计时候尽量选通用封装,否则很容易是Single Source(独一物料,市面上没有兼容的),结果就是被供应商绑架。
    7 J$ V) @% f- z0 V2 U  日系的很多封装尺寸很怪异。跟欧美系的很多封装不一样。所以选日系芯片的时候,留个心眼,一不小心,就是single source了。  e. }& K# R# z% r
      Q3:OPA都有哪些作用?
    ) }& y6 e7 L) ~  放大小信号(或缩小大信号)6 _5 e/ f( Z+ Z' v) n. E# F6 T
      阻抗匹配
    + J  |4 c& H1 ]( H3 c  信号隔离:例如跟随放大器1 L; U5 I; [6 o$ J2 ?
      滤波(低通,高通,带通滤波等):一阶滤波用的比较多,提示,网上小工具可以用来计算参数。
    6 j" Y2 o( l- E, u/ s  驱动:可以驱动音响,驱动视频设备伽马线,这些应用都要求瞬间输出电流很大。
    0 Y; i% |: B' [' g  `5 P. `, k  -运放驱动长线:线约长,分布电容越大,运放驱动容性负载,会产生震荡# F+ a* e; a. w
      做小功率电源
    * w+ a4 l8 B: o$ T; G' C" J  -一般运放输出20-30mA,跟I/O口差不多。" }3 U4 D$ {& K: e$ j# {
      -有些特殊运放能够输出1-2A比较大电流的,可以当做小功率电源用,很干净。但是不能做基准源,因为精度不够。6 v& b* ^6 u+ i$ P
      Q4:OPA怎样供电?
    ) n- z3 e( g- m% n  - 引用业内资深专家:如果一个运放都不舍得用LDO供电,还指望谈稳定性?3 v& N( n/ n' k! V' y( b
      - DCDC都不可以,最好尽量是LDO,最次也得7805。- Z& F7 d- j% j/ V2 G
      Q5:OPA都有哪些类型?8 p2 B/ b- u, f! Q
      超低功耗运放(Nano Power OPA):几百nA
    8 y6 G0 u4 n8 N! o, X. S; R  低功耗运放(Micro Power OPA):9 ~! q0 j0 H* }  U, p' |5 S3 w. v  ]
      高速运放(High Speed OPA):重点两个参数:增益带宽积(GBP)和压摆率(SR)
    ) T1 q% C: p0 v0 `- D. J. h# _, Q  高精度运放(High Precision OPA):重点两个参数:Vos失调电压(低于采样电压的一半),温漂7 d& h; ]3 r3 O9 f9 ], l* k* Y
      低噪声运放(Low Noise OPA):常用于脑电波,心率,脉搏等小信号采集
    / D+ m+ z4 C% M3 }3 e( Y9 \! g  差分放大器(Fully Differential OPA):输入共模抑制比足够大(有人拿高精度运放当做差分放大器,为了节省成本,但是效果不行。): f  L+ V) R/ C2 S/ B% {
      功率放大器(Power OPA):功放驱动3 m9 ?% P6 i" [% U
      音频放大器(Audio OPA):
    ) u. z0 C( y6 W/ N  l8 [# s  仪表放大器(Instrumentation OPA):共模抑制比很高。配合专门电路,能够有效去除共模干扰。/ X* v% v* c8 b, }: O
      其他专用型放大器% k3 z' n: I2 t. |' _- X+ e/ ]# V
      Q6:OPA常用的参数有哪些?
    0 Q4 M# L0 @0 x- g  输入失调电压(Input Offset Voltage) Vos2 }7 v: z+ K  X8 @+ k% I( O9 I+ O
      输入失调电压的温漂(Offset Voltage Drift):对Vos的补充2 Q3 `4 x, y) `  s
      输入偏执电流(Input Bias Current)IB:
    % e- V6 K! ~8 v" |! o1 T6 S  输入失调电流(Input Offset Current)Ios:是IB的补充
    : z6 V: }  Q" v  共模电压输入范围(Input Common-Mode Voltage Range)Vcm:运放在某个供电下,同相端和反相端给到的最大信号范围。
    ! U& P4 [# K3 H" A- J% t  输出特性(Output Characteristic)
    * O% k# [+ T: [4 W  输出电流限制(Output Current Limit):关注这个参数,主要因为,有些应用要求输出电流尽量大,比如输出线很长(跳线连接两个系统)或者 负载输入阻抗很小。9 h/ @6 k- {( y, A. {9 E  F( v% L- c
      小提示:如果用长线链接两个系统,输出要串个电阻:1)来限流。2)防止热插拔瞬间的浪涌。
    % l7 [& P1 |5 [, b2 Y  ESD和浪涌的区别。
    + w- I5 u2 r, E3 C, x, Y! r$ `  1) 浪涌持续的是毫秒级,ESD静电只持续微秒或者纳秒级别。2 }  ~0 J9 v* w+ i# b
      2) 浪涌一般示波器可以抓下来。ESD静电一般示波器是看不到的。" }+ ]: N* j  X8 k' e
      工作电压范围 VDD: F3 c$ v' W: k' o8 Z2 c. I/ Q) ^
      静态工作电流(Quiescent Current)Iq
    7 M0 _/ e' [  ~0 F. f1 u1 V. W( r  增益带宽积(Gain Bandwidth Product)GBP:对交流信号非常重要 ,直流信号可以不用关注太多。
    $ p3 f9 A/ X. s  压摆率(Slew Rate)SR:GBP大,意味着SR大;SR值用来反映跳变沿快慢的。
    , c) T7 Y1 f( F6 z8 L5 C/ f  开环增益(Open-Loop Voltage Gain)Aol:常见120db;这个值越大,留给设计放大倍数的余量越大。也是交流特性,跟频率密切相关。
    8 p* k* ^% W6 J) U  电压噪声密度(Voltage Noise Density)en:
    2 E- s1 f4 P1 g3 F  相位裕度(Phase Margin):越大越好,越稳定
    / T" y$ P, g& z( C5 n# K2 m  共模信号抑制比(Common Mode Rejection):反映了对共模干扰信号的抑制能力,值越大越好。
    ; R! |8 I2 U6 Y  电源纹波抑制比(Supply Voltage Rejection):反映了对供电端噪声的抑制能力,值越大越好。1 U$ M7 ]0 c) L0 I5 |  T
      Q7:三极管放大能代替运放放大吗?
    & G3 `* D; S* s, P& g2 T( G+ a  Yes:运放内部本身就是一堆晶体管的集成,音乐发烧友所推崇的所谓“胆机”,很多就是用分立的晶体管、电子管所设计。
    8 l/ |4 d! U* ~5 i- l6 ^$ K  No:但是三极管参数一致性差,放大电路批量生产良率低,需要微调参数,生产工艺麻烦。" |8 P6 l( ?( f( q8 |" v4 S3 h
      Q8:什么是轨至轨运放?
    # K8 k  f: ?  Z  {5 X2 Y* G" E  轨(Rail)指的是供电电压, Q8 e7 B; f. A* {! |$ T0 r
      共模输入电压(Common Mode Input Voltage)范围“包含(超过一点)”供电电压,即所谓轨至轨输入。/ r+ s) x# l$ t% X# {0 N3 C
      输出电压范围“包含(几乎达到)”供电电压,即所谓轨至轨输出。6 n7 L7 b% M% n7 w+ K9 g
      Q9:运放可以用作比较器么?/ F' U$ F1 C- d) X2 b7 H+ h0 N
      Yes:
    - u# G9 }8 v3 _  大部分运放是可以再开环下工作的; v( H+ B* n# E1 p, t
      No:
      Q% H$ k: C' ]  -有一些运放的同相输入与反相输入之间有嵌位二极管(差分二极管保护),用作比较器时(压差超过0.7v)会导致其中一个嵌位二极管导通,(如果源输入阻抗很低,可以供的电流很大)从而有大电流流过,甚至烧坏芯片。
    5 i6 V& l& o  I4 P  (看差模输入电压范围,这个参数大,说明没有嵌位二极管。可以用。)' u; }* @8 z, s5 m1 a# p+ \9 ?
      -反应速度慢,即使高速运放,也不够快。% B$ l& U" s; H% B- ]# a) r
      -稳定性不佳,过载饱和时恢复时间长。


    : H$ s! u4 H" x  - 输出无法真正到轨
      k" }* s& b' i  输入级由于补偿电路作用,可以超过供电轨,但是输出级由于晶体管的导通内阻,无法真正到轨,会有几mV~几十mV的差距。
    " _& V- c- u) {+ Y* j8 y  - 输出误差和带负载阻抗相关:负载大,输出小,负载很重,输出到电源轨的差距就很大* k1 Q+ d6 y0 m* Z  R6 Y* `- y
      Q10:怎样选择合适的运放?# k% h% D" p9 ~% Y
      直流信号:" d2 {4 m8 Q- Z% l; m, X8 v
      - 确定信号具体特性:信号范围,精度。确定好这些参数,甚至就可以直接联系FAE来帮助选型。
    $ `; N$ \2 a2 {( o  T0 r( f  - 输入失调电压(Vos):根据信号最小值,来决定,通常取最小信号值的二分之一以内。例如,最小信号值是1mV,那就需要尽量选择Vos在0.5mV以内的。所有的运放都会给出该参数。着重看最大值,而不是典型值。
    + t% L: I- g( Q6 J. Z* `1 P  - 温漂:看产品输出地点,环境温度可能不同。$ X+ j. _6 L3 i" h* d  i3 _, W
      - 输入失调电流:如果传感器带载能力很差,即输出阻抗很高,输出电流小。对运放的输出失调电流就有要求了,要求输入运放的电流小,这样对原信号的分压就小。
    + B# }9 Q: x7 F( e; A* Z  - 耗电要求+ p9 ~' u0 G) c
      - 工作电压范围
    , n. O0 s" n# t3 L9 i5 Z( t  - 输入输出特性: 是否轨对轨的?还是非轨对轨。) L7 @+ n4 Z% B4 k/ P7 y# j/ I
      交流信号
    6 U* J7 M- c6 {6 `/ V  -交流信号的具体特性+ X8 [8 i9 X+ W
      -增益带宽:待处理信号频率X放大倍数 X系数(一般取5-10)<=运放带宽, m5 {: O9 t' l' a( v
      -开关增益( K7 a: s* ~0 f4 r) F
      -电压噪声密度
    6 e/ X* r0 t+ F# N6 _4 B  -耗电要求  E' x6 y$ s) d" e; H" ~! V
      -工作电压7 u- {5 U: j8 j' z/ T+ c
      -输入输出特性

    ; R) y+ O4 O+ _/ x5 m1 n
    4 l( q8 i( J3 s* u
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